[發(fā)明專利]襯底處理裝置和方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010084878.3
• 申請日: 2020-02-10
• 公開（公告）號: CN113106419A
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發(fā)明（設計）人: V·基爾皮
• 申請（專利權）人: 皮考遜公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/46;C23C16/511;C23C16/50;C23C16/54;C23C16/458
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 酆迅;傅遠

1.一種襯底處理裝置，包括：

內腔室，由上部分和下部分形成；

襯底支撐件，將襯底支撐在所述內腔室的所述上部分內；

等離子體系統(tǒng)，從所述內腔室的頂側向所述內腔室提供等離子體物種；

外腔室，包圍所述內腔室的所述上部分，而所述內腔室的所述下部分延伸到所述外腔室的外側并且保持未被所述外腔室覆蓋。

2.根據(jù)權利要求1所述的裝置，包括：

加熱器，在所述外部分中以加熱所述內腔室的所述上部分。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的裝置，包括：

所述外腔室中的熱反射器。

4.根據(jù)前述權利要求中的任一項所述的裝置，其中所述等離子體系統(tǒng)被配置為向所述內腔室提供兩種不同的等離子體物種，所述兩種不同的等離子體物種經(jīng)由所述內腔室的所述上部分的頂部進入所述內腔室。

5.根據(jù)前述權利要求中的任一項所述的裝置，包括：

可移動蓋系統(tǒng)。

6.根據(jù)權利要求5所述的裝置，包括：

所述蓋系統(tǒng)中至少一個進料線的饋通件。

7.根據(jù)權利要求5或6所述的裝置，其中所述等離子體系統(tǒng)包括：

所述可移動蓋系統(tǒng)中的等離子體施加器。

8.根據(jù)前述權利要求中的任一項所述的裝置，其中所述等離子體系統(tǒng)包括微波等離子體發(fā)生器和/或中空陰極等離子體發(fā)生器。

9.根據(jù)前述權利要求中的任一項所述的裝置，其中所述內腔室包括反應腔室碗。

10.根據(jù)權利要求9所述的裝置，其中所述襯底支撐件相對于所述反應腔室碗對稱駐留。

11.根據(jù)前述權利要求中的任一項所述的裝置，包括在所述等離子體系統(tǒng)與反應腔室碗之間的導流部分。

12.根據(jù)前述權利要求9至11中的任一項所述的裝置，所述裝置被配置為按壓所述反應腔室碗抵靠所述導流部分、形成所述內腔室的所述上部分的所述頂部的反應腔室頂部、或者反應腔室對應物，可選地在它們之間有密封件。

13.根據(jù)權利要求12所述的裝置，其中所述密封件是真空密封件。

14.根據(jù)前述權利要求9至13中的任一項所述的裝置，其中所述反應腔室碗被配置為由碗升降致動器降低以用于襯底裝載。

15.根據(jù)前述權利要求中的任一項所述的裝置，包括從所述襯底支撐件的周邊到周圍反應腔室碗的最近表面的至少50mm的自由橫向距離。

16.根據(jù)前述權利要求中的任一項所述的裝置，包括珀耳帖冷卻器，所述珀耳帖冷卻器附接到化學源容器，其中所述珀耳帖冷卻器包括控制布置，所述控制布置被配置為利用兩個固定的非零電壓電平控制所述冷卻器。

17.一種襯底處理裝置，包括：

內腔室；

外腔室，至少部分地包圍所述內腔室；

襯底支撐件，將襯底支撐在所述內腔室中；以及

等離子體系統(tǒng)，包括第一等離子體發(fā)生器和第二等離子體發(fā)生器，所述第一等離子體發(fā)生器在所述內腔室內生成第一等離子體物種，所述第二等離子體發(fā)生器為遠程等離子體發(fā)生器，以在所述內腔室的外側生成第二等離子體物種。

18.一種襯底處理裝置，包括：

內腔室；

外腔室，至少部分地包圍所述內腔室；

襯底支撐件，將襯底支撐在所述內腔室中；

可移動蓋系統(tǒng)；以及

所述蓋系統(tǒng)中的等離子體施加器。