[發(fā)明專利]微型發(fā)光二極管顯示面板及微型發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)印方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010085024.7 | 申請日: | 2020-02-10 |
| 公開(公告)號: | CN111261658B | 公開(公告)日: | 2023-02-28 |
| 發(fā)明(設計)人: | 王質(zhì)武 | 申請(專利權)人: | TCL華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L29/786;H01L33/48;H01L33/58 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產(chǎn)權代理有限公司 44570 | 代理人: | 刁文魁 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 微型 發(fā)光二極管 顯示 面板 方法 | ||
本申請?zhí)峁┮环N微型發(fā)光二極管顯示面板及微型發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)印方法,該微型發(fā)光二極管顯示面板包括:驅(qū)動基板,其包括層疊的薄膜晶體管陣列層和底部電極;微型發(fā)光二極管帶間隔的設置于驅(qū)動基板上,每個微型發(fā)光二極管帶上包括至少兩個微型發(fā)光二極管;微型發(fā)光二極管與底部電極一一對應電連接,且微型發(fā)光二極管通過底部電極與薄膜晶體管陣列層中的薄膜晶體管電連接;相鄰兩行底部電極之間和/或相鄰兩列底部電極之間設置有遮光層,微型發(fā)光二極管帶或微型發(fā)光二極管位于相鄰兩個遮光層之間。本申請通過在驅(qū)動基板上設置遮光層,從而解決采用傳統(tǒng)轉(zhuǎn)印方法制備的微型發(fā)光二極管顯示面板產(chǎn)生漏光,進而導致混色的問題。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,尤其涉及一種微型發(fā)光二極管顯示面板及微型發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)印方法。
背景技術
微型發(fā)光二極管顯示器(Micro LED)的耗電量僅為LCD顯示器的十分之一,其與OLED顯示器一樣屬于自發(fā)光,能將像素之間的距離從毫米等級降至微米等級,色彩飽和度接近OLED。Micro LED系統(tǒng)的體積和重量可以再縮小,兼具低功耗、快速反應的特質(zhì),最重要的是沒有OLED的色衰缺點。由于Micro LED具有上述優(yōu)點,使其成為最近面板行業(yè)研究的熱點。
按照現(xiàn)有技術,在制造全彩色Micro LED顯示器件過程中,需要逐個拾取紅、綠、藍(RGB)三種像素的微型發(fā)光二極管(LED芯片),并把它們分別放置到目標基板對應的電極上,通過引線鍵合、或者倒裝焊的方式實現(xiàn)微型發(fā)光二極管與基板的電氣連接,進而形成全彩色顯示器件,這個拾取和放置轉(zhuǎn)移的過程稱為微型發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)印。這個過程中需要多次拾起并放下微型發(fā)光二極管,大大降低了生產(chǎn)顯示器件的效率,使Micro LED顯示器件的成本升高。另外,微型發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移至目標基板上后,會存在漏光,導致混色的問題。
因此,現(xiàn)有技術存在缺陷,急需解決。
發(fā)明內(nèi)容
本申請?zhí)峁┮环N微型發(fā)光二極管顯示面板及微型發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)印方法,能夠解決采用現(xiàn)有轉(zhuǎn)印方法制備的微型發(fā)光二極管顯示面板產(chǎn)生漏光,從而導致混色的問題。
為解決上述問題,本申請?zhí)峁┑募夹g方案如下:
本申請?zhí)峁┮环N微型發(fā)光二極管顯示面板,包括:
驅(qū)動基板,所述驅(qū)動基板包括薄膜晶體管陣列層以及位于所述薄膜晶體管陣列層上陣列分布的底部電極;
微型發(fā)光二極管帶,間隔的設置于所述驅(qū)動基板上,每個微型發(fā)光二極管帶上包括至少兩個微型發(fā)光二極管;
所述微型發(fā)光二極管與所述底部電極一一對應電連接,且所述微型發(fā)光二極管通過所述底部電極與所述薄膜晶體管陣列層中的薄膜晶體管電連接;
其中,相鄰兩行所述底部電極之間和/或相鄰兩列所述底部電極之間設置有遮光層,所述微型發(fā)光二極管帶或所述微型發(fā)光二極管位于相鄰兩所述遮光層之間。
在本申請的微型發(fā)光二極管顯示面板中,所述微型發(fā)光二極管在所述微型發(fā)光二極管帶上以一維陣列的形式排布,所述微型發(fā)光二極管帶在相鄰兩所述微型發(fā)光二極管之間設置有凹槽。
在本申請的微型發(fā)光二極管顯示面板中,同一所述微型發(fā)光二極管帶上的所述微型發(fā)光二極管的顏色相同,相鄰兩行或相鄰兩列所述底部電極之間設置有所述遮光層,所述微型發(fā)光二極管帶位于相鄰兩所述遮光層之間,且同一行或同一列所述底部電極對應的所述微型發(fā)光二極管的顏色相同。
在本申請的微型發(fā)光二極管顯示面板中,所述凹槽內(nèi)設置有絕緣填充物。
在本申請的微型發(fā)光二極管顯示面板中,同一所述微型發(fā)光二極管帶上的所述微型發(fā)光二極管的顏色不同,相鄰兩行所述底部電極之間設置有第一遮光層,相鄰兩列所述底部電極之間設置有第二遮光層,所述第一遮光層與所述第二遮光層交叉設置,所述微型發(fā)光二極管位于相鄰兩所述第一遮光層和/或相鄰兩所述第二遮光層之間。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于TCL華星光電技術有限公司,未經(jīng)TCL華星光電技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010085024.7/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





