[發明專利]基板處理裝置、半導體裝置的制造方法以及存儲介質

在審

• 申請號: 202010088914.3
• 申請日: 2020-02-12
• 公開（公告）號: CN111564388A
• 公開（公告）日: 2020-08-21
• 發明（設計）人: 奧田和幸;櫻井修三;井之口泰啟;南政克
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;C23C16/34;C23C16/455;C23C16/52
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 金成哲;鄭毅

本發明提供一種基板處理裝置、半導體裝置的制造方法以及存儲介質，能夠提高基板上所形成的膜的基板面內膜厚分布的控制性。基板處理裝置的氣體供給系統具備：將第一處理氣體暫時性地貯留的第一貯留部、將第一處理氣體暫時性地貯留的第二貯留部、使第一貯留部內貯留的第一處理氣體從基板的外周向朝向基板的中心的方向供給的第一氣體供給口、以及構成為將第二貯留部內貯留的第一處理氣體從基板的外周向比從基板的外周向朝向基板的中心的方向靠基板的外周側的方向供給的第二氣體供給口。

技術領域

本公開涉及基板處理裝置、半導體裝置的制造方法以及存儲介質。

背景技術

作為半導體裝置的制造工序的一工序，有時進行在基板上形成膜的工序。

發明內容

發明所要解決的課題

本公開的目的在于，提供一種能夠提高基板上所形成的膜的基板面內膜厚分布的控制性的技術。

用于解決課題的方案

根據本公開的一方案，提供如下的技術，其具備：

處理室，其容納基板；

第一氣體供給系統，其向所述處理室內供給含有預定元素的第一處理氣體；

第二氣體供給系統，其向所述處理室內供給化學結構與所述第一處理氣體不同的第二處理氣體；

排氣系統，其對所述處理室內進行排氣；以及

控制部，其構成為以非同時地執行預定次數第一處理和第二處理而在所述基板上形成含有所述預定元素的膜的方式對所述第一氣體供給系統、所述第二氣體供給系統、所述排氣系統進行控制，其中，該第一處理是向所述處理室內的基板供給所述第一處理氣體，該第二處理是向所述處理室內的所述基板供給所述第二處理氣體，

所述第一氣體供給系統具備：

第一貯留部，其在每次進行所述第一處理時暫時性地貯留所述第一處理氣體；

第二貯留部，其在每次進行所述第一處理時暫時性地貯留所述第一處理氣體；

第一氣體供給口，其構成為從所述基板的外周向所述基板的中心供給所述第一貯留部內貯留的所述第一處理氣體；以及

第二氣體供給口，其構成為從所述基板的外周向比從所述基板的外周朝向所述基板的中心的方向靠所述基板的外周側供給所述第二貯留部內貯留的所述第一處理氣體。

發明的效果

根據本公開，能夠提高基板上所形成的膜的基板面內膜厚分布的控制性。

附圖說明

圖1是本公開一方案所適用的基板處理裝置的立式處理爐的概要結構圖并以縱剖面圖示出了處理爐部分。

圖2是本公開一方案所適用的基板處理裝置的立式處理爐的概要結構圖并以沿著圖1的A-A線的剖面圖示出了處理爐部分。

圖3是本公開的一方案所適用的基板處理裝置的控制器的概要結構圖并以框圖示出了控制器的控制系統。

圖4示出了本公開一方案中的成膜時序。

圖5的(a)及(b)分別示出了基板上所形成的膜的基板面內膜厚分布的測定結果。

圖6示出了基板上所形成的膜的基板面內膜厚分布的測定結果。

圖中：

200—晶圓(基板)；201—處理室；280—控制器(控制部)；301—原料氣體供給系統；302—氮化氣體供給系統。

具體實施方式

＜本公開的一方案＞