[發明專利]氮化物熒光體的制造方法和氮化物熒光體

在審

• 申請號: 202010080439.5
• 申請日: 2020-02-04
• 公開（公告）號: CN111548794A
• 公開（公告）日: 2020-08-18
• 發明（設計）人: 渡邊浩之;鈴木茂之;細川昌治
• 申請（專利權）人: 日亞化學工業株式會社
• 主分類號: C09K11/79
• 分類號: C09K11/79
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 張毅群

本發明提供一種耐久性優異的氮化物熒光體的制造方法和氮化物熒光體。一種氮化物熒光體的制造方法，其包括：準備熒光體芯粒子的步驟，所述熒光體芯粒子具有包含Sr、Ca、Eu、Al、Si和N的組成，且將上述組成中的Al的摩爾比設為1時，Sr的摩爾比在0.45以上且1.1以下的范圍內，Ca的摩爾比在超過0且小于0.55的范圍內，Eu的摩爾比在超過0且為0.033以下的范圍內，Sr、Ca與Eu的總摩爾比為1.1以下，Si的摩爾比在0.81以上且1.21以下的范圍內，N的摩爾比在2.25以上且3.85以下的范圍內；使尿素、硅酸鹽、水與上述熒光體芯粒子發生接觸，以70℃以上且150℃以下的范圍內的溫度進行第一熱處理的步驟；以及將進行了上述第一熱處理的熒光體芯粒子以350℃以上且600℃以下的范圍內的溫度進行第二熱處理的步驟。

技術領域

本發明涉及氮化物熒光體的制造方法和氮化物熒光體。

背景技術

將發光二極管(Light Emitting Diode、以下也稱為“LED”)、激光二極管(LaserDiode、以下也稱為“LD”)與熒光體組合而成的發光裝置被廣泛地應用于照明裝置、液晶顯示裝置的背光等，并逐漸普及。作為發光裝置所使用的氮化物熒光體，已知例如專利文獻1公開的(Sr，Ca)AlSiN₃：Eu。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：國際公開第2015/001860號

發明內容

發明要解決的課題

對于氮化物熒光體而言，尋求進一步改善耐久性。

因而，本發明的一個方式的目的在于，獲得耐久性優異的氮化物熒光體。

用于解決課題的手段

本發明包括以下的方式。

本發明的第一方式是一種氮化物熒光體的制造方法，其包括：準備熒光體芯粒子的步驟，所述熒光體芯粒子具有包含Sr、Ca、Eu、Al、Si和N的組成，且將上述組成中的Al的摩爾比設為1時，Sr的摩爾比在0.45以上且1.1以下的范圍內，Ca的摩爾比在超過0且小于0.55的范圍內，Eu的摩爾比在超過0且為0.033以下的范圍內，Sr、Ca與Eu的總摩爾比為1.1以下，Si的摩爾比在0.81以上且1.21以下的范圍內，N的摩爾比在2.25以上且3.85以下的范圍內；使尿素、硅酸鹽、水與上述熒光體芯粒子發生接觸，以70℃以上且150℃以下的范圍內的溫度進行第一熱處理的步驟；以及將進行了上述第一熱處理的熒光體芯粒子以350℃以上且600℃以下的范圍內的溫度進行第二熱處理的步驟。

本發明的第二方式是一種氮化物熒光體，其包含熒光體芯粒子且在熒光體芯粒子的表面自熒光體芯粒子一側起依次包含第一膜和第二膜，所述熒光體芯粒子具有包含Sr、Ca、Eu、Si、Al和N的組成，且將上述組成中的Al的摩爾比設為1時，Sr的摩爾比在0.45以上且1.1以下的范圍內，Ca的摩爾比在超過0且小于0.55的范圍內，Eu的摩爾比在超過0且為0.033以下的范圍內，Sr、Ca與Eu的總摩爾比為1.1以下，Si的摩爾比在0.81以上且1.21以下的范圍內，N的摩爾比在2.25以上且3.85以下的范圍內，所述第一膜包含選自Sr、Ca、Eu、Si和Al中的至少1種元素和氧，所述第二膜至少包含Si。

發明的效果

根據本發明的一個方式，能夠獲得耐久性優異的氮化物熒光體。

附圖說明

圖1為氮化物熒光體的制造方法的流程圖。

圖2為氮化物熒光體的制造方法的流程圖。

圖3為示出實施例1和比較例1所述的氮化物熒光體的發光光譜的圖。