[發明專利]半導體存儲裝置

有效

• 申請號: 202010091048.3
• 申請日: 2020-02-13
• 公開（公告）號: CN112242401B
• 公開（公告）日: 2023-10-27
• 發明（設計）人: 吉村尚彌;中塚圭祐
• 申請（專利權）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: H10B43/10
• 分類號: H10B43/10;H10B43/35;H10B43/50;H10B43/27;G11C16/04
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 張世俊

1.一種半導體存儲裝置，具備：

襯底；

第1導電體層，設置于所述襯底的上方；

第2導電體層，設置于所述第1導電體層的上方；

第3導電體層及第4導電體層，設置于所述第2導電體層的上方，且彼此在第1方向上分離；

第5導電體層，設置于所述第2導電體層的上方且與所述第3導電體層相同的層，并且與所述第3導電體層分離；

第6導電體層，設置于所述第2導電體層的上方且與所述第4導電體層相同的層，并且與所述第4導電體層分離；

多個第1絕緣區域，沿著與所述第1方向交叉的第2方向設置在所述第3導電體層與所述第5導電體層之間、且所述第4導電體層與所述第6導電體層之間；

第1柱，沿著所述第1方向貫通所述第2導電體層且設置于所述多個第1絕緣區域間，并且包含與所述第1導電體層接觸的第1半導體層、及設置于所述第1半導體層與所述第2至第6導電體層之間的第1絕緣體層；

第7導電體層，設置于所述第1導電體層的上方且與所述第2導電體層相同的層，并且與所述第2導電體層分離；

第8導電體層及第9導電體層，設置于所述第7導電體層的上方，且彼此在所述第1方向上分離；

第10導電體層，設置于所述第7導電體層的上方且與所述第8導電體層相同的層，并且與所述第8導電體層分離；

第11導電體層，設置于所述第7導電體層的上方且與所述第9導電體層相同的層，并且與所述第9導電體層分離；

多個第2絕緣區域，沿著所述第2方向設置在所述第8導電體層與所述第10導電體層之間、且所述第9導電體層與所述第11導電體層之間；

第2柱，沿著所述第1方向貫通所述第7導電體層且設置于所述多個第2絕緣區域間，并且包含與所述第1導電體層接觸的第2半導體層、及設置于所述第2半導體層與所述第7至第11導電體層之間的第2絕緣體層；

第3絕緣區域，沿著所述第2方向設置在所述第3至第6導電體層與所述第8至第11導電體層之間；以及

第4絕緣區域，設置于所述第2導電體層與所述第7導電體層之間，且在俯視下與所述第3絕緣區域分離。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其中

所述第4絕緣區域在俯視下設置于所述第1柱與所述第2柱之間。

3.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其中

所述第1柱及所述第2柱分別與所述第4絕緣區域分離。

4.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其中

所述第4導電體層與所述第8導電體層介隔所述第3絕緣區域在與所述第1方向及所述第2方向分別交叉的第3方向上相鄰，

所述第5導電體層與所述第9導電體層介隔所述第3絕緣區域在所述第3方向上相鄰。

5.根據權利要求4所述的半導體存儲裝置，其還具備第3柱，

所述第3柱貫通所述第2導電體層及所述第7導電體層中的任一個且沿著所述第1方向延伸而設置，并且包含所述第3至第6導電體層與所述第8至第11導電體層之間的第3絕緣體層。

6.根據權利要求5所述的半導體存儲裝置，其中

所述第3柱在所述第2方向上將所述第3絕緣區域分斷，

所述第3絕緣體層與所述第4導電體層、所述第5導電體層、所述第8導電體層及所述第9導電體層分別接觸。

7.根據權利要求5所述的半導體存儲裝置，其中

所述第4絕緣區域在俯視下與所述第3絕緣區域在所述第3方向上分離。

8.根據權利要求5所述的半導體存儲裝置，其中

所述第4絕緣區域具有在俯視下沿著所述第3柱的側面設置的部分。

9.根據權利要求5所述的半導體存儲裝置，其中

所述第3絕緣區域在俯視下與所述第2導電體層及所述第7導電體層中的任一個重疊。