[發明專利]一種半導體模塊及其制備方法

有效

• 申請號: 202010087329.1
• 申請日: 2020-02-11
• 公開（公告）號: CN111261534B
• 公開（公告）日: 2021-09-03
• 發明（設計）人: 張正
• 申請（專利權）人: 中義（杭州）醫藥科技有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/67;H01L23/31
• 代理公司: 蘇州國誠專利代理有限公司 32293
• 代理人: 杜丹盛

1.一種半導體模塊的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

1)提供一承載基板，所述承載基板具有相對的第一表面和第二表面；

2)在所述承載基板的第一表面上形成介電層；

3)接著在所述介電層上形成布線結構；

4)接著在所述布線結構上設置半導體芯片以及電性引腳；

5)接著將設置有半導體芯片、電性引腳、布線結構以及介電層的所述承載基板置于第一注塑模具中，注入一定量的第一樹脂材料，以形成第一封裝膠層，所述第一封裝膠層完全包裹所述承載基板、半導體芯片、布線結構以及介電層，所述電性引腳的一部分從所述第一封裝膠層延伸出來，接著置于密封的第一腔室中進行第一次熱處理；

6)接著置于第二注塑模具中，注入一定量的第二樹脂材料，以形成第二封裝膠層，所述第二封裝膠層完全包裹所述第一封裝膠層，所述電性引腳的一部分從所述第二封裝膠層延伸出來，接著置于密封的第二腔室中進行第二次熱處理；

7)接著置于第三注塑模具中，注入一定量的第三樹脂材料，以形成第三封裝膠層，所述第三封裝膠層完全包裹所述第二封裝膠層，所述電性引腳的一部分從所述第三封裝膠層延伸出來，接著置于密封的第三腔室中進行第三次熱處理；

8)接著置于第四注塑模具中，注入一定量的第四樹脂材料，以形成第四封裝膠層，所述第四封裝膠層完全包裹所述第三封裝膠層，所述電性引腳的一部分從所述第四封裝膠層延伸出來，接著置于密封的第四腔室中進行第四次熱處理；

9)接著置于第五注塑模具中，注入一定量的第五樹脂材料，以形成第五封裝膠層，所述第五封裝膠層完全包裹所述第四封裝膠層，所述電性引腳的一部分從所述第五封裝膠層延伸出來，接著置于密封的第五腔室中進行第五次熱處理；

其中，在所述步驟5)中，置于密封的第一腔室中進行第一次熱處理的具體工藝為：首先在所述第一腔室中的壓強為10^-2Pa-10Pa的條件下，在120-140℃條件下熱處理10-20分鐘，接著將所述第一腔室中的壓強升至1.2×10⁵Pa-1.5×10⁵Pa，接著在120-140℃條件下熱處理5-10分鐘，接著升溫至170-190℃，并在170-190℃條件下熱處理30-60分鐘；

其中，在所述步驟6)中，置于密封的第二腔室中進行第二次熱處理的具體工藝為：首先在所述第二腔室中的壓強為1.6×10⁵Pa-1.8×10⁵Pa的條件下，在120-140℃條件下熱處理5-10分鐘，接著升溫至175-195℃，并在175-195℃條件下熱處理10-20分鐘；

其中，在所述步驟7)中，置于密封的第三腔室中進行第三次熱處理的具體工藝為：首先在所述第三腔室中的壓強為2×10⁵Pa-2.4×10⁵Pa的條件下，在120-140℃條件下熱處理5-10分鐘，接著升溫至180-200℃，并在180-200℃條件下熱處理20-30分鐘；

其中，在所述步驟8)中，置于密封的第四腔室中進行第四次熱處理的具體工藝為：首先在所述第四腔室中的壓強為2.4×10⁵Pa-2.7×10⁵Pa的條件下，在120-140℃條件下熱處理5-10分鐘，接著升溫至180-200℃，并在180-200℃條件下熱處理30-40分鐘；

其中，在所述步驟9)中，置于密封的第五腔室中進行第五次熱處理的具體工藝為：首先在所述第二腔室中的壓強為2.7×10⁵Pa-3×10⁵Pa的條件下，在130-150℃條件下熱處理5-10分鐘，接著升溫至180-200℃，并在180-200℃條件下熱處理40-50分鐘。

2.根據權利要求1所述的半導體模塊的制備方法，其特征在于：在所述步驟2)中，所述介電層為氧化鋁、氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮化鋁中的一種或多種，所述介電層的厚度為100-200微米。

3.根據權利要求1所述的半導體模塊的制備方法，其特征在于：所述步驟3)中，在所述介電層上形成布線結構的具體工藝為：在所述介電層上沉積導電金屬層，然后通過光刻工藝形成所述布線結構。

4.一種半導體模塊，其特征在于，采用權利要求1-3任一項所述的方法制備形成的。