[發明專利]基板處理方法和基板處理裝置

有效

• 申請號: 202010081889.6
• 申請日: 2020-02-06
• 公開（公告）號: CN111560601B
• 公開（公告）日: 2023-06-27
• 發明（設計）人: 岡田充弘;藤井康
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/34;H01L21/768
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種基板處理方法，其中，

該基板處理方法具備如下工序：

準備基板的工序；

將載置所述基板的載物臺的溫度加熱到第1溫度，向所述基板供給第1原料氣體而在所述基板的表面形成晶種層的工序；以及

將載置所述基板的載物臺的溫度加熱到第2溫度，向形成了所述晶種層的所述基板供給第2原料氣體和第1還原氣體而使含金屬膜成膜的工序，

其中，所述晶種層與所述基板的未形成所述晶種層的表面相比，對所述第2原料氣體的吸附性較高，所述第1原料氣體是含硅氣體，所述第2原料氣體是含金屬氣體，

所述第1還原氣體是含氮氣體，使含金屬膜成膜的工序包括第1工序和第2工序，其中，在所述第1工序中，向所述基板供給所述第2原料氣體，以使得所述第2原料氣體吸附于所述晶種層，在所述第2工序中，在所述第1工序之后，向所述基板供給所述第1還原氣體，以使吸附到所述基板上的所述第2原料氣體還原，其中，通過反復將所述第1工序和所述第2工序進行預定循環，來在所述基板上形成期望膜厚的所述含金屬膜，以及

所述晶種層是不連續膜。

2.根據權利要求1所述的基板處理方法，其中，

在形成所述晶種層的工序的期間連續地供給所述第1原料氣體。

3.根據權利要求1或2所述的基板處理方法，其中，

所述第2原料氣體與所述第1原料氣體不同。

4.根據權利要求1或2所述的基板處理方法，其中，

所述第2原料氣體是含Ti氣體。

5.一種基板處理裝置，其中，

該基板處理裝置具備：

腔室；

載物臺，其用于載置基板；

氣體供給部，其用于向所述腔室供給氣體；

加熱源，其用于加熱所述載物臺；以及

控制部，

所述控制部執行如下工序：

準備所述基板的工序；

將載置所述基板的所述載物臺的溫度加熱到第1溫度，向所述基板供給第1原料氣體而在所述基板的表面形成晶種層的工序；以及

將載置所述基板的所述載物臺的溫度加熱到第2溫度，向形成了所述晶種層的所述基板供給第2原料氣體和第1還原氣體而使含金屬膜成膜的工序，

其中，所述晶種層與所述基板的未形成所述晶種層的表面相比，對所述第2原料氣體的吸附性較高，所述第1原料氣體是含硅氣體，所述第2原料氣體是含金屬氣體，

所述第1還原氣體是含氮氣體，使含金屬膜成膜的工序包括第1工序和第2工序，其中，在所述第1工序中，向所述基板供給所述第2原料氣體，以使得所述第2原料氣體吸附于所述晶種層，在所述第2工序中，在所述第1工序之后，向所述基板供給所述第1還原氣體，以使吸附到所述基板上的所述第2原料氣體還原，其中，通過反復將所述第1工序和所述第2工序進行預定循環，來在所述基板上形成期望膜厚的所述含金屬膜，以及

所述晶種層是不連續膜。

6.一種基板處理裝置，其是具有真空輸送室和多個腔室的基板處理裝置，其中，

各腔室具有：

載物臺，其用于載置基板；

氣體供給部，其用于向所述腔室供給氣體；

加熱源，其用于加熱所述載物臺；以及

控制部，

所述控制部執行如下工序：

在一腔室準備所述基板的工序；

將載置所述基板的所述載物臺的溫度加熱到第1溫度，向所述基板供給第1原料氣體而在所述基板的表面形成晶種層的工序；

以不暴露于大氣的方式經由所述真空輸送室從所述一腔室向其他腔室輸送所述基板的工序；以及

將載置所述基板的所述載物臺的溫度加熱到第2溫度，向形成了所述晶種層的所述基板供給第2原料氣體和第1還原氣體而使含金屬膜成膜的工序，

其中，所述晶種層與所述基板的未形成所述晶種層的表面相比，對所述第2原料氣體的吸附性較高，所述第1原料氣體是含硅氣體，所述第2原料氣體是含金屬氣體，

所述第1還原氣體是含氮氣體，使含金屬膜成膜的工序包括第1工序和第2工序，其中，在所述第1工序中，向所述基板供給所述第2原料氣體，以使得所述第2原料氣體吸附于所述晶種層，在所述第2工序中，在所述第1工序之后，向所述基板供給所述第1還原氣體，以使吸附到所述基板上的所述第2原料氣體還原，其中，通過反復將所述第1工序和所述第2工序進行預定循環，來在所述基板上形成期望膜厚的所述含金屬膜，以及

所述晶種層是不連續膜。