[發(fā)明專利]用于形成集成電路的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010091028.6
• 申請日: 2020-02-13
• 公開（公告）號: CN111863813A
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金柄徹;R·J·希爾;J·A·斯邁思;G·S·桑胡
• 申請（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

本申請涉及一種用于形成集成電路的方法，所述方法包括形成襯底，所述襯底包括導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)線結(jié)構(gòu)包括相對的縱向側(cè)，所述相對的縱向側(cè)分別地包括橫向地在絕緣體材料之間的犧牲材料。所述犧牲材料包括金屬氧化物。所述犧牲材料中的至少一些被移除以形成在所述導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的所述相對的縱向側(cè)上橫向地在所述絕緣體材料之間的向上開口的空隙空間。所述空隙空間覆蓋有絕緣材料以在所述導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的所述相對的縱向側(cè)上在所述絕緣材料下方留下密封的空隙空間。公開了其它實施例。

技術(shù)領(lǐng)域

本文中所公開的實施例涉及用于形成集成電路的方法，所述集成電路例如存儲器電路。

背景技術(shù)

存儲器是一種類型的集成電路且在計算機系統(tǒng)中用于存儲數(shù)據(jù)。存儲器可被制造在個體存儲器單元的一或多個陣列中。可使用數(shù)字線(其也可被稱作位線、數(shù)據(jù)線或感測線)和存取線(其也可被稱作字線)對存儲器單元進行寫入或從存儲器單元進行讀取。數(shù)字線可使存儲器單元沿著陣列的列以導(dǎo)電方式互連，并且存取線可使存儲器單元沿著陣列的行以導(dǎo)電方式互連。可通過數(shù)字線和存取線的組合對每個存儲器單元進行唯一地尋址。

存儲器單元可以是易失性的、半易失性的或非易失性的。非易失性存儲器單元可在不通電的情況下將數(shù)據(jù)存儲很長一段時間。非易失性存儲器通常被指定為具有至少約10年的保留時間的存儲器。易失性存儲器是耗散的，并且因此經(jīng)刷新/重寫以維持數(shù)據(jù)存儲。易失性存儲器可具有數(shù)毫秒或更短的保留時間。無論如何，存儲器單元經(jīng)配置以至少兩個不同可選狀態(tài)保持或存儲存儲器。在二進制系統(tǒng)中，所述狀態(tài)被視作“0”或“1”。在其它系統(tǒng)中，至少一些個體存儲器單元可經(jīng)配置以存儲兩個以上水平或狀態(tài)的信息。

電容器是可用于存儲器單元中的一種類型的電子組件。電容器具有由電絕緣材料分離的兩個電導(dǎo)體。能量如電場可以靜電方式存儲在此類材料內(nèi)。取決于絕緣體材料的組成，所述存儲的場將是易失性的或非易失性的。舉例來說，僅包含SiO₂的電容器絕緣體材料將是易失性的。一種類型的非易失性電容器是鐵電電容器，所述鐵電電容器具有鐵電材料作為絕緣材料的至少部分。鐵電材料的特征在于具有兩個穩(wěn)定極化狀態(tài)且由此可包括電容器和/或存儲器單元的可編程材料。鐵電材料的極化狀態(tài)可通過施加合適的編程電壓來改變，且在移除編程電壓之后保持(至少持續(xù)一定時間)。每個極化狀態(tài)具有彼此不同的電荷存儲電容，所述電荷存儲電容理想地可用于對存儲器狀態(tài)寫入(即，存儲)和讀取而不逆轉(zhuǎn)極化狀態(tài)直到期望進行此逆轉(zhuǎn)為止。不太期望地，在具有鐵電電容器的某一存儲器中，讀取存儲器狀態(tài)的行為可以逆轉(zhuǎn)極化。因此，在確定極化狀態(tài)后，對存儲器單元進行重新寫入以緊接在確定極化狀態(tài)之后將存儲器單元置于預(yù)讀取狀態(tài)中。無論如何，由于形成電容器的一部分的鐵電材料的雙穩(wěn)態(tài)特性，因此并入有鐵電電容器的存儲器單元理想地是非易失性的。其它可編程材料可被用作電容器絕緣體以使電容器為非易失性的。

當然電容器和晶體管可以在除存儲器電路之外的集成電路中使用。無論如何，導(dǎo)電通孔是用于將上部電容器和下部電容器、晶體管以及其它集成電路組件電連接在一起的豎向地延伸的(例如，垂直的)導(dǎo)體。此類導(dǎo)電通孔可以在陣列中經(jīng)圖案化。當導(dǎo)電通孔越來越接近鄰近電路組件時，不期望的寄生電容增大并且可以不利地影響電路操作。

發(fā)明內(nèi)容

本申請的一個方面涉及一種用于形成集成電路的方法，所述方法包括：形成襯底，所述襯底包括導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)線結(jié)構(gòu)包括相對的縱向側(cè)，所述相對的縱向側(cè)分別地包括橫向地在絕緣體材料之間的犧牲材料，所述犧牲材料包括金屬氧化物；移除所述犧牲材料中的至少一些以形成在所述導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的所述相對的縱向側(cè)上橫向地在所述絕緣體材料之間的向上開口的空隙空間；以及用絕緣材料覆蓋所述空隙空間以在所述導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的所述相對的縱向側(cè)上在所述絕緣材料下方留下密封的空隙空間。