[發(fā)明專利]基板處理方法和基板處理裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010081889.6
• 申請日: 2020-02-06
• 公開（公告）號: CN111560601B
• 公開（公告）日: 2023-06-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 岡田充弘;藤井康
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/34;H01L21/768
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

本發(fā)明提供提高含金屬膜的連續(xù)性的基板處理方法和基板處理裝置。基板處理方法具備如下工序：準(zhǔn)備基板的工序；將載置所述基板的載物臺的溫度加熱到第1溫度，向所述基板供給第1原料氣體而在所述基板的表面形成晶種層的工序；以及將載置所述基板的載物臺的溫度加熱到第2溫度，向形成了所述晶種層的所述基板供給第2原料氣體和第1還原氣體而使含金屬膜成膜的工序。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及基板處理方法和基板處理裝置。

背景技術(shù)

例如，作為3DNAND的字線、勢壘金屬，公知使用TiN膜。

在專利文獻(xiàn)1中公開了使TiN膜等成膜的基板處理裝置。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2004-6699號公報

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問題

在一方面，本公開提供提高含金屬膜的連續(xù)性的基板處理方法和基板處理裝置。

用于解決問題的方案

為了解決上述問題，根據(jù)一技術(shù)方案，提供一種基板處理方法，該基板處理方法具備如下工序：準(zhǔn)備基板的工序；將載置所述基板的載物臺的溫度加熱到第1溫度，向所述基板供給第1原料氣體而在所述基板的表面形成晶種層的工序；以及將載置所述基板的載物臺的溫度加熱到第2溫度，向形成了所述晶種層的所述基板供給第2原料氣體和第1還原氣體而使含金屬膜成膜的工序。

發(fā)明的效果

根據(jù)一方面，能夠提供提高含金屬膜的連續(xù)性的基板處理方法和基板處理裝置。

附圖說明

圖1是本實施方式的群集系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)圖。

圖2是第1實施方式的群集系統(tǒng)所具備的晶種層形成裝置的截面示意圖的一個例子。

圖3是本實施方式的群集系統(tǒng)所具備的成膜裝置的截面示意圖的一個例子。

圖4是表示本實施方式的群集系統(tǒng)中的動作的一個例子的流程圖。

圖5是表示第1實施方式的各工序中的基板的狀態(tài)的截面示意圖。

圖6是第2實施方式的群集系統(tǒng)所具備的晶種層形成裝置的截面示意圖的一個例子。

圖7是表示第2實施方式的各工序中的基板的狀態(tài)的截面示意圖。

圖8是表示使含金屬膜成膜的處理中的ALD工藝的循環(huán)次數(shù)與TiN膜的膜厚之間的關(guān)系的圖表。

圖9是變形例的基板處理裝置的截面示意圖的一個例子。

具體實施方式

以下，參照附圖而對用于實施本公開的形態(tài)進(jìn)行說明。在各附圖中，存在如下情況：對同樣構(gòu)成部分標(biāo)注相同附圖標(biāo)記，而省略重復(fù)的說明。

＜群集系統(tǒng)＞

使用圖1而對本實施方式的群集系統(tǒng)(基板處理裝置)300進(jìn)行說明。圖1是本實施方式的群集系統(tǒng)300的結(jié)構(gòu)圖。群集系統(tǒng)300是如下裝置：在晶圓等基板W的表面形成晶種層，之后，在形成了晶種層的基板W使含金屬膜成膜。

如圖1所示，群集系統(tǒng)300具有兩個晶種層形成裝置100和兩個成膜裝置200。這些裝置分別借助閘閥G與俯視形狀呈七邊形的真空輸送室301的4個壁部連接。真空輸送室301內(nèi)利用真空泵排氣而被保持在預(yù)定的真空度。