[發明專利]電子裝置、顯示設備、光電轉換設備、電子設備、照明設備和移動體

在審

• 申請號: 202010088283.5
• 申請日: 2020-02-12
• 公開（公告）號: CN111564475A
• 公開（公告）日: 2020-08-21
• 發明（設計）人: 高橋哲生;梶本典史;石津谷幸司;佐野博晃;望月悠行
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52
• 代理公司: 北京魏啟學律師事務所 11398
• 代理人: 魏啟學

1.一種電子裝置，其特征在于，其包括：

第一下部電極；

第二下部電極；

上部電極；

配置在各下部電極與所述上部電極之間并且覆蓋各下部電極的功能層；和

覆蓋各下部電極的端部并且在各下部電極上具有傾斜部的絕緣層，

其中各下部電極包括：包括所述下部電極的所述端部并且被所述絕緣層覆蓋的第一區域、和與所述功能層接觸的第二區域，

將所述功能層連續地配置，從而覆蓋所述第一下部電極的所述第二區域、所述第二下部電極的所述第二區域、和覆蓋所述第一下部電極和所述第二下部電極的所述絕緣層，

所述功能層在所述第二區域上的層厚度小于從所述第一下部電極的上表面至所述絕緣層的上表面的高度，并且

所述絕緣層的所述傾斜部上的所述功能層沿垂直于所述傾斜部的傾斜面的方向的層厚度為20nm以上。

2.根據權利要求1所述的電子裝置，其中所述第一下部電極的所述第二區域與所述第二下部電極的所述第二區域之間的距離，與所述第二區域上的所述功能層的層厚度的比小于50。

3.根據權利要求1所述的電子裝置，其中，在垂直于所述第一下部電極的主表面的截面中，所述傾斜部包括在所述傾斜部的上端與所述傾斜部的下端之間的緩傾斜部、和配置在所述緩傾斜部與所述下端之間并且相對于所述第一下部電極具有比所述緩傾斜部大的傾斜角的陡傾斜部。

4.根據權利要求3所述的電子裝置，其中所述功能層包括與所述第一下部電極接觸的電荷輸送層，所述第一下部電極的所述第二區域上的所述電荷輸送層的上表面的高度小于所述陡傾斜部的上端的高度，并且

所述第一下部電極的所述第二區域上的所述功能層的上表面的高度大于所述陡傾斜部的上端的高度。

5.一種電子裝置，其特征在于，其包括：

第一下部電極；

第二下部電極；

上部電極；

配置在各下部電極與所述上部電極之間并且覆蓋各下部電極的功能層；和

覆蓋各下部電極的端部并且在各下部電極上具有傾斜部的絕緣層，

其中各下部電極包括：包括所述下部電極的所述端部并且被所述絕緣層覆蓋的第一區域、和與所述功能層接觸的第二區域，

將所述功能層連續地配置，從而覆蓋所述第一下部電極的所述第二區域、所述第二下部電極的所述第二區域、和覆蓋所述第一下部電極和所述第二下部電極的所述絕緣層，

所述第二區域上的所述功能層的層厚度小于從所述第一下部電極的上表面至所述絕緣層的上表面的高度，

在垂直于所述第一下部電極的主表面的截面中，所述絕緣層的所述傾斜部包括配置在所述傾斜部的上端與所述傾斜部的下端之間的緩傾斜部、和配置在所述緩傾斜部與所述下端之間并且相對于所述第一下部電極具有比所述緩傾斜部大的傾斜角的陡傾斜部，并且

所述第一下部電極的所述第二區域上的所述功能層的上表面的高度大于所述陡傾斜部的上端的高度。

6.根據權利要求5所述的電子裝置，其中所述絕緣層的所述緩傾斜部上的所述功能層沿垂直于所述緩傾斜部的傾斜面的方向的層厚度為20nm以上。

7.根據權利要求1所述的電子裝置，其進一步包括其上配置有各下部電極的基板，其中，在沿垂直于所述基板的主表面的方向的平面圖中，所述傾斜部與所述第一下部電極的所述第一區域重疊。

8.根據權利要求1所述的電子裝置，其進一步包括其上配置有各下部電極的基板，其中所述絕緣層被所述功能層覆蓋，并且包括在沿垂直于所述基板的主表面的方向的平面圖中配置在所述第一下部電極與所述第二下部電極之間的其它傾斜部，并且

所述其它傾斜部上的所述功能層沿垂直于所述其它傾斜部的方向的層厚度為20nm以上。

9.根據權利要求1所述的電子裝置，所述電子裝置包括多個絕緣層，所述多個絕緣層包括覆蓋各下部電極的端部的所述絕緣層，

其中所述多個絕緣層中的每一個在各下部電極上具有傾斜部，并且所述功能層沿垂直于所述傾斜部的方向的厚度為20nm以上。