[發(fā)明專(zhuān)利]權(quán)重單元和電子裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010091274.1
• 申請(qǐng)日: 2020-02-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111580783A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-08-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 萊恩·M·海雀;提塔許·瑞許特;喬治·凱特爾;雷維基·森古普塔;達(dá)爾門(mén)達(dá)·帕勒;洪俊顧
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): G06F7/523
• 分類(lèi)號(hào): G06F7/523;G11C11/16;G11C11/22;G11C13/00
• 代理公司: 北京匯知杰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11587
• 代理人: 李潔;董江虹

1.一種權(quán)重單元，包括：

第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管和第一電阻式存儲(chǔ)器元件，所述第一電阻式存儲(chǔ)器元件連接到所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極；以及

第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管和第二電阻式存儲(chǔ)器元件，所述第二電阻式存儲(chǔ)器元件連接到所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極，

其中所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管的所述漏極連接到所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極，且所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的所述漏極連接到所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的權(quán)重單元，其中所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括n型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的權(quán)重單元，其中所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括p型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的權(quán)重單元，其中所述第一電阻式存儲(chǔ)器元件和所述第二電阻式存儲(chǔ)器元件包括磁隧道結(jié)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的權(quán)重單元，其中所述第一電阻式存儲(chǔ)器元件和所述第二電阻式存儲(chǔ)器元件包括電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器元件。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的權(quán)重單元，其中所述第一電阻式存儲(chǔ)器元件和所述第二電阻式存儲(chǔ)器元件包括鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器元件。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的權(quán)重單元，其中所述第一電阻式存儲(chǔ)器元件和所述第二電阻式存儲(chǔ)器元件包括脈沖編碼調(diào)制存儲(chǔ)器元件。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的權(quán)重單元，還包括到所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極的第一外部連接和到所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極的第二外部連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的權(quán)重單元，還包括到所述第一電阻式存儲(chǔ)器元件的引線的第三外部連接和到所述第二電阻式存儲(chǔ)器元件的引線的第四外部連接。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的權(quán)重單元，還包括到所述第一電阻式存儲(chǔ)器元件的引線的第一外部連接和到所述第二電阻式存儲(chǔ)器元件的引線的第二外部連接。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的權(quán)重單元，還包括到所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極的第三外部連接和到所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極的第四外部連接。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的權(quán)重單元，其中所述權(quán)重單元基于所述第一電阻式存儲(chǔ)器元件的電導(dǎo)和所述第二電阻式存儲(chǔ)器元件的電導(dǎo)來(lái)產(chǎn)生邏輯值。

13.一種電子裝置，包括：

權(quán)重單元陣列，每一權(quán)重單元包含：

第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管和第一電阻式存儲(chǔ)器元件，所述第一電阻式存儲(chǔ)器元件連接到所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極；以及

第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管和第二電阻式存儲(chǔ)器元件，所述第二電阻式存儲(chǔ)器元件連接到所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極，所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管的所述漏極連接到所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極，且所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的所述漏極連接到所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極；以及

處理器，配置成通過(guò)以下操作來(lái)用所述權(quán)重單元陣列進(jìn)行推斷：

根據(jù)對(duì)應(yīng)神經(jīng)元的邏輯值來(lái)設(shè)定對(duì)所述權(quán)重單元陣列中的一行權(quán)重單元的輸入；以及

讀取所述權(quán)重單元陣列中的一列權(quán)重單元的輸出。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電子裝置，其中所述處理器還配置成通過(guò)測(cè)量來(lái)自所讀取的所述輸出的總電流且將所述總電流除以輸出電流來(lái)進(jìn)行推斷。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電子裝置，其中所述第一電阻式存儲(chǔ)器元件和所述第二電阻式存儲(chǔ)器元件包括磁隧道結(jié)。

16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電子裝置，其中所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括n型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。