[發(fā)明專利]一種存儲(chǔ)器件及其制作方法、存儲(chǔ)器及電子設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010082910.4 | 申請(qǐng)日： | 2020-02-07 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN111341909A | 公開（公告）日： | 2020-06-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 高建峰;劉衛(wèi)兵;項(xiàng)金娟;楊濤;李俊峰;王文武 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院微電子研究所 |
| 主分類號(hào)： | H01L45/00 | 分類號(hào)： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京知迪知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11628 | 代理人： | 周娟 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 存儲(chǔ) 器件 及其 制作方法 存儲(chǔ)器 電子設(shè)備 | ||
1.一種存儲(chǔ)器件，其特征在于，包括：形成在襯底上的阻變?cè)凰鲎枳冊(cè)ǖ纂姌O，頂電極，以及位于所述底電極和所述頂電極之間的阻變層；其中，所述底電極、所述阻變層和所述頂電極所含有的材料均為鉭材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，其特征在于，所述阻變層所含有的鉭材料為鉭基氧化物；所述底電極和/或所述頂電極所含有的鉭材料為鉭基導(dǎo)電物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，其特征在于，所述存儲(chǔ)器件還包括擴(kuò)散阻擋層，所述擴(kuò)散阻擋層位于所述阻變層與所述頂電極之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)器件，其特征在于，所述擴(kuò)散阻擋層所含有的材料為鉭。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)器件，其特征在于，所述阻變層包括多層阻變層；多個(gè)所述阻變層的絕緣性沿著遠(yuǎn)離所述底電極的方向逐漸減小。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)器件，其特征在于，所述阻變層包括第一阻變層和第二阻變層，所述第一阻變層形成在所述底電極背離所述襯底的表面，所述第二阻變層位于所述第一阻變層與所述頂電極之間；
所述第一阻變層所含有的材料為TaOx，1.7＜x＜2.1，所述第二阻變層所含有的材料為TaOy，0.25＜y＜1.2。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)器件，其特征在于，所述存儲(chǔ)器件還包括介電層，所述介電層位于所述襯底與所述底電極之間。
8.一種存儲(chǔ)器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供一襯底；
在所述襯底的表面上方形成底電極；
在所述底電極背離所述襯底的表面形成阻變層；
在所述阻變層背離所述襯底的上方形成頂電極；所述底電極、所述阻變層和所述頂電極所含有的材料均為鉭材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)器件的制作方法，其特征在于，所述阻變層所含有的鉭材料為鉭基氧化物；所述底電極和/或所述頂電極所含有的鉭材料為鉭基導(dǎo)電物。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)器件的制作方法，其特征在于，在所述底電極背離所述襯底的表面形成所述阻變層包括：
采用磁控濺射工藝在所述底電極背離所述襯底的上方形成所述阻變層。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)器件的制作方法，其特征在于，在所述底電極背離所述襯底的表面形成所述阻變層后，在所述阻變層背離所述襯底的上方形成所述頂電極前，所述存儲(chǔ)器件的制作方法還包括：
在所述阻變層背離所述襯底的表面形成擴(kuò)散阻擋層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)器件的制作方法，其特征在于，所述擴(kuò)散阻擋層所含有的材料為鉭。
13.根據(jù)權(quán)利要求8～12任一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)器件的制作方法，其特征在于，所述阻變層包括多層阻變層，多個(gè)所述阻變層的絕緣性沿著遠(yuǎn)離所述底電極的方向逐漸減小。
14.根據(jù)權(quán)利要求8～12任一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)器件的制作方法，其特征在于，所述阻變層包括第一阻變層和第二阻變層，所述第一阻變層形成在所述底電極背離所述襯底的表面，所述第二阻變層位于所述第一阻變層與所述頂電極之間；
所述第一阻變層所含有的材料為TaOx，1.7＜x＜2.1，所述第二阻變層所含有的材料為TaOy，0.25＜y＜1.2。
15.根據(jù)權(quán)利要求8～12任一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)器件的制作方法，其特征在于，提供一所述襯底后，在所述襯底的表面上方形成所述底電極前，所述存儲(chǔ)器件的制作方法還包括：
在所述襯底的表面形成介電層。
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