[發(fā)明專利]ScAlMgO4 在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010082054.2 | 申請日： | 2020-02-06 |
| 公開（公告）號： | CN111560648A | 公開（公告）日： | 2020-08-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 宮野謙太郎;領(lǐng)木直矢;石橋明彥;信岡政樹 | 申請（專利權(quán)）人： | 松下知識產(chǎn)權(quán)經(jīng)營株式會社 |
| 主分類號： | C30B15/00 | 分類號： | C30B15/00;C30B29/22 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 葛凡 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | scalmgo base sub | ||
1.一種ScAlMgO4單晶基板，其中，通過使用電感耦合等離子體發(fā)射光譜分析法進(jìn)行分析而得的結(jié)晶中的氧濃度為57原子％以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ScAlMgO4單晶基板，其為結(jié)晶生長用的基板，且具有下述式中的σ滿足5.0N/mm2以上的曲率半徑R和厚度ts，
σ＝(Ef×tf2)×103/(6×(1-vf)×R×ts)
上述式中，Ef表示要結(jié)晶生長的膜的楊氏模量，vf表示要結(jié)晶生長的膜的泊松比，tf表示要結(jié)晶生長的膜的厚度，
其中，R的單位為m，ts的單位為m，Ef的單位為GPa，tf的單位為m。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的ScAlMgO4單晶基板，其中，所述要結(jié)晶生長的膜為GaN。
4.一種ScAlMgO4單晶基板的制造方法，其是權(quán)利要求1或2所述的ScAlMgO4單晶基板的制造方法，其具有以下工序：
使晶種接觸ScAlMgO4所示的單晶基板的原料熔液而生成結(jié)晶的引晶工序；以及
對通過所述引晶工序而生成的所述結(jié)晶進(jìn)行提拉從而培育單晶體的結(jié)晶培育工序，
在所述結(jié)晶培育工序中，在氧濃度為0.1體積％以下的氣氛下將所述結(jié)晶從所述熔液中進(jìn)行提拉。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的ScAlMgO4單晶基板的制造方法，其中，在所述結(jié)晶培育工序中，將所述熔液的液面正下方的溫度梯度設(shè)為4.4℃/mm以上。
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