[發明專利]用于形成集成電路的方法

在審

• 申請號: 202010091028.6
• 申請日: 2020-02-13
• 公開（公告）號: CN111863813A
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發明（設計）人: 金柄徹;R·J·希爾;J·A·斯邁思;G·S·桑胡
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種用于形成集成電路的方法，其包括：

形成襯底，所述襯底包括導線結構，所述導線結構包括相對的縱向側，所述相對的縱向側分別地包括橫向地在絕緣體材料之間的犧牲材料，所述犧牲材料包括金屬氧化物；

移除所述犧牲材料中的至少一些以形成在所述導線結構的所述相對的縱向側上橫向地在所述絕緣體材料之間的向上開口的空隙空間；以及

用絕緣材料覆蓋所述空隙空間以在所述導線結構的所述相對的縱向側上在所述絕緣材料下方留下密封的空隙空間。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述金屬氧化物的所述金屬包括Sn、Ga、Ge、Se、In、Te、Bi、V、Sr、Nb、Ta、Mg、P、W、La和Ba中的至少一個。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述金屬氧化物的所述金屬包括Sn、Ga、Ge、Se、In、Te、Bi、V、Sr、Nb、Ta、Mg、P、W、La和Ba中的至少兩個。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述犧牲材料基本上由所述金屬氧化物組成。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述犧牲材料由所述金屬氧化物組成。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述絕緣體材料在所述犧牲材料的兩側上是相同組成的。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述犧牲材料是導電的。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述移除是移除橫向地在所述絕緣體之間的所有的所述犧牲材料。

9.一種用于形成集成電路的方法，其包括：

形成襯底，所述襯底包括導線結構，所述導線結構分別地包括相對的縱向側，所述相對的縱向側分別地包括橫向地在絕緣體材料之間的犧牲材料，所述犧牲材料包括金屬氧化物；

形成橫向地在所述導線結構之間并且沿著所述導線結構縱向地間隔開的導電通孔；

在所述導電通孔正上方且直接抵靠所述導電通孔并且在所述導線結構正上方形成導電材料；

蝕刻穿過所述導電材料到所述導線結構以暴露所述犧牲材料；

移除所述犧牲材料中的至少一些以形成在所述導線結構的個體的所述相對的縱向側上橫向地在所述絕緣體材料之間的向上開口的空隙空間；以及

用絕緣材料覆蓋所述空隙空間以在所述個體導線結構的所述相對的縱向側上在所述絕緣材料下方留下密封的空隙空間。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述集成電路包括存儲器電路，并且所述導線結構是所述存儲器電路的數字線結構。

11.根據權利要求9所述的方法，其中所述蝕刻形成分別地直接電耦合到所述導電通孔的個體的所述導電材料的島狀物。

12.根據權利要求11所述的方法，其包括形成分別地直接電耦合到所述島狀物的個體的多個存儲元件。

13.根據權利要求9所述的方法，其中所述移除是移除橫向地在所述絕緣體材料之間的所有的所述犧牲材料。

14.根據權利要求9所述的方法，其中所述蝕刻到所述導線結構中。

15.根據權利要求14所述的方法，其中所述蝕刻到所述導線結構的最上部部分中。

16.根據權利要求14所述的方法，其中所述蝕刻到所述導線結構的所述絕緣體材料中。

17.根據權利要求14所述的方法，其中所述蝕刻到所述導線結構的所述犧牲材料中。