[發(fā)明專利]微型發(fā)光二極管顯示面板及微型發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)印方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010085024.7 | 申請日: | 2020-02-10 |
| 公開(公告)號: | CN111261658B | 公開(公告)日: | 2023-02-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王質(zhì)武 | 申請(專利權(quán))人: | TCL華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L29/786;H01L33/48;H01L33/58 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 刁文魁 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 微型 發(fā)光二極管 顯示 面板 方法 | ||
1.一種微型發(fā)光二極管顯示面板,其特征在于,包括:
驅(qū)動基板,所述驅(qū)動基板包括薄膜晶體管陣列層以及位于所述薄膜晶體管陣列層上陣列分布的底部電極;
微型發(fā)光二極管帶,間隔的設(shè)置于所述驅(qū)動基板上,每個微型發(fā)光二極管帶上包括至少兩個微型發(fā)光二極管;
所述微型發(fā)光二極管與所述底部電極一一對應(yīng)電連接,且所述微型發(fā)光二極管通過所述底部電極與所述薄膜晶體管陣列層中的薄膜晶體管電連接;
其中,相鄰兩行所述底部電極之間和/或相鄰兩列所述底部電極之間設(shè)置有遮光層,所述微型發(fā)光二極管帶或所述微型發(fā)光二極管位于相鄰兩所述遮光層之間;所述遮光層的厚度與所述微型發(fā)光二極管帶的高度齊平。
2.如權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管顯示面板,其特征在于,所述微型發(fā)光二極管在所述微型發(fā)光二極管帶上以一維陣列的形式排布,所述微型發(fā)光二極管帶在相鄰兩所述微型發(fā)光二極管之間設(shè)置有凹槽。
3.如權(quán)利要求2所述的微型發(fā)光二極管顯示面板,其特征在于,同一所述微型發(fā)光二極管帶上的所述微型發(fā)光二極管的顏色相同,相鄰兩行或相鄰兩列所述底部電極之間設(shè)置有所述遮光層,所述微型發(fā)光二極管帶位于相鄰兩所述遮光層之間,且同一行或同一列所述底部電極對應(yīng)的所述微型發(fā)光二極管的顏色相同。
4.如權(quán)利要求3所述的微型發(fā)光二極管顯示面板,其特征在于,所述凹槽內(nèi)設(shè)置有絕緣填充物。
5.如權(quán)利要求2所述的微型發(fā)光二極管顯示面板,其特征在于,同一所述微型發(fā)光二極管帶上的所述微型發(fā)光二極管的顏色不同,相鄰兩行所述底部電極之間設(shè)置有第一遮光層,相鄰兩列所述底部電極之間設(shè)置有第二遮光層,所述第一遮光層與所述第二遮光層交叉設(shè)置,所述微型發(fā)光二極管位于相鄰兩所述第一遮光層和/或相鄰兩所述第二遮光層之間。
6.如權(quán)利要求5所述的微型發(fā)光二極管顯示面板,其特征在于,所述第一遮光層或所述第二遮光層對應(yīng)填充至所述微型發(fā)光二極管帶的所述凹槽中。
7.如權(quán)利要求2所述的微型發(fā)光二極管顯示面板,其特征在于,所述微型發(fā)光二極管包括依次層疊設(shè)置的N型電極、N型半導(dǎo)體、發(fā)光層、P型半導(dǎo)體、P型電極,其中,所述微型發(fā)光二極管的所述N型電極通過焊料與所述底部電極電連接,所述凹槽貫穿所述N型半導(dǎo)體、所述發(fā)光層、所述P型半導(dǎo)體。
8.如權(quán)利要求7所述的微型發(fā)光二極管顯示面板,其特征在于,所述微型發(fā)光二極管帶上的至少兩所述微型發(fā)光二極管共用一所述P型電極,每個所述微型發(fā)光二極管對應(yīng)一個所述N型電極。
9.一種微型發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)印方法,其特征在于,所述轉(zhuǎn)印方法包括以下步驟:
步驟S10,微型發(fā)光二極管陣列包括多個呈陣列排布的微型發(fā)光二極管;
步驟S20,將所述微型發(fā)光二極管陣列以行或列的形式切割成多個條狀的微型發(fā)光二極管帶,每個微型發(fā)光二極管帶上包括至少兩個微型發(fā)光二極管;
步驟S30,所述微型發(fā)光二極管包括綁定端,采用粘合劑與所述微型發(fā)光二極管帶背離所述綁定端的一側(cè)粘接,然后將臨時載體與所述粘合劑粘接;
步驟S40,提供一驅(qū)動基板,所述驅(qū)動基板包括薄膜晶體管陣列層以及位于所述薄膜晶體管陣列層上陣列分布的底部電極,相鄰兩行所述底部電極之間和/或相鄰兩列所述底部電極之間設(shè)置有遮光層;
步驟S50,在所述微型發(fā)光二極管帶中的每個微型發(fā)光二極管的綁定端填涂焊料,將所述微型發(fā)光二極管帶與所述驅(qū)動基板綁定,所述微型發(fā)光二極管帶或所述微型發(fā)光二極管位于相鄰兩所述遮光層之間,所述遮光層的厚度與所述微型發(fā)光二極管帶的高度齊平,所述微型發(fā)光二極管的綁定端通過所述底部電極與所述薄膜晶體管陣列層中的薄膜晶體管電連接;
步驟S60,去除所述臨時載體,去除所述粘合劑,完成所述微型發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)印。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





