[發明專利]混合內存模塊以及操作混合內存模塊的系統和方法

在審

• 申請號: 202010083535.5
• 申請日: 2014-11-07
• 公開（公告）號: CN111176585A
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發明（設計）人: 炫·李;杰斯·R·巴克達;池社·陳;杰弗里·C·所羅門;馬里奧·杰西·馬丁內斯;浩·樂;淑·J·蔡
• 申請（專利權）人: 奈特力斯股份有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06;G06F11/10;G06F12/02;G06F12/06;G06F12/08;G06F12/0868;G06F12/0871;G06F12/0897;G06F13/10;G06F13/28;G11C7/10
• 代理公司: 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

一種內存模塊包括：易失性內存子系統，用于耦合到計算機系統中的內存通道且能夠充當計算機系統的主內存；非易失性內存子系統，其為計算機系統提供存儲裝置；和模塊控制器，其耦合到易失性內存子系統、非易失性內存子系統和C/A總線。模塊控制器用于控制在易失性內存子系統和非易失性內存子系統之間的模塊內數據傳送。該模塊控制器進一步用于監視C/A總線上的C/A信號，且根據C/A信號調度模塊內數據傳送，使得模塊內數據傳送不與內存控制器對易失性內存子系統的存取沖突。

相關申請案的交叉引用

本申請案主張以下各申請案的優先權：2013年11月7日提交的名稱為“對非易失性內存的動態隨機存取(Dynamic Random Access to Non-Volatile Memory)”的第61/901,439號美國臨時專利申請案，2014年1月21日提交的名稱為“內存通道存儲(Memory ChannelStorage)”的第61929942號美國臨時專利申請案，2014年8月22日提交的名稱為“用于傳送存儲內容的設備和方法(Apparatus and Methods for Transferring Storage Content)”的第62/041,024號美國臨時專利申請案，2014年9月26日提交的名稱為“內存通道存儲(Memory Channel Storage)”的第62/056,469號美國臨時專利申請案，以及2014年10月22日提交的名稱為“用于隨機存取的混合移動內存(Hybrid Mobile Memory for RandomAccess)”的第62/067,411號美國臨時專利申請案，所述申請案中的每一個以全文引用的方式并入本文中。本申請案與2011年7月28日提交的名稱為“高密度DIMM(High DensityDIMMs)”的第61/512,871號美國臨時專利申請案以及2012年7月26日提交的名稱為“閃存DRAM混合內存模塊(Flash DRAM Hybrid Memory Module)”的第13/559,476號美國專利申請案有關，所述申請案中的每一個以全文引用的方式并入本文中。本申請還要求于2014年5月7日提交的、名稱為“高密度混合存儲系統”的第61/989,941號美國臨時專利申請的優先權。

技術領域

本專利申請大體上涉及內存模塊，并且更具體來說，涉及具有易失性子系統和非易失性子系統兩者的混合內存模塊，以及操作混合內存模塊的系統和方法。

背景技術

計算機系統很大程度上依賴于其系統或主內存的容量和吞吐量以及在最優性能下對所述計算機系統進行存取的速度，例如網絡服務器、個人計算機、PDA、移動電話、視頻游戲、科學儀器儀表、工業機器人、醫療電子器件等等。當前，動態隨機存取內存(DRAM)常用作系統內存。DRAM是一種將數據的每個位存儲在集成電路中的單獨電容器中的隨機存取內存。該電容器可以充電或放電，以至于可采用常規稱為0和1的這兩個狀態來表示一位的兩個值。因為電容器漏電，所以除非周期性地刷新電容器電荷，否則信息最終會逐漸消失。因為此刷新的需求，所以DRAM是一種與SRAM和其它靜態內存相反的動態內存。

DRAM的結構簡單性允許DRAM芯片達到非常高的密度，因為數十億個晶體管和電容器對可以裝配在單一內存芯片上。另一方面，DRAM是易失性內存，也即當去除電力時，其將快速丟失其數據。閃存內存是一種可以被電擦除且重新編程的電子非易失性計算機存儲媒體。與閃存內存相比，DRAM還貴得多。例如，高密度DRAM的費用可超過高性能閃存裝置的10倍。此外，因閃存芯片可具有比DRAM芯片高得多的密度，所以允許設定成相同大小的內存模塊以更多的封裝，從而達到大得多的內存容量。