[發明專利]ScAlMgO4 在審
| 申請號： | 202010082054.2 | 申請日： | 2020-02-06 |
| 公開（公告）號： | CN111560648A | 公開（公告）日： | 2020-08-21 |
| 發明（設計）人： | 宮野謙太郎;領木直矢;石橋明彥;信岡政樹 | 申請（專利權）人： | 松下知識產權經營株式會社 |
| 主分類號： | C30B15/00 | 分類號： | C30B15/00;C30B29/22 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 葛凡 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | scalmgo base sub | ||
本發明提供一種解理性高、且在基板上生長的GaN膜不易破裂的ScAlMgO4單晶基板及其制造方法。將通過使用電感耦合等離子體發射光譜分析法進行分析而得的結晶中的氧濃度設為57原子％以下。
技術領域
本申請涉及ScAlMgO4單晶基板及其制造方法。
背景技術
近年來，作為用于形成氮化鎵(GaN)的基板，ScAlMgO4受到關注。關于ScAlMgO4與GaN的晶格失配，與以往的藍寶石相比為其1/10，是有望實現發光二極管(LED)的高亮度化的材料。
作為ScAlMgO4單晶的制造方法，已知有切克勞斯基法(CZ法)。CZ法中，將材料放入設置于腔室內的坩堝中，使該材料熔融后，使晶種與熔液接觸。并且，使用提拉機構一邊使晶種緩慢地旋轉一邊進行提拉，由此使與晶種具有相同方位排列的單晶生長，得到圓柱狀的晶錠。
專利文獻1和專利文獻2中記載了ScAlMgO4的制造方法。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本特開2015-48296號公報
專利文獻2：日本特開2015-178448號公報
發明內容
發明要解決的課題
然而，若在ScAlMgO4單晶基板上使GaN膜生長，則存在如下課題：GaN膜與ScAlMgO4單晶基板發生翹曲，因此相互施加應力，GaN膜發生破裂。
本申請的目的在于解決上述課題，并提供所生長的GaN膜不易發生破裂的ScAlMgO4單晶基板及其制造方法。
用于解決課題的手段
對于本申請的ScAlMgO4單晶基板而言，將通過使用電感耦合等離子體發射光譜分析法進行分析而得的結晶中的氧濃度設為57原子％以下。
另外，本申請的ScAlMgO4單晶基板的制造方法具有以下工序：使晶種接觸所述ScAlMgO4所示的單晶基板的原料熔液而生成結晶的引晶工序；以及對通過所述引晶工序而生成的所述結晶進行提拉從而培育單晶體的結晶培育工序。在所述結晶培育工序中，在氧濃度為0.1體積％以下的氣氛下將所述結晶從所述熔液中進行提拉。
發明的效果
根據本申請，能夠提供解理性高、且在基板上生長的GaN膜不易破裂的ScAlMgO4單晶基板及其制造方法。
附圖說明
圖1是示出本申請的一個實施方式涉及的ScAlMgO4單晶基板的制造方法所使用的高頻加熱方式爐的構成的示意圖。
圖2是通過本申請的一個實施方式涉及的ScAlMgO4單晶基板的制造方法來制造單晶時的流程圖。
圖3是示出本申請的一個實施方式涉及的ScAlMgO4單晶基板的制造方法所使用的電阻加熱方式爐的構成的示意圖。
圖4是利用透射電子顯微鏡觀察本申請的一個實施方式涉及的ScAlMgO4單晶基板的晶體結構的圖。
附圖標記說明
100 高頻加熱方式爐
110 ScAlMgO4原料
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