[發明專利]在影像傳感器晶片上制作濾光片的方法在審
| 申請號： | 202010090144.6 | 申請日： | 2020-02-13 |
| 公開（公告）號： | CN111261650A | 公開（公告）日： | 2020-06-09 |
| 發明（設計）人： | 范成至;周正三 | 申請（專利權）人： | 神盾股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 南京經緯專利商標代理有限公司 32200 | 代理人： | 樓高潮 |
| 地址： | 中國臺灣臺北*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 影像 傳感器 晶片 制作 濾光 方法 | ||
1.一種在影像傳感器晶片上制作濾光片的方法，其特征在于，包括：
提供影像傳感器晶片，其中所述影像傳感器晶片包括多個感測區及所述多個感測區之間與周圍的非感測區；
在所述非感測區上形成圖案化犧牲層；
整面形成濾光層，而使所述濾光層的第一部分覆蓋所述圖案化犧牲層，且使所述濾光層的第二部分覆蓋所述多個感測區；以及
移除所述圖案化犧牲層，其中當所述圖案化犧牲層被移除時，所述第一部分也一并被移除，而留下來的所述第二部分則形成分別位于所述多個感測區上的多個濾光片。
2.根據權利要求1所述的在影像傳感器晶片上制作濾光片的方法，其特征在于，在所述非感測區上形成所述圖案化犧牲層的步驟包括：
在所述影像傳感器晶片上整面形成光刻膠層；
對所述光刻膠層進行圖案化曝光；以及
對圖案化曝光后的所述光刻膠層進行顯影，以使所述光刻膠層在所述非感測區上的部分留下來，以形成所述圖案化犧牲層。
3.根據權利要求2所述的在影像傳感器晶片上制作濾光片的方法，其特征在于，移除所述圖案化犧牲層的步驟包括利用溶劑洗去所述圖案化犧牲層。
4.根據權利要求2所述的在影像傳感器晶片上制作濾光片的方法，其特征在于，在所述影像傳感器晶片上整面形成所述光刻膠層的步驟包括將所述光刻膠層旋轉涂布于所述影像傳感器晶片上。
5.根據權利要求1所述的在影像傳感器晶片上制作濾光片的方法，其特征在于，所述濾光層為多層膜。
6.根據權利要求1所述的在影像傳感器晶片上制作濾光片的方法，其特征在于，所述多個濾光片為紅外光截止濾光片。
7.根據權利要求1所述的在影像傳感器晶片上制作濾光片的方法，其特征在于，整面形成所述濾光層的步驟包括將所述濾光層濺鍍于所述圖案化犧牲層與所述多個感測區上。
8.根據權利要求1所述的在影像傳感器晶片上制作濾光片的方法，其特征在于，所述非感測區中包括多個導電接墊。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
