[發(fā)明專利]電子裝置、顯示設備、光電轉換設備、電子設備、照明設備和移動體在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010088283.5 | 申請日: | 2020-02-12 |
| 公開(公告)號: | CN111564475A | 公開(公告)日: | 2020-08-21 |
| 發(fā)明(設計)人: | 高橋哲生;梶本典史;石津谷幸司;佐野博晃;望月悠行 | 申請(專利權)人: | 佳能株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京魏啟學律師事務所 11398 | 代理人: | 魏啟學 |
| 地址: | 日本東京都大*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子 裝置 顯示 設備 光電 轉換 電子設備 照明設備 移動 | ||
本公開涉及電子裝置、顯示設備、光電轉換設備、電子設備、照明設備和移動體。本公開提供一種電子裝置,其包括多個第一電極、第二電極、配置在各第一電極與第二電極之間的功能層、和在第一電極上具有傾斜部的絕緣層,其中將功能層連續(xù)地配置,從而覆蓋第一電極、相鄰的第一電極、和覆蓋第一電極和相鄰的第一電極的絕緣層,第一電極上的功能層的層厚度小于從第一電極的上表面至絕緣層的上表面的高度,并且絕緣層的傾斜部上的功能層沿垂直于傾斜部的傾斜面的方向的層厚度為20nm以上。
技術領域
本公開涉及電子裝置、顯示設備、光電轉換設備、電子設備、照明設備和移動體。
背景技術
作為包括有機層的電子裝置,提出了有機發(fā)光元件和有機光電轉換元件。有機發(fā)光元件為包括上部電極、下部電極、和配置于其間的有機層的元件,并且構造成激發(fā)包含在有機層中的有機化合物從而發(fā)光。近年來,包括有機發(fā)光元件的電子裝置引起了注意。特別地,廣泛地使用顯示設備。
存在已知的形成有機發(fā)光元件的有機層的模式:形成對于各發(fā)光色具有不同構成的有機層的模式、和形成對于不同的發(fā)光色具有相同構成的有機層的模式。在形成對于不同的發(fā)光色具有相同構成的有機層的模式中,對于多個發(fā)光元件,通常使有機層形成為連續(xù)地延伸。即使在形成對于各發(fā)光色具有不同構成的有機層的情況下,對于多個發(fā)光元件,也可以使一些有機層形成為連續(xù)地延伸。
然而,在其中對于多個發(fā)光元件有機層連續(xù)地延伸并且在多個發(fā)光元件之間連續(xù)地延伸的此類結構中,電流傾向于經由相鄰的發(fā)光元件之間的有機層泄漏。發(fā)光元件之間的泄露電流(leakage current)引起來自發(fā)光元件的意外發(fā)光(unintentionalemission)。來自發(fā)光元件的意外發(fā)光使表示顯示設備的顯示性能的色域變窄。
在包括有機層的光電轉換元件中,將有機光電轉換層配置為連續(xù)地延伸以覆蓋多個下部電極。在該情況下,泄露電流經由多個下部電極之間的有機光電轉換層流動,這可以導致噪聲的產生。
當此類有機層形成為薄層時,可以使下部電極之間的泄露電流降低。然而,當有機層薄時,泄露電流傾向于在上部電極與下部電極之間流動。日本專利特開No.2007-73608公開了其中有機層在靠近用于使各像素分離的分隔壁(rib)的像素周邊區(qū)域中具有比在像素中央區(qū)域中更大的層厚度的顯示設備,從而減少上部電極與下部電極之間的短路。
此外,日本專利特開No.2007-73608描述了像素中央區(qū)域中的有機層的層厚度與像素周邊區(qū)域中的有機層的層厚度之間的關系,但是沒有描述在用于使像素分離的分隔壁的傾斜部上沿垂直于傾斜部的方向測得的有機層的層厚度。僅控制像素中央區(qū)域中的有機層的厚度與像素周邊區(qū)域中的有機層的厚度的比,對于降低上部電極與下部電極之間的泄露電流是不充分的,這是由于在用于使像素分離的分隔壁的傾斜部上沿垂直于傾斜部的方向測得的有機層的層厚度導致的。
發(fā)明內容
本公開提供包括多個第一電極的電子裝置,其中使多個第一電極之間的泄露電流降低,并且使此類第一電極與第二電極之間的泄露電流降低。
根據本公開的實施方案的電子裝置包括:第一下部電極;第二下部電極;上部電極;配置在各下部電極與上部電極之間并且覆蓋各下部電極的功能層;和覆蓋各下部電極的端部并且在各下部電極上具有傾斜部的絕緣層,其中各下部電極包括:包括下部電極的端部并且被絕緣層覆蓋的第一區(qū)域、和與功能層接觸的第二區(qū)域,將功能層連續(xù)地配置從而覆蓋第一下部電極的第二區(qū)域、第二下部電極的第二區(qū)域、和覆蓋第一下部電極和第二下部電極的絕緣層,功能層在第二區(qū)域上具有小于從第一下部電極的上表面至絕緣層的上表面的高度的層厚度,并且絕緣層的傾斜部上的功能層沿垂直于傾斜部的傾斜面的方向的層厚度為20nm以上。
參照附圖,從以下示例性實施方案的描述,本公開的進一步特征將變得顯而易見。
附圖說明
圖1為根據本公開的第一示例性實施方案的有機器件的構成的示意性截面圖。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于佳能株式會社,未經佳能株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010088283.5/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





