[發明專利]半導體存儲裝置及半導體存儲裝置的制造方法

在審

• 申請號: 202010091259.7
• 申請日: 2020-02-13
• 公開（公告）號: CN112310093A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發明（設計）人: 吉村尚彌;永嶋賢史
• 申請（專利權）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11548;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11575;H01L27/11582
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 張世俊

1.一種半導體存儲裝置，其具備：

第1導電體層，在第1層內，在第1方向上延伸設置；

第1絕緣區域，在所述第1層內在所述第1方向上延伸設置，且在與所述第1方向交叉的第2方向上與所述第1導電體層相鄰；及

第1柱，在與所述第1方向及所述第2方向的各者交叉的第3方向上延伸設置，對所述第1絕緣區域進行分割，且相接于所述第1導電體層而設置；

所述第1柱包含對所述第1絕緣區域進行分割的第1部分、及具有在所述第1層內自所述第1部分向所述第1導電體層側各向同性地擴展的部分的第2部分，

所述第1部分具有沿著所述第3方向延伸設置的第1半導體層、及設置在所述第1半導體層的側面的第1絕緣膜，

所述第1柱包含有在所述第1方向上與所述第1部分對向的第1區域、及除所述第1區域以外的第2區域，

所述第2部分具有與所述第1絕緣膜相接的第1導電膜、及設置在所述第1導電膜與所述第1導電體層之間的第2絕緣膜，所述第2區域內的所述第2絕緣膜的與所述第1至第3方向交叉的第4方向上的膜厚，大于所述第1區域內的所述第2絕緣膜的所述第2方向上的膜厚。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其進而具備與所述第1導電體層一起夾隔所述第1絕緣區域及所述第1柱的第2導電體層，

所述第1柱進而包含具有在所述第1層內自所述第1部分向所述第2導電體層側各向同性地擴展的部分的第3部分，

所述第1柱包含有在所述第1方向上與所述第1部分對向的第3區域、及除所述第3區域以外的第4區域，

所述第3部分具有與所述第1絕緣膜相接的第2導電膜、及設置在所述第2導電膜與所述第2導電體層之間的第3絕緣膜，所述第4區域內的所述第3絕緣膜的所述第4方向上的膜厚，大于所述第3區域內的所述第3絕緣膜的所述第2方向上的膜厚。

3.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其進而具備第2導電體層，該第2導電體層在與所述第1層在所述第3方向上分開的第2層內在所述第1方向上延伸，且設置在所述第1導電體層上方，

所述第1柱進而包含相接于所述第2導電體層而設置，且具有在所述第2層內自所述第1部分向所述第2導電體層側各向同性地擴展的部分的第3部分，

所述第3部分具有與所述第1絕緣膜相接的第2導電膜、及設置在所述第2導電膜與所述第2導電體層之間的第3絕緣膜，所述第2區域內的所述第3絕緣膜的所述第4方向上的膜厚，大于所述第1區域內的所述第3絕緣膜的所述第2方向上的膜厚，

所述第1柱內的所述第1導電膜與所述第2導電膜之間相互分開。

4.根據權利要求2所述的半導體存儲裝置，其進而具備：

第3導電體層，在與所述第1層于所述第3方向上分開的第2層內在所述第1方向上延伸，且設置在所述第1導電體層上方；及

第4導電體層，在所述第2層內于所述第1方向上延伸，設置在所述第2導電體層上方，且于所述第2方向上與所述第3導電體層相鄰；且

所述第1柱進而包含：第4部分，設置在所述第3導電體層與所述第4導電體層之間，具有在所述第2層內自所述第1部分向所述第3導電體層側各向同性地擴展的部分；及第5部分，具有在所述第2層內自所述第1部分向所述第4導電體層側各向同性地擴展的部分；

所述第4部分具有與所述第1絕緣膜相接的第3導電膜、及設置在所述第3導電膜與所述第3導電體層之間的第4絕緣膜，所述第2區域內的所述第4絕緣膜的所述第4方向上的膜厚，大于所述第1區域內的所述第4絕緣膜的所述第2方向上的膜厚，

所述第5部分具有與所述第1絕緣膜相接的第4導電膜、及設置在所述第4導電膜與所述第4導電體層之間的第5絕緣膜，所述第4區域內的所述第5絕緣膜的所述第4方向上的膜厚，大于所述第3區域內的所述第5絕緣膜的所述第2方向上的膜厚，

所述第1柱內的所述第1導電膜、所述第2導電膜、所述第3導電膜及所述第4導電膜之間相互分開。