[發明專利]層疊陶瓷電容器及其制造方法

有效

• 申請號: 202010090132.3
• 申請日: 2020-02-13
• 公開（公告）號: CN111564311B
• 公開（公告）日: 2023-02-28
• 發明（設計）人: 加藤洋一
• 申請（專利權）人: 太陽誘電株式會社
• 主分類號: H01G4/12
• 分類號: H01G4/12;H01G4/30
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;池兵

1.一種層疊陶瓷電容器，其特征在于，包括：

電容形成部，其包括在第一方向上層疊的多個陶瓷層、和配置在所述多個陶瓷層之間的多個內部電極；和

保護部，其包括覆蓋部、側邊緣部和棱部，其中，所述覆蓋部覆蓋所述電容形成部、且構成朝向所述第一方向的主面，所述側邊緣部構成朝向與所述第一方向正交的第二方向的側面，所述棱部構成用于連接所述主面和所述側面的連接部，

所述多個陶瓷層由第一陶瓷形成，所述棱部由第二陶瓷形成，

所述第一陶瓷為以不包含晶內孔隙的結晶顆粒為主成分的多晶體，

所述第二陶瓷為以包含晶內孔隙的結晶顆粒為主成分的多晶體，并且所述第二陶瓷的硅的含量比所述第一陶瓷多。

2.如權利要求1所述的層疊陶瓷電容器，其特征在于：

所述第二陶瓷的硅的含量為0.5mol％以上。

3.如權利要求1或2所述的層疊陶瓷電容器，其特征在于：

所述側邊緣部由所述第二陶瓷形成。

4.如權利要求3所述的層疊陶瓷電容器，其特征在于：

所述側邊緣部的所述第二方向的尺寸為30μm以下。

5.如權利要求3所述的層疊陶瓷電容器，其特征在于：

所述保護部整體由所述第二陶瓷形成。

6.如權利要求1或2所述的層疊陶瓷電容器，其特征在于：

所述覆蓋部由所述第二陶瓷形成。

7.如權利要求1或2所述的層疊陶瓷電容器，其特征在于：

所述第一陶瓷和所述第二陶瓷均為含有鋇和鈦的鈣鈦礦結構的多晶體。

8.一種層疊陶瓷電容器的制造方法，其特征在于，包括：

準備第一粉末的步驟，所述第一粉末以不包含晶內孔隙的陶瓷顆粒為主成分；

準備第二粉末的步驟，所述第二粉末具有軸比c/a為1.008以下的鈣鈦礦結構，以包含晶內孔隙的陶瓷顆粒為主成分；

制作未燒制的層疊體的步驟，其中，所述未燒制的層疊體包括電容形成部和覆蓋部，所述電容形成部包括在第一方向上層疊的以所述第一粉末為主成分的多個陶瓷層、和配置在所述多個陶瓷層之間的多個內部電極，所述覆蓋部從所述第一方向覆蓋所述電容形成部；

制作未燒制的陶瓷主體的步驟，其中，在朝向與所述第一方向正交的第二方向的所述層疊體的側面，形成以所述第二粉末為主成分、且硅的含量比所述多個陶瓷層多的側邊緣部，來制作未燒制的陶瓷主體；和

對所述陶瓷主體進行燒制的步驟。

9.如權利要求8所述的層疊陶瓷電容器的制造方法，其特征在于：

通過在所述側面粘貼陶瓷片來形成所述側邊緣部。

10.一種層疊陶瓷電容器的制造方法，其特征在于，包括：

準備第一粉末的步驟，所述第一粉末以不包含晶內孔隙的陶瓷顆粒為主成分；

準備第二粉末的步驟，所述第二粉末具有軸比c/a為1.008以下的鈣鈦礦結構，以包含晶內孔隙的陶瓷顆粒為主成分；

制作未燒制的陶瓷主體的步驟，其中，所述陶瓷主體包括層疊部和覆蓋部，所述層疊部包括在第一方向上層疊的以所述第一粉末為主成分的多個陶瓷層、配置在所述多個陶瓷層之間的多個內部電極、和從與所述第一方向正交的第二方向覆蓋所述多個內部電極的側邊緣部，所述覆蓋部從所述第一方向覆蓋所述層疊部，以所述第二粉末為主成分，且硅的含量比所述多個陶瓷層多；和

對所述陶瓷主體進行燒制的步驟。

11.如權利要求8～10中任一項所述的層疊陶瓷電容器的制造方法，其特征在于：

所述第二粉末是用水熱法制作的。

12.如權利要求8～10中任一項所述的層疊陶瓷電容器的制造方法，其特征在于：

所述第二粉末的平均粒徑為5nm以上500nm以下。

13.如權利要求8～10中任一項所述的層疊陶瓷電容器的制造方法，其特征在于：

所述第一粉末是用固相法制作的。