[發(fā)明專利]貼膜機(jī)及貼膜方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010082166.8 | 申請(qǐng)日: | 2020-02-07 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113257707B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-06-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊佳裕;陳明宗;賴家偉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 志圣科技(廣州)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290 | 代理人: | 李旭;曹正建 |
| 地址: | 510850 廣東*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 貼膜機(jī) 方法 | ||
1.一種貼膜機(jī),其特征在于,包含:
一下腔體;
一上腔體,可相對(duì)該下腔體移動(dòng)以與該下腔體密合;
一靜電吸盤,設(shè)置于該上腔體,該靜電吸盤用以吸取包含一第一膜料以及一第二膜料的一多層膜,其中該第一膜料介于該靜電吸盤與該第二膜料之間;以及
一膜料撓曲元件,設(shè)置于該上腔體,該膜料撓曲元件可相對(duì)該上腔體活動(dòng)以接近或遠(yuǎn)離該下腔體,并且該膜料撓曲元件為一環(huán)形充氣環(huán),該膜料撓曲元件用以推抵該第一膜料而使該第一膜料的周邊部分產(chǎn)生撓曲,進(jìn)而產(chǎn)生撓曲的該第一膜料的周邊部分覆蓋該第二膜料的側(cè)邊。
2.如權(quán)利要求1所述的貼膜機(jī),其特征在于,更包含一氣囊膜,設(shè)置于該上腔體,其中該靜電吸盤與該氣囊膜相連而設(shè)置于該上腔體。
3.如權(quán)利要求2所述的貼膜機(jī),其特征在于,該靜電吸盤與該環(huán)形充氣環(huán)分別位于該氣囊膜的相對(duì)二側(cè)。
4.如權(quán)利要求2所述的貼膜機(jī),其特征在于,更包含一加熱器,并且該靜電吸盤與該加熱器分別位于該氣囊膜的相對(duì)二側(cè)。
5.如權(quán)利要求1所述的貼膜機(jī),其特征在于,該靜電吸盤用以吸附不同尺寸的多個(gè)膜料。
6.一種貼膜方法,其特征在于,包含:
提供一第一膜料以及一第二膜料,其中該第一膜料的尺寸大于該第二膜料的尺寸;
以一靜電吸盤吸取該第一膜料以及該第二膜料,其中該第一膜料介于該靜電吸盤與該第二膜料之間;
令一膜料撓曲元件與該第一膜料靠近,以藉由該膜料撓曲元件推抵該第一膜料而使該第一膜料的周邊部分產(chǎn)生撓曲,進(jìn)而產(chǎn)生撓曲的該第一膜料的周邊部分覆蓋該第二膜料的側(cè)邊,其中該膜料撓曲元件為一環(huán)形充氣環(huán);以及
將該第二膜料貼附于一基材。
7.如權(quán)利要求6所述的貼膜方法,其特征在于,該第一膜料為非熱熔性材質(zhì),該第二膜料為熱熔性材質(zhì)。
8.如權(quán)利要求6所述的貼膜方法,其特征在于,該靜電吸盤設(shè)置于一上腔體,該基材承載于一下腔體,該貼膜方法更包含:
使該上腔體與該下腔體密合而形成一密閉腔室,且該基材以及吸附有該第一膜料與該第二膜料的該靜電吸盤位于該密閉腔室內(nèi);以及
對(duì)該密閉腔室抽真空。
9.如權(quán)利要求6所述的貼膜方法,其特征在于,將該第二膜料貼附于該基材包含:
加熱該第二膜料;以及
施力推壓該靜電吸盤,以將該第二膜料貼附于該基材。
10.如權(quán)利要求6所述的貼膜方法,其特征在于,以該靜電吸盤吸取該第一膜料以及該第二膜料包含:
以該靜電吸盤吸取該第一膜料;以及
以吸附有該第一膜料的該靜電吸盤吸取該第二膜料。
11.如權(quán)利要求6所述的貼膜方法,其特征在于,以該靜電吸盤吸取該第一膜料以及該第二膜料包含:
以該靜電吸盤吸取由該第一膜料與該第二膜料組成的一多層膜。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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