[發(fā)明專利]多層陶瓷電容器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010082253.3
• 申請(qǐng)日: 2020-02-07
• 公開（公告）號(hào): CN111564310B
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 尹基明;樸宰成;鄭東俊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01G4/12
• 分類號(hào): H01G4/12
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 包國(guó)菊;王春芝

1.一種多層陶瓷電容器，包括：

陶瓷主體，具有設(shè)置在內(nèi)電極之間的介電層，

其中，所述介電層包括多個(gè)介電晶粒和在所述多個(gè)介電晶粒中的至少兩個(gè)介電晶粒之間的晶界，

其中，所述晶界中的Si的重量與Ni的重量的Si/Ni比為大于等于1且小于等于6，并且

其中，所述晶界中的Ni的重量與Ti的重量的Ni/Ti比為0.1或更小。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，在所述晶界中包括的Ni與Si一起處于非晶態(tài)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述介電層中的所述介電晶粒具有0.1μm至0.3μm的尺寸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述晶界具有0.7nm至1.5nm的厚度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述晶界的厚度是均勻的。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述介電層中的所述介電晶粒具有核-殼結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，在所述內(nèi)電極之間的所述介電層具有1μm或更小的厚度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述內(nèi)電極包括設(shè)置為彼此面對(duì)的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，且所述介電層介于所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的多層陶瓷電容器，所述多層陶瓷電容器還包括：

第一外電極，電連接到所述第一內(nèi)電極；以及

第二外電極，電連接到所述第二內(nèi)電極，

其中，所述第一外電極和所述第二外電極設(shè)置在所述陶瓷主體的外部。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述陶瓷主體包括包含所述內(nèi)電極的多個(gè)內(nèi)電極，所述多個(gè)內(nèi)電極堆疊在所述陶瓷主體的有效部中，并且所述陶瓷主體還包括覆蓋部，所述覆蓋部包括在所述內(nèi)電極的堆疊方向上設(shè)置在所述多個(gè)內(nèi)電極中的最上內(nèi)電極上方和最下內(nèi)電極下方的介電層。

11.一種多層陶瓷電容器，包括：

彼此交替堆疊的多個(gè)第一內(nèi)電極和多個(gè)第二內(nèi)電極，且介電層位于所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極之間，

其中，每個(gè)介電層包括多個(gè)介電晶粒，且晶界位于所述多個(gè)介電晶粒之間，并且

所述晶界包括Ni和Ti，并且所述晶界中的Ni的重量與Ti的重量的Ni/Ti比為0.1或更小。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的多層陶瓷電容器，其中，在相鄰的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極之間的每個(gè)介電層具有1μm或更小的厚度。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的多層陶瓷電容器，其中，所述晶界還包括Si，并且所述晶界中的Si的重量與Ni的重量的Si/Ni比為大于等于1且小于等于6。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的多層陶瓷電容器，其中，所述介電層的所述介電晶粒具有包括核和殼的結(jié)構(gòu)，并且所述核不包括Si和Ni。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的多層陶瓷電容器，其中，所述介電層的所述介電晶粒具有由ABO₃表示的鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，其中，A包括從鋇、鍶、鉛和鈣中選擇的至少一種元素，并且B包括從鈦和鋯中選擇的至少一種元素。