[發明專利]半導體存儲裝置及半導體存儲裝置的制造方法在審

申請號：	202010091259.7	申請日：	2020-02-13
公開（公告）號：	CN112310093A	公開（公告）日：	2021-02-02
發明（設計）人：	吉村尚彌;永嶋賢史	申請（專利權）人：	鎧俠股份有限公司
主分類號：	H01L27/11524	分類號：	H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11548;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11575;H01L27/11582
代理公司：	北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287	代理人：	張世俊
地址：	日本***	國省代碼：	暫無信息
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摘要：
搜索關鍵詞：	半導體存儲裝置制造方法
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【說明書】：

實施方式提供一種提高半導體存儲裝置所存儲的數據的可靠性的半導體存儲裝置及半導體存儲裝置的制造方法。實施方式的半導體存儲裝置具備第1導電體層、第1絕緣區域、及第1柱。第1柱包含對第1絕緣區域進行分割的第1部分、及具有在第1層內自第1部分向第1導電體層側各向同性地擴展的部分的第2部分。第1部分具有沿著第3方向延伸設置的第1半導體層、及設置在第1半導體層的側面的第1絕緣膜。第1柱包含有在第1方向上與第1部分對向的第1區域、及除第1區域以外的第2區域。第2部分具有與第1絕緣膜相接的第1導電膜、及設置在第1導電膜與第1導電體層之間的第2絕緣膜。第2區域內的第2絕緣膜的與第1至第3方向交叉的第4方向上的膜厚，大于第1區域內的第2絕緣膜的第2方向上的膜厚。

【相關申請案】

本申請案享有以日本專利申請案2019-143072號(申請日：2019年8月2日)作為基礎申請案的優先權。本申請案通過參照該基礎申請案而包含基礎申請案的全部內容。

技術領域

本發明的實施方式涉及一種半導體存儲裝置及半導體存儲裝置的制造方法。

背景技術

已知有一種能夠非易失地存儲數據的NAND(與非)型閃速存儲器。

發明內容

本發明所要解決的課題為，提供一種提高半導體存儲裝置所存儲的數據的可靠性的半導體存儲裝置及半導體存儲裝置的制造方法。

一實施方式的半導體存儲裝置具備第1導電體層、第1絕緣區域、及第1柱。第1柱包含對第1絕緣區域進行分割的第1部分、及具有在第1層內自第1部分向第1導電體層側各向同性地擴展的部分的第2部分。第1部分具有沿著第3方向延伸設置的第1半導體層、及設置在第1半導體層的側面的第1絕緣膜。第1柱包含有在第1方向上與第1部分對向的第1區域、及除第1區域以外的第2區域。第2部分具有與第1絕緣膜相接的第1導電膜、及設置在第1導電膜與第1導電體層之間的第2絕緣膜。第2區域內的第2絕緣膜的與第1至第3方向交叉的第4方向上的膜厚大于第1區域內的第2絕緣膜的第2方向上的膜厚。

附圖說明

圖1是表示第1實施方式的半導體存儲裝置的構成例的框圖。

圖2是表示第1實施方式的半導體存儲裝置所具備的存儲胞陣列的電路構成的一例的電路圖。

圖3是表示第1實施方式的半導體存儲裝置所具備的存儲胞陣列的平面布局的一例的俯視圖。

圖4是表示第1實施方式的半導體存儲裝置所具備的存儲胞陣列的截面構造的一例的沿著圖3的IV-IV線的截面圖。

圖5是表示第1實施方式的半導體存儲裝置所具備的存儲胞陣列的截面構造的一例的沿著圖3的V-V線的截面圖。

圖6是表示第1實施方式的半導體存儲裝置所具備的存儲器柱的截面構造的一例的截面圖。

圖7是表示第1實施方式的半導體存儲裝置所具備的存儲器柱的截面構造的一例的截面圖。

圖8是表示第1實施方式的半導體存儲裝置所具備的存儲器柱的截面構造的一例的截面圖。

圖9是表示第1實施方式的半導體存儲裝置的制造方法的一例的流程圖。

圖10是表示第1實施方式的半導體存儲裝置的制造過程中的截面構造的一例的存儲胞陣列的截面圖。

圖11是表示第1實施方式的半導體存儲裝置的制造過程中的截面構造的一例的存儲胞陣列的截面圖。