[發明專利]基板處理裝置、半導體器件的制造方法和存儲介質

在審

• 申請號: 202010081220.7
• 申請日: 2020-02-06
• 公開（公告）號: CN111663116A
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發明（設計）人: 加我友紀直;西浦進;杉下雅士;西田政哉
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/46;C23C16/52;C23C16/54;C23C16/458;C23C16/34;C23C16/14;H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 范勝杰;趙子翔

1.一種基板處理裝置，其特征在于，

上述基板處理裝置具備：

處理室，其容納基板；

加熱部，其對上述處理室內進行加熱；

控制部，其進行控制以使得能夠根據所設定的工藝參數而在上述基板上形成膜；

計算部，其計算附著在上述處理室內的膜厚；以及

存儲部，其存儲由上述計算部計算出的膜厚的累計值作為累計膜厚，

上述控制部能夠根據存儲于上述存儲部的累計膜厚來決定上述工藝參數的溫度以外的設定值。

2.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

上述控制部能夠使用預先準備的表或計算公式，決定與存儲于上述存儲部的累計膜厚對應的、上述工藝參數的溫度以外的設定值。

3.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

上述控制部能夠還使用累計膜厚以外的其他條件，決定上述工藝參數的溫度以外的設定值。

4.根據權利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，

上述控制部構成為能夠還使用累計膜厚以外的其他條件，決定上述工藝參數的溫度以外的設定值。

5.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

上述控制部構成為，上述工藝參數對包含周期數、壓力、氣體流量、步驟時間中的至少任意一個的數據進行運算。

6.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

上述工藝參數包含周期數的數據，

上述控制部構成為，進行運算以使得根據在上述基板上成膜的設定膜厚來決定上述周期數。

7.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，

上述半導體器件的制造方法包括：

(a)在處理室內容納基板的工序；

(b)對上述處理室內進行加熱的工序；

(c)根據所設定的工藝參數而在上述基板上形成膜的工序；

(d)計算附著在上述處理室內的膜厚的工序；

(e)存儲計算出的膜厚的累計值作為累計膜厚的工序；以及

(f)根據所存儲的累計膜厚來決定上述工藝參數的溫度以外的設定值的工序。

8.根據權利要求7所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

在上述(f)工序中，使用預先準備的表或計算公式，決定與存儲于上述存儲部的累計膜厚對應的、上述工藝參數的溫度以外的設定值。

9.根據權利要求7所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

在上述(f)工序中，能夠還使用累計膜厚以外的其他條件，決定上述工藝參數的溫度以外的設定值。

10.根據權利要求8所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

在上述(f)工序中，能夠還使用累計膜厚以外的其他條件，決定上述工藝參數的溫度以外的設定值。

11.根據權利要求7所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

上述工藝參數包含周期數、壓力、氣體流量、步驟時間中的至少任意一個。

12.根據權利要求7所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

上述工藝參數包含周期數的數據，

在上述(f)工序中，進行運算以使得根據在上述基板上成膜的設定膜厚來決定上述周期數。