[發明專利]晶片的加工方法

有效

• 申請號: 202010091970.2
• 申請日: 2020-02-14
• 公開（公告）號: CN111571043B
• 公開（公告）日: 2023-05-12
• 發明（設計）人: 古田健次
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;B23K26/53;B23K26/70
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 喬婉;于靖帥

提供晶片的加工方法，能夠抑制由激光束的照射而引起的器件的損傷。一種晶片的加工方法，該晶片在由多條第1分割預定線和多條第2分割預定線劃分的多個區域的正面側形成有器件，該晶片的加工方法具有如下的步驟：第1改質層形成步驟，在使激光束的聚光點的高度與晶片的內部中的位于晶片的正面側的第1區域的高度一致的狀態下照射激光束，從而在第1區域中形成第1改質層；以及第2改質層形成步驟，在使激光束的聚光點的高度與晶片的內部中的位于晶片的背面側的第2區域的高度一致的情況下照射激光束，從而在第2區域中形成第2改質層，并且形成從晶片的正面至背面的龜裂，沿著多條第1分割預定線和多條第2分割預定線對晶片進行分割。

技術領域

本發明涉及形成有器件的晶片的加工方法。

背景技術

在器件芯片的制造工序中，使用在由相互交叉的多條分割預定線(間隔道)劃分的多個區域中分別形成有IC(Integrated?Circuit：集成電路)、LSI(Large?ScaleIntegration：大規模集成電路)等器件的晶片。通過沿著分割預定線分割該晶片，能夠得到分別具有器件的多個器件芯片。

在晶片的分割中例如使用具有主軸(旋轉軸)的切削裝置，該主軸(旋轉軸)安裝有對晶片進行切削的圓環狀的切削刀具。通過使切削刀具旋轉并沿著分割預定線切入晶片，從而沿著分割預定線切斷、分割晶片。

另一方面，近年來，著眼于通過激光加工來分割晶片的技術。例如，提出了如下的方法(參照專利文獻1)：使對于晶片具有透過性的激光束聚光在晶片的內部，在晶片的內部沿著分割預定線形成被改質的區域(改質層)。形成有改質層的區域比晶片的其他區域脆。因此，當對形成有改質層的晶片施加外力時，以改質層為起點沿著分割預定線分割晶片。

在形成有改質層的晶片上粘貼有例如能夠通過施加外力而擴展的片(擴展片)。通過擴展該片，對晶片施加外力，從而沿著分割預定線分割晶片。另外，還提出了如下的方法(參照專利文獻2)：通過對形成有改質層的晶片實施磨削加工，從改質層產生裂紋來分割晶片。

專利文獻1：日本特開2011-49454號公報

專利文獻2：日本特開2015-37172號公報

如上所述，在通過激光加工對晶片進行分割的情況下，根據晶片的厚度和材質等，有時沿著各分割預定線在晶片的厚度方向上形成多層改質層。該多層改質層例如是通過一邊使激光束的聚光點的鉛垂方向上的位置(高度)從晶片的下表面側朝向上表面側階段性地改變，一邊沿著一條分割預定線從晶片的上表面側(背面側)各照射多次激光束而形成的。由此，例如即使在晶片比較厚的情況下，也以改質層為起點適當地分割晶片。

這里，在沿著相互交叉的第1分割預定線和第2分割預定線分別形成多層改質層的情況下，通常，從晶片的下表面側到上表面側形成沿著第1分割預定線的多層改質層，然后，從晶片的下表面側到上表面側形成沿著第2分割預定線的多層改質層。因此，在沿著第2分割預定線形成改質層時，在第1分割預定線與第2分割預定線的交叉區域中已經從晶片的下表面側到上表面側形成有多層改質層。

并且，在沿著第2分割預定線形成改質層時，向該交叉區域照射激光束。于是，激光束照射在已經形成于交叉區域的改質層上而產生激光束的漫反射(飛濺)，有時激光束從第2分割預定線露出。其結果為，激光束照射在形成于晶片的下表面側(正面側)的器件上，有可能使器件損傷。

特別是，當沿著第2分割預定線在晶片的下表面側形成改質層時，向在交叉區域中從晶片的下表面到上表面形成的多個改質層照射激光束。因此，容易產生激光束的漫反射，也容易產生器件的損傷。

發明內容

本發明是鑒于上述問題而完成的，其目的在于，提供能夠抑制由激光束的照射而引起的器件的損傷的晶片的加工方法。