[發(fā)明專利]半導體結構及器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010086223.X
• 申請日: 2020-02-11
• 公開（公告）號: CN113130492A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發(fā)明（設計）人: 金一球
• 申請（專利權）人: 夏泰鑫半導體（青島）有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L23/528;H01L21/8242
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334
• 代理人: 彭輝劍;龔慧惠

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：

有源區(qū)，于基板上，并限定了頂表面；和

柵極結構，在所述有源區(qū)的截面中嵌設于所述有源區(qū)，所述柵極結構包括：

導電特征，埋在所述有源區(qū)中并在所述有源區(qū)中達到第一深度，并具有第一寬度，

絕緣帽，具有第二寬度，布置在所述有源區(qū)中的所述導電特征上方，并在所述有源區(qū)中達到第二深度，和

電介質襯層，布置在所述有源區(qū)和所述導電特征之間；以及

其中所述第一寬度小于所述第二寬度。

2.如權利要求1所述的器件，其特征在于，

所述第二深度與所述第一深度的比率在大約0.25至大約0.67的范圍內。

3.如權利要求1所述的器件，其特征在于，

所述第一寬度與所述第二寬度的比率在約0.5至0.9的范圍內。

4.如權利要求1所述的器件，其特征在于，

所述絕緣帽包括靠近所述導電特征的肩部；

所述導電特征布置為不高于所述絕緣帽的所述肩部。

5.如權利要求4所述的器件，其特征在于，

所述絕緣帽的所述肩部包括傾斜的輪廓，其寬度朝向導電特征地減小。

6.如權利要求1所述的器件，其特征在于，

所述電介質襯層在所述絕緣帽和所述有源區(qū)之間向上延伸。

7.如權利要求6所述的器件，其特征在于，

所述電介質襯層的在所述絕緣帽和所述有源區(qū)之間的部分相較于在所述導電特征和所述有源區(qū)之間的部分具有較低的厚度。

8.一種半導體結構，其特征在于，包括：

有源區(qū)，形成在基板上方，具有條狀平面輪廓，所述有源區(qū)限定頂表面；和

控制線結構以斜角截交于所述有源區(qū)，所述控制線結構包括：

導線，具有第一寬度，穿過所述有源區(qū)的下部并到達所述有源區(qū)的頂表面下方的第一深度；

絕緣帽，具有第二寬度，布置在所述導線上方并達到在所述有源區(qū)的頂表面下方的第二深度；

電介質襯層，介于所述控制線結構和所述有源區(qū)之間；

其中所述第一寬度小于所述第二寬度。

9.如權利要求8所述的結構，其特征在于，

所述有源區(qū)與所述控制線結構之間的傾斜角為約65度至約75度。

10.如權利要求8所述的結構，其特征在于，

所述第二深度與所述第一深度的比率在大約0.25至大約0.67的范圍內。