[發(fā)明專利]襯底處理裝置和方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010084878.3 | 申請(qǐng)日: | 2020-02-10 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113106419A | 公開(公告)日: | 2021-07-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | V·基爾皮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 皮考遜公司 |
| 主分類號(hào): | C23C16/455 | 分類號(hào): | C23C16/455;C23C16/46;C23C16/511;C23C16/50;C23C16/54;C23C16/458 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 酆迅;傅遠(yuǎn) |
| 地址: | 芬蘭*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 襯底 處理 裝置 方法 | ||
本公開的實(shí)施例涉及襯底處理裝置和方法。一種襯底處理裝置,包括內(nèi)腔室,其由上部分和下部分形成;襯底支撐件,其將襯底支撐在內(nèi)腔室的上部分中;等離子體系統(tǒng),其從內(nèi)腔室的頂側(cè)向內(nèi)腔室提供等離子體物種;以及外腔室,其包圍內(nèi)腔室的上部分。內(nèi)腔室的下部分延伸到外腔室的外側(cè)并且保持不被外腔室覆蓋。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明總體上涉及襯底處理方法和裝置。更具體地但非排他地,本發(fā)明涉及等離子體增強(qiáng)原子層沉積(ALD)反應(yīng)器。
背景技術(shù)
本章節(jié)說明了有用背景信息,而非承認(rèn)本文中所描述的代表現(xiàn)有技術(shù)的任何技術(shù)。
在諸如原子層沉積(ALD)之類的化學(xué)沉積方法中,等離子體可以用于為表面反應(yīng)提供所需附加能量。盡管ALD反應(yīng)器已經(jīng)存在了數(shù)十年,但是等離子體增強(qiáng)反應(yīng)器代表了一種更年輕的技術(shù)。持續(xù)需要開發(fā)改進(jìn)的等離子體增強(qiáng)ALD反應(yīng)器或至少提供現(xiàn)有解決方案的備選方案。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的某些實(shí)施例的目的是提供一種改進(jìn)的襯底處理裝置或至少提供現(xiàn)有技術(shù)的備選解決方案。
根據(jù)本發(fā)明的第一示例方面,提供了一種襯底處理裝置,其包括:
內(nèi)腔室,其由上部分和下部分形成;
襯底支撐件,其將襯底支撐在內(nèi)腔室的上部分內(nèi);
等離子體系統(tǒng),其從內(nèi)腔室的頂側(cè)向內(nèi)腔室提供等離子體物種(species);以及
外腔室,其包圍內(nèi)腔室上部分,而內(nèi)腔室的下部分延伸到外腔室的外側(cè)并且未被外腔室覆蓋。
在某些實(shí)施例中,該裝置包括:
外腔室中的加熱器,其加熱內(nèi)腔室的上部分。
在某些實(shí)施例中,該裝置包括:
外腔室的熱反射器。
在某些實(shí)施例中,該裝置包括在加熱器與一個(gè)或多個(gè)外腔室壁之間的熱反射器。
在某些實(shí)施例中,等離子體系統(tǒng)被配置為向內(nèi)腔室提供兩種不同的等離子體物種,其從內(nèi)腔室的頂側(cè)或經(jīng)由內(nèi)腔室的上部分的頂部進(jìn)入內(nèi)腔室。在某些實(shí)施例中,等離子體系統(tǒng)被配置為向內(nèi)腔室提供兩種不同的等離子體物種,其中在內(nèi)腔室的上部分生成第一等離子體物種,而遠(yuǎn)程生成第二等離子體物種。在某些實(shí)施例中,遠(yuǎn)程生成的等離子體物種經(jīng)由進(jìn)料線(優(yōu)選地,經(jīng)由反應(yīng)腔室頂部)進(jìn)給到內(nèi)腔室的上部分。
在某些實(shí)施例中,該裝置包括:
活動(dòng)蓋或蓋系統(tǒng)(內(nèi)腔室和/或外腔室的頂側(cè)上)。
在某些實(shí)施例中,蓋或蓋系統(tǒng)形成外腔室的蓋。在某些實(shí)施例中,內(nèi)腔室具有單獨(dú)的蓋。在某些實(shí)施例中,省略內(nèi)腔室的單獨(dú)的蓋,并且蓋系統(tǒng)或外腔室蓋用作外腔室和內(nèi)腔室兩者的蓋。
因而,在某些實(shí)施例中,蓋系統(tǒng)(或外腔室蓋)形成外腔室的蓋。在某些實(shí)施例中,蓋系統(tǒng)同時(shí)打開(和關(guān)閉)外腔室和內(nèi)腔室兩者。在某些實(shí)施例中,蓋系統(tǒng)是可移動(dòng)的和/或可打開的。在某些實(shí)施例中,蓋系統(tǒng)通過鉸接或筆直升降運(yùn)動(dòng)而打開。
在某些實(shí)施例中,該裝置包括蓋系統(tǒng)(或外腔室蓋)中的至少一個(gè)進(jìn)料線(或管道/管子)的饋通件。
在某些實(shí)施例中,饋通件是打開的(或可打開的),即,在打開蓋系統(tǒng)時(shí)至少一個(gè)進(jìn)料線打開(或是不連續(xù)的)。在某些實(shí)施例中,饋通件在當(dāng)蓋系統(tǒng)被打開(或打開)時(shí)饋通件會(huì)中斷進(jìn)料線的情況下是打開的(或可打開的)。
在某些實(shí)施例中,外腔室為柱形。在某些實(shí)施例中,蓋系統(tǒng)橫向延伸到外腔室區(qū)域外側(cè)。在某些實(shí)施例中,橫向延伸到外側(cè)意指蓋系統(tǒng)橫向延伸到外腔室邊界外側(cè)。該邊界可以由一個(gè)或多個(gè)外腔室壁限定,并且在一個(gè)實(shí)施例中,通過將外腔室在其豎直方位上由水平面切割而獲得。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于皮考遜公司,未經(jīng)皮考遜公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010084878.3/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:一種養(yǎng)生保健五谷藥膳粉
- 下一篇:半導(dǎo)體器件的制造方法
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的
- 一種數(shù)據(jù)庫(kù)讀寫分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測(cè)試終端的測(cè)試方法
- 一種服裝用人體測(cè)量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測(cè)程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)





