[發明專利]晶片的加工方法

有效

• 申請號: 202010091970.2
• 申請日: 2020-02-14
• 公開（公告）號: CN111571043B
• 公開（公告）日: 2023-05-12
• 發明（設計）人: 古田健次
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;B23K26/53;B23K26/70
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 喬婉;于靖帥

1.一種晶片的加工方法，該晶片在由多條第1分割預定線和與該第1分割預定線交叉的多條第2分割預定線劃分的多個區域的正面側形成有器件，其特征在于，

該晶片的加工方法具有如下的步驟：

保護部件粘貼步驟，在該晶片的正面側粘貼保護部件；

第1步驟，在使對于該晶片具有透過性的激光束的聚光點的高度與隔著該保護部件被卡盤工作臺保持的該晶片的內部中的位于該晶片的正面側的第1區域的高度一致的狀態下，從該晶片的背面側沿著多條該第1分割預定線照射該激光束，接著，使激光束的聚光點與向該晶片的背面側偏移后的高度一致，沿著該第1分割預定線照射，從而在該第1區域中，沿著該第1分割預定線形成作為該晶片的分割起點而發揮功能的多個第1改質層；

第2步驟，在實施了該第1步驟之后，在使該激光束的聚光點的高度與該晶片的內部中的位于該晶片的正面側的第1區域的高度一致的狀態下，從該晶片的背面側沿著多條該第2分割預定線照射該激光束，接著，使激光束的聚光點與向該晶片的背面側偏移后的高度一致，沿著該第2分割預定線照射，從而在該第1區域中，沿著該第2分割預定線形成作為該晶片的分割起點而發揮功能的多個第1改質層；

在第2區域中沿著該第1分割預定線形成第2改質層的第3步驟，在實施了該第2步驟之后，在使該激光束的聚光點的高度與該晶片的內部中的位于該晶片的背面側的該第2區域的高度一致的狀態下，從該晶片的背面側沿著多條該第1分割預定線照射該激光束，接著，使激光束的聚光點與向該晶片的背面側偏移后的高度一致，沿著該第1分割預定線照射，從而在該第2區域中，沿著該第1分割預定線形成作為該晶片的分割起點而發揮功能的多個該第2改質層，并且形成從該晶片的正面至背面的龜裂，沿著多條該第1分割預定線對該晶片進行分割；

在該第2區域中沿著該第2分割預定線形成第2改質層的第4步驟，在實施了該第3步驟之后，在使該激光束的聚光點的高度與該晶片的內部中的位于該晶片的背面側的第2區域的高度一致的狀態下，從該晶片的背面側沿著多條該第2分割預定線照射該激光束，接著，使激光束的聚光點與向該晶片的背面側偏移后的高度一致，沿著該第2分割預定線照射，從而在該第2區域中，沿著該第2分割預定線形成作為該晶片的分割起點而發揮功能的多個第2改質層，并且形成該第2分割預定線的從該晶片的正面至背面的龜裂，沿著多條該第2分割預定線對該晶片進行分割；以及

磨削步驟，在實施了該第4步驟之后，對該晶片的背面側進行磨削而使該晶片薄化至規定的厚度。

2.根據權利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，

在該第1步驟和該第2步驟中，產生從該第1改質層至該晶片的正面的龜裂。

3.根據權利要求1或2所述的晶片的加工方法，其特征在于，

在該第1步驟和該第2步驟中，以使該晶片的正面與該第1改質層的距離比該規定的厚度大的方式形成該第1改質層，

在該磨削步驟中，通過使該晶片薄化至該規定的厚度而去除該第1改質層。