[發明專利]基板處理裝置、半導體裝置的制造方法以及存儲介質

在審

• 申請號: 202010088914.3
• 申請日: 2020-02-12
• 公開（公告）號: CN111564388A
• 公開（公告）日: 2020-08-21
• 發明（設計）人: 奧田和幸;櫻井修三;井之口泰啟;南政克
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;C23C16/34;C23C16/455;C23C16/52
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 金成哲;鄭毅

1.一種基板處理裝置，其特征在于，具備：

處理室，其容納基板；

第一氣體供給系統，其向所述處理室內供給含有預定元素的第一處理氣體；

第二氣體供給系統，其向所述處理室內供給化學結構與所述第一處理氣體不同的第二處理氣體；

排氣系統，其對所述處理室內進行排氣；以及

控制部，其構成為以非同時地執行預定次數第一處理和第二處理而在所述基板上形成含有所述預定元素的膜的方式對所述第一氣體供給系統、所述第二氣體供給系統、所述排氣系統進行控制，其中，該第一處理是向所述處理室內的基板供給所述第一處理氣體，該第二處理是向所述處理室內的所述基板供給所述第二處理氣體，

所述第一氣體供給系統具備：

第一貯留部，其在每次進行所述第一處理時暫時性地貯留所述第一處理氣體；

第二貯留部，其在每次進行所述第一處理時暫時性地貯留所述第一處理氣體；

第一氣體供給口，其構成為從所述基板的外周向所述基板的中心供給所述第一貯留部內貯留的所述第一處理氣體；以及

第二氣體供給口，其構成為從所述基板的外周向比從所述基板的外周朝向所述基板的中心的方向靠所述基板的外周側供給所述第二貯留部內貯留的所述第一處理氣體。

2.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述第二氣體供給口構成為向從所述第二氣體供給口朝向所述基板的中心的方向和從所述第二氣體供給口朝向所述基板的外周的方向之間的預定的方向供給所述第二貯留部內貯留的所述第一處理氣體。

3.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述第一氣體供給口和所述第二氣體供給口在所述基板的外周方向上設置于彼此相鄰的位置。

4.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述第二氣體供給口構成為相對于從所述第二氣體供給口朝向所述基板的中心的方向，朝向所述基板的外周側且向24°以上且30°以下的范圍內的預定角度的方向供給所述第二貯留部內貯留的所述第一處理氣體。

5.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述第二氣體供給口構成為朝向比與從所述第一氣體供給口供給所述第一處理氣體的方向平行的方向靠所述基板的外周側的方向供給所述第二貯留部內貯留的所述第一處理氣體。

6.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述控制部構成為按以下方式對所述第一氣體供給系統和所述排氣系統進行控制，即：

在所述第一處理中，在對所述處理室內進行排氣之后，在使所述排氣系統封閉的狀態下，將所述第一貯留部內貯留的所述第一處理氣體以及所述第二貯留部內貯留的所述第一處理氣體分別向所述處理室內供給。

7.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述控制部構成為以對所述第一貯留部內貯留的所述第一處理氣體的量和所述第二貯留部內貯留的所述第一處理氣體的量分別獨立地進行調整的方式控制所述第一氣體供給系統。

8.根據權利要求7所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述控制部構成為以所述第一貯留部內貯留的所述第一處理氣體的量與所述第二貯留部內貯留的所述第一處理氣體的量的比率成為預定比率的方式控制所述第一氣體供給系統。

9.根據權利要求7所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述控制部構成為以使所述第一貯留部內貯留的所述第一處理氣體的量與所述第二貯留部內貯留的所述第一處理氣體的量的比率變化的方式控制所述第一氣體供給系統，從而調整形成在所述基板上的膜的面內膜厚分布。