[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示面板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010082513.7 | 申請日: | 2020-02-07 |
| 公開(公告)號: | CN111261800B | 公開(公告)日: | 2021-07-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 鄭穎 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 張曉薇 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 陣列 及其 制備 方法 顯示 面板 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,所述陣列基板具有主顯示區(qū)和功能附加區(qū),所述主顯示區(qū)圍繞所述功能附加區(qū)的至少一部分設(shè)置;所述陣列基板包括:
襯底基板;
設(shè)置于所述襯底基板上的陣列層;
設(shè)置于所述陣列層上的發(fā)光器件層;以及,
覆蓋所述發(fā)光器件層的封裝層;
其中,所述襯底基板包括位于所述主顯示區(qū)的第一部分和位于所述功能附加區(qū)的第二部分,所述第二部分包括靠近所述陣列層的第一側(cè)面,所述第一側(cè)面包括向靠近所述陣列層的方向凸起的第一凸面;所述陣列層包括位于所述主顯示區(qū)的第一分體和位于所述功能附加區(qū)的第二分體,所述第二分體由多層無機(jī)膜層形成,功能附加區(qū)僅保留無機(jī)膜層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第二部分還包括與所述第一側(cè)面背向設(shè)置的第二側(cè)面,所述第二側(cè)面包括向靠近所述陣列層的方向凸起的第二凸面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述第二部分的厚度小于所述第一部分的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,每一層所述無機(jī)膜層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)的側(cè)面均包括向遠(yuǎn)離所述襯底基板的方向凸起的凸面。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板,其特征在于,所述第一分體包括:
設(shè)置于所述襯底基板上的有源層;
覆蓋所述有源層的第一絕緣層;
設(shè)置于所述第一絕緣層上的第一金屬層;
覆蓋所述第一金屬層的第二絕緣層;
設(shè)置于所述第二絕緣層上的第二金屬層;
覆蓋所述第二金屬層的層間絕緣層;
設(shè)置于所述層間絕緣層上的第三金屬層;
其中,所述陣列基板還包括設(shè)置于所述層間絕緣層上且覆蓋所述第三金屬層的平坦層,以及,設(shè)置于所述平坦層上的陽極層和像素定義層;所述功能附加區(qū)處設(shè)置有貫穿所述像素定義層和所述平坦層的通孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板,其特征在于,所述第二分體包括:
與所述第一絕緣層同層設(shè)置的第一無機(jī)層;
與所述第二絕緣層同層設(shè)置的第二無機(jī)層;以及,
與所述層間絕緣層同層設(shè)置的第三無機(jī)層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板,其特征在于,所述發(fā)光器件層位于所述主顯示區(qū),所述封裝層填充所述通孔。
8.一種陣列基板的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
S10、在承載基板的第一側(cè)上與功能附加區(qū)對應(yīng)的位置處形成外凸的凸面結(jié)構(gòu);
S20、在所述承載基板的第一側(cè)上形成襯底基板;
S30、在所述襯底基板上形成陣列層;
S40、在所述陣列層上形成發(fā)光器件層;
S50、形成覆蓋所述發(fā)光器件層的封裝層;
S60、將所述承載基板與所述襯底基板分離;
所述步驟S30包括:
S31、在所述襯底基板上形成位于主顯示區(qū)的有源層;
S32、在所述襯底基板上形成位于所述主顯示區(qū)的第一絕緣層以及位于所述功能附加區(qū)的第一無機(jī)層,所述第一絕緣層覆蓋所述有源層;
S33、形成位于所述第一絕緣層上的第一金屬層;
S34、形成位于所述第一絕緣層上且覆蓋所述第一金屬層的第二絕緣層,并形成位于所述第一無機(jī)層上的第二無機(jī)層;
S35、形成位于所述第二絕緣層上的第二金屬層;
S36、形成位于所述第二絕緣層上且覆蓋所述第二金屬層的層間絕緣層,并形成位于所述第二無機(jī)層上的第三無機(jī)層;
S37、形成位于所述層間絕緣層上的第三金屬層;
S38、形成覆蓋所述第三金屬層的平坦層,并去除所述平坦層位于所述功能附加區(qū)的部分,以形成貫穿平坦層的第一通孔;
S39、在所述平坦層上形成陽極層和像素定義層,并去除所述像素定義層位于所述功能附加區(qū)的部分,以形成貫穿像素定義層的第二通孔;
其中,所述襯底基板包括位于主顯示區(qū)的第一部分和位于功能附加區(qū)的第二部分,所述第二部分包括靠近所述陣列層的第一側(cè)面,所述第一側(cè)面包括向所述陣列層凸起的第一凸面。
9.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括如權(quán)利要求1至7中任一項所述的陣列基板。
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