[發明專利]層疊陶瓷電容器及其制造方法

有效

• 申請號: 202010090132.3
• 申請日: 2020-02-13
• 公開（公告）號: CN111564311B
• 公開（公告）日: 2023-02-28
• 發明（設計）人: 加藤洋一
• 申請（專利權）人: 太陽誘電株式會社
• 主分類號: H01G4/12
• 分類號: H01G4/12;H01G4/30
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;池兵

本發明提供能夠確保高耐久性、并且實現小型化和大電容化的層疊陶瓷電容器及其制造方法。層疊陶瓷電容器包括電容形成部和保護部。電容形成部包括：在第一方向上層疊的多個陶瓷層；和配置在多個陶瓷層之間的多個內部電極。保護部包括覆蓋部、側邊緣部和棱部，其中，覆蓋部覆蓋電容形成部、且構成朝向第一方向的主面，側邊緣部構成朝向與第一方向正交的第二方向的側面，棱部構成用于連接主面和側面的連接部。多個陶瓷層由第一陶瓷形成，棱部由第二陶瓷形成。第一陶瓷為以不包含晶內孔隙的結晶顆粒為主成分的多晶體。第二陶瓷為以包含晶內孔隙的結晶顆粒為主成分的多晶體，并且第二陶瓷的硅的含量比第一陶瓷多。

技術領域

本發明涉及層疊陶瓷電容器及其制造方法。

背景技術

層疊陶瓷電容器中設置有用于保護內部電極的周圍的保護部。為了層疊陶瓷電容器的小型化和大電容化，使對電容的形成沒有貢獻的保護部盡可能變薄是有利的。專利文獻1中公開了能夠使保護部變薄的技術。

在專利文獻1公開的技術中，制作內部電極露出在側面的層疊體，在該層疊體的側面設置保護部(側邊部)。在該層疊陶瓷電容器中，即使通過使側邊部變薄以實現小型化和大電容化，也能夠利用側邊部恰當地保護內部電極露出的層疊體的側面。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2015-029123號公報

發明內容

發明要解決的技術問題

但是，在層疊陶瓷電容器中，越使保護部變薄，越容易發生由在保護部產生的裂紋到達內部電極導致的絕緣不良。因此，在層疊陶瓷電容器中，要求能夠確保高耐久性、并且實現小型化和大電容化的技術。

鑒于如上所述的情況，本發明的目的在于，提供能夠確保高耐久性、并且實現小型化和大電容化的層疊陶瓷電容器及其制造方法。

用于解決技術問題的手段

為了達成上述目的，本發明的一個方式的層疊陶瓷電容器包括電容形成部和保護部。

上述電容形成部包括：在第一方向上層疊的多個陶瓷層；和配置在上述多個陶瓷層之間的多個內部電極。

上述保護部包括覆蓋部、側邊緣部和棱部，其中，上述覆蓋部覆蓋上述電容形成部、且構成朝向上述第一方向的主面，上述側邊緣部構成朝向與上述第一方向正交的第二方向的側面，上述棱部構成用于連接上述主面和上述側面的連接部。

上述多個陶瓷層由第一陶瓷形成，上述棱部由第二陶瓷形成。

上述第一陶瓷為以不包含晶內孔隙的結晶顆粒為主成分的多晶體。

上述第二陶瓷為以包含晶內孔隙的結晶顆粒為主成分的多晶體，并且上述第二陶瓷的硅的含量比上述第一陶瓷多。

可以是，上述第二陶瓷的硅的含量為0.5mol％以上。

在該層疊陶瓷電容器中，設置有不同構成的第一陶瓷和第二陶瓷。第一陶瓷與第二陶瓷不同，不包含成為電容降低的原因的晶內孔隙和過量的硅。因此，通過至少多個陶瓷層由第一陶瓷形成，能夠確保層疊陶瓷電容器的電容。

第二陶瓷能夠利用包含晶內孔隙和過量的硅的結構，抑制裂紋的發展。因此，通過由第二陶瓷形成保護部中特別容易受到來自外部的沖擊的棱部，能夠抑制由在保護部產生的裂紋到達電容形成部導致的絕緣不良。

更詳細而言，在含有過量的硅的第二陶瓷中，硅在晶界偏析，從而能夠提高結晶顆粒間的晶界處的機械強度。因此，在第二陶瓷中，難以產生在一般的多晶體中容易發生的沿著結晶晶界的裂紋的發展。