[發(fā)明專利]一種有槽熱板溫度梯度離子擴散制作玻璃基掩埋式模斑轉(zhuǎn)換器的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010083632.4 | 申請日: | 2020-02-09 |
| 公開(公告)號: | CN111239898A | 公開(公告)日: | 2020-06-05 |
| 發(fā)明(設計)人: | 郝寅雷;鄧鑫宸;蔣建光;牛夢華;周柯江;車錄鋒 | 申請(專利權(quán))人: | 浙江大學深圳研究院 |
| 主分類號: | G02B6/134 | 分類號: | G02B6/134;G02B6/14;G02B6/12 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市南山區(qū)粵*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 有槽熱板 溫度梯度 離子 擴散 制作 玻璃 掩埋 式模斑 轉(zhuǎn)換器 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種有槽熱板溫度梯度離子擴散制作玻璃基掩埋式模斑轉(zhuǎn)換器的方法,包括兩個環(huán)節(jié):第一個環(huán)節(jié)用離子交換法在玻璃基片(1)的表面制作掩埋條形離子摻雜區(qū)(8);第二個環(huán)節(jié)是將玻璃基片(1)豎直放置在有槽熱板(5)上的凹槽內(nèi)進行梯度溫度離子擴散。這種方法的特征在于:將表面以下制作有掩埋條形離子摻雜區(qū)(8)的玻璃基片(1)豎直放置在水平有槽熱板(5)上的凹槽內(nèi)進行梯度溫度離子擴散,利用玻璃基片(1)內(nèi)沿掩埋條形離子摻雜區(qū)(8)長度方向的溫度梯度,使玻璃基片(1)中沿掩埋條形離子摻雜區(qū)(8)長度方向產(chǎn)生摻雜離子擴散速率的梯度,增大玻璃基片(1)表面以下的掩埋條形離子摻雜區(qū)(8)在貼近有槽熱板(5)一端的橫截面尺寸,將掩埋條形離子摻雜區(qū)(8)變成掩埋錐形離子摻雜區(qū)(9)。這種掩埋錐形離子摻雜區(qū)(9)的橫截面的尺寸在兩個軸向上的一致性得到改善,因而模斑轉(zhuǎn)換器與光纖芯部橫截面的形狀與尺寸的匹配程度改善,器件插入損耗降低。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光器件、集成光學領(lǐng)域,具體涉及一種有槽熱板溫度梯度離子擴散制作玻璃基掩埋式模斑轉(zhuǎn)換器的方法。
背景技術(shù)
1969年,S.E.Miller提出了集成光學的概念,其基本思想是在同一塊襯底(或基片)的表面制作光波導,并以此為基礎實現(xiàn)光源、耦合器、濾波器等各種器件的集成化制作。通過這種集成化,實現(xiàn)光學系統(tǒng)的小型化、輕量化、穩(wěn)定化,提高器件性能。
采用離子交換技術(shù)在玻璃基片(1)上制作的集成光器件一直受到企業(yè)界和研究者們的重視。基于離子交換技術(shù)的玻璃基集成光波導器件具有一些優(yōu)異的性質(zhì),包括:傳輸損耗低,易于摻雜高濃度的稀土離子,與光纖的光學特性匹配,耦合損耗小,環(huán)境穩(wěn)定性好,易于集成,成本低廉等。1972年,第一篇關(guān)于離子交換制作光波導的論文發(fā)表,標志著玻璃基集成光學器件研究的起步。自那時起,各國研究機構(gòu)投入大量的人力和財力進行玻璃基集成光器件的開發(fā)。截至目前,一些玻璃基片(1)上的集成光學器件已經(jīng)實現(xiàn)規(guī)模化生產(chǎn)與系列化,成功地用于光通信、光互連和光傳感網(wǎng)絡,并顯示出巨大的競爭力。
模斑轉(zhuǎn)換器在集成光路中用于實現(xiàn)光波導模斑尺寸的變化,常用于芯徑不同的光波導之間的模斑尺寸的匹配,減小因芯徑失配產(chǎn)生的插入損耗,在集成光路中具有重要的應用價值。
現(xiàn)有的基于離子交換技術(shù)在玻璃基片(1)上制作的掩埋波導模斑轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)如圖1所示,在玻璃基片(1)內(nèi)的表面以下具有掩埋楔形離子摻雜區(qū)(7),利用掩埋楔形離子摻雜區(qū)(7)的橫截面尺寸變化實現(xiàn)模斑轉(zhuǎn)換。這種模斑轉(zhuǎn)換器的制作過程如圖2所示,主要包括四個步驟:第一步是光刻,在玻璃基片(1)的表面淀積光波導所用的掩膜(2),并通過光刻和腐蝕去除玻璃基片(1)上的部分掩膜(2),形成楔形鏤空結(jié)構(gòu),作為楔形的離子交換窗口;第二步是離子交換,將帶有掩膜(2)的玻璃基片(1)置于高溫下的含摻雜離子的熔鹽中進行離子交換,含摻雜離子的熔鹽中的摻雜離子通過掩膜(2)形成的離子交換窗口與玻璃基片(1)中的Na+進行交換,摻雜離子進入玻璃基片(1)表面并擴散形成表面楔形離子摻雜區(qū)(3)。第三步是去除掩膜(2),采用化學腐蝕的方法去除玻璃基片(1)表面的掩膜(2)。第四步是電場輔助離子遷移,將玻璃基片(1)兩側(cè)分別碳酸鈉熔鹽作電極,在玻璃基片(1)兩側(cè)施加直流電壓,在直流電場作用下,表面楔形離子摻雜區(qū)(3)遷移進入玻璃基片(1)的表面以下,表面楔形離子摻雜區(qū)(3)變成掩埋楔形離子摻雜區(qū)(7),獲得形成模斑轉(zhuǎn)換器芯片。由于掩膜(2)在玻璃基片(1)的表面形成的離子交換窗口呈現(xiàn)楔形,所以玻璃基片(1)表面以下的掩埋楔形離子摻雜區(qū)(7)的寬度也呈現(xiàn)與離子交換窗口一致的形狀,在玻璃基片(1)的平面內(nèi)呈現(xiàn)楔形分布特征:在離子交換窗口寬度小的部位掩埋楔形離子摻雜區(qū)(7)寬度小,而在離子交換窗口寬度大的部位掩埋楔形離子摻雜區(qū)(7)寬度大。
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