[發(fā)明專利]在影像傳感器晶片上制作濾光片的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010090144.6 | 申請日: | 2020-02-13 |
| 公開(公告)號: | CN111261650A | 公開(公告)日: | 2020-06-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 范成至;周正三 | 申請(專利權(quán))人: | 神盾股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 32200 | 代理人: | 樓高潮 |
| 地址: | 中國臺灣臺北*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 影像 傳感器 晶片 制作 濾光 方法 | ||
本發(fā)明提供一種在影像傳感器晶片上制作濾光片的方法,包括:提供一影像傳感器晶片,其中影像傳感器晶片包括多個感測區(qū)及這些感測區(qū)之間與周圍的非感測區(qū);在非感測區(qū)上形成圖案化犧牲層;整面形成一濾光層,而使濾光層的一第一部分覆蓋圖案化犧牲層,且使濾光層的一第二部分覆蓋這些感測區(qū);以及移除圖案化犧牲層。當(dāng)圖案化犧牲層被移除時,第一部分也一并被移除,而留下來的第二部分則形成分別位于這些感測區(qū)上的多個濾光片。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種光學(xué)組件的制作方法,且特別是涉及一種在影像傳感器晶片上制作濾光片的方法。
背景技術(shù)
隨著光電技術(shù)的進步,影像傳感器已被廣泛地應(yīng)用,并取代傳統(tǒng)的感光底片。影像傳感器可應(yīng)用于一般拍攝照片的場合,也可應(yīng)用于拍攝用戶的生物特征(如指紋、掌紋、瞳孔或靜脈紋等),進而作為身分辨識的用途。
為了解決影像傳感器在室外太陽光下使用容易有過曝的情形,一般會在影像傳感器的模塊上外加一片紅外光截止濾光片(infrared cut-off filter)來阻絕紅外光,以避免過曝。然而,在模塊上外加紅外光截止濾光片容易使模塊的厚度過厚,而不利于目前電子裝置小型化的發(fā)展。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是針對一種在影像傳感器晶片(wafer)上制作濾光片的方法,利用此種方法可以制作出厚度較薄的影像感測模塊,且可以有效解決將濾光片工藝(process)整合至晶片工藝時所產(chǎn)生的應(yīng)力問題。
本發(fā)明的實施例提出一種在影像傳感器晶片上制作濾光片的方法,包括:提供一影像傳感器晶片,其中影像傳感器晶片包括多個感測區(qū)及這些感測區(qū)之間與周圍的非感測區(qū);在非感測區(qū)上形成圖案化犧牲層;整面形成一濾光層,而使濾光層的一第一部分覆蓋圖案化犧牲層,且使濾光層的一第二部分覆蓋這些感測區(qū);以及移除圖案化犧牲層。當(dāng)圖案化犧牲層被移除時,第一部分也一并被移除,而留下來的第二部分則形成分別位于這些感測區(qū)上的多個濾光片。
在本發(fā)明實施例在影像傳感器晶片上制作濾光片的方法中,由于采用預(yù)先形成圖案化犧牲層的方法來圖案化濾光層,因此當(dāng)濾光層整面形成于影像傳感器晶片上時,圖案化犧牲層所產(chǎn)生的高度差使得濾光層會有斷開而不連續(xù)的部分,進而降低形成濾光層時在晶片上所產(chǎn)生的應(yīng)力。如此一來,便能夠?qū)V光片工藝整合至晶片工藝中,且不會有應(yīng)力問題的產(chǎn)生。因此,利用本發(fā)明的實施例的在影像傳感器晶片上制作濾光片的方法可以有效降低后端所制作而成的影像感測模塊的厚度,且可解決將濾光片工藝整合至晶片工藝時所產(chǎn)生的應(yīng)力問題,有效提升影像傳感器的良率。
附圖說明
包含附圖以便進一步理解本發(fā)明,且附圖并入本說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分。附圖說明本發(fā)明的實施例,并與描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。
圖1至圖5為繪示本發(fā)明的一實施例的在影像傳感器晶片上制作濾光片的方法的流程的剖面示意圖。
附圖標(biāo)號說明
100:影像傳感器晶片;
110:感測區(qū);
120:非感測區(qū);
122:導(dǎo)電接墊;
200:圖案化犧牲層;
210:光刻膠層;
212、214:部分;
300:濾光層;
310:第一部分;
320:第二部分。
具體實施方式
現(xiàn)將詳細地參考本發(fā)明的示范性實施例,示范性實施例的實例說明于附圖中。只要有可能,相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





