[發明專利]基板處理裝置、半導體器件的制造方法和存儲介質

在審

• 申請號: 202010081220.7
• 申請日: 2020-02-06
• 公開（公告）號: CN111663116A
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發明（設計）人: 加我友紀直;西浦進;杉下雅士;西田政哉
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/46;C23C16/52;C23C16/54;C23C16/458;C23C16/34;C23C16/14;H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 范勝杰;趙子翔

本發明提供能夠使形成在基板上的膜厚在批處理之間均等的技術。基板處理裝置構成為具備：處理室，其容納基板；加熱部，其對處理室內進行加熱；控制部，其進行控制以使得能夠根據所設定的工藝參數而在基板上形成膜；計算部，其計算附著在處理室內的膜厚；存儲部，其存儲由計算部計算出的膜厚的累計值作為累計膜厚，控制部能夠根據存儲在存儲部中的累計膜厚來決定工藝參數的溫度以外的設定值。

技術領域

本發明涉及基板處理裝置、半導體器件的制造方法和存儲介質。

背景技術

通過加熱裝置對反應爐內進行加熱控制而在基板上形成膜(例如參照專利文獻1)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2003-109906號公報

發明要解決的問題

在上述那樣的反應爐內，隨著進行基板處理的批處理次數增加，在反應爐內的內壁面、設置在反應爐內的溫度檢測器等上也附著膜并累積。由于該附著并累積在反應爐內的膜，即使按照相同的設定值進行批處理，形成的膜的膜厚也有時在批處理之間不同。

發明內容

本發明的目的在于：提供能夠使形成在基板上的膜厚在批處理之間均等的技術。

解決方案

根據本發明的一個實施例，提供以下的技術，其構成為具備：

處理室，其容納基板；

加熱部，其對處理室內進行加熱；

控制部，其進行控制以使得能夠根據所設定的工藝參數而在基板上形成膜；

計算部，其計算附著在處理室內的膜厚；

存儲部，其存儲由計算部計算出的膜厚的累計值作為累計膜厚，

控制部能夠根據存儲在存儲部中的累計膜厚來決定工藝參數的溫度以外的設定值。

發明效果

根據本發明，能夠使形成在基板上的膜厚在批處理之間均等。

附圖說明

圖1是表示本發明的一個實施方式的基板處理裝置的縱式處理爐的概要的縱向剖視圖。

圖2是圖1的A-A線的概要橫向剖視圖。

圖3是本發明的一個實施方式的基板處理裝置的控制器的概要結構圖，且是用框圖表示控制器的控制系統的圖。

圖4是本發明的一實施方式的基板處理裝置的動作的流程圖。

圖5是表示比較例的處理室內累計膜厚與每個批處理的形成在基板上的膜的膜厚之間的關系的圖。

圖6是表示存儲在存儲裝置中的數據的一個例子的圖。

圖7是表示存儲在存儲裝置中的數據的一個例子的圖。

圖8是與比較例比較地表示本發明的一個實施方式的處理室內累計膜厚與每個批處理的形成在基板上的膜的膜厚之間的關系的圖。

圖9是表示第二實施方式的基板處理裝置的動作的流程圖。

附圖標記說明：

10：基板處理裝置；121：控制器；200：晶圓(基板)；201：處理室。

具體實施方式

本發明的一個實施方式

以下，說明本發明的一個實施方式。作為在半導體器件的制造工序中使用的裝置的一個例子，而構成基板處理裝置10。