[發明專利]一種半導體模塊及其制備方法

有效

• 申請號: 202010087329.1
• 申請日: 2020-02-11
• 公開（公告）號: CN111261534B
• 公開（公告）日: 2021-09-03
• 發明（設計）人: 張正
• 申請（專利權）人: 中義（杭州）醫藥科技有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/67;H01L23/31
• 代理公司: 蘇州國誠專利代理有限公司 32293
• 代理人: 杜丹盛

本發明涉及一種半導體模塊及其制備方法，該方法包括以下步驟：提供一承載基板、在所述承載基板的第一表面上形成介電層、接著在所述介電層上形成布線結構、接著在所述布線結構上設置半導體芯片以及電性引腳；接著依次形成第一封裝膠層、第二封裝膠層、第二封裝膠層、第四封裝膠層、第五封裝膠層。同時調整第二、第三、第四、第五封裝膠層的具體處理工藝，使得本發明的半導體模塊的封裝膠體具有優異的致密性和穩定性，有效防止水汽入侵，使用壽命長。

技術領域

本發明涉及半導體封裝技術領域，特別是涉及一種半導體模塊及其制備方法。

背景技術

隨著科學技術的不斷發展，越來越多的電子設備被廣泛的應用于人們的日常生活以及工作當中，為人們的日常生活及工作帶來了巨大的便利，成為人們不可或缺的重要工具。而半導體封裝結構則是電子設備的基本組成單元，如何提高半導體封裝結構的密封穩定性，進而提高電子設備的使用壽命，這是業界廣泛關注的問題。

發明內容

本發明的目的是克服上述現有技術的不足，提供一種半導體模塊及其制備方法。

為實現上述目的，本發明提出的一種半導體模塊的制備方法，包括以下步驟：

1)提供一承載基板，所述承載基板具有相對的第一表面和第二表面；

2)在所述承載基板的第一表面上形成介電層；

3)接著在所述介電層上形成布線結構；

4)接著在所述布線結構上設置半導體芯片以及電性引腳；

5)接著將設置有半導體芯片、電性引腳、布線結構以及介電層的所述承載基板置于第一注塑模具中，注入一定量的第一樹脂材料，以形成第一封裝膠層，所述第一封裝膠層完全包裹所述承載基板、半導體芯片、布線結構以及介電層，所述電性引腳的一部分從所述第一封裝膠層延伸出來，接著置于密封的第一腔室中進行第一次熱處理；

6)接著置于第二注塑模具中，注入一定量的第二樹脂材料，以形成第二封裝膠層，所述第二封裝膠層完全包裹所述第一封裝膠層，所述電性引腳的一部分從所述第二封裝膠層延伸出來，接著置于密封的第二腔室中進行第二次熱處理；

7)接著置于第三注塑模具中，注入一定量的第三樹脂材料，以形成第三封裝膠層，所述第三封裝膠層完全包裹所述第二封裝膠層，所述電性引腳的一部分從所述第三封裝膠層延伸出來，接著置于密封的第三腔室中進行第三次熱處理；

8)接著置于第四注塑模具中，注入一定量的第四樹脂材料，以形成第四封裝膠層，所述第四封裝膠層完全包裹所述第三封裝膠層，所述電性引腳的一部分從所述第四封裝膠層延伸出來，接著置于密封的第四腔室中進行第四次熱處理；

9)接著置于第五注塑模具中，注入一定量的第五樹脂材料，以形成第五封裝膠層，所述第五封裝膠層完全包裹所述第四封裝膠層，所述電性引腳的一部分從所述第五封裝膠層延伸出來，接著置于密封的第五腔室中進行第五次熱處理。

作為優選，在所述步驟2)中，所述介電層為氧化鋁、氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮化鋁中的一種或多種，所述介電層的厚度為100-200微米。

作為優選，所述步驟3)中，在所述介電層上形成布線結構的具體工藝為：在所述介電層上沉積導電金屬層，然后通過光刻工藝形成所述布線結構。

作為優選，所述步驟5)中，置于密封的第一腔室中進行第一次熱處理的具體工藝為：首先在所述第一腔室中的壓強為10^-2Pa-10Pa的條件下，在120-140℃條件下熱處理10-20分鐘，接著將所述第一腔室中的壓強升至1.2×10⁵Pa-1.5×10⁵Pa，接著在120-140℃條件下熱處理5-10分鐘，接著升溫至170-190℃，并在170-190℃條件下熱處理30-60分鐘。