[發(fā)明專利]氮化物熒光體的制造方法和氮化物熒光體

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010080439.5
• 申請日: 2020-02-04
• 公開（公告）號: CN111548794A
• 公開（公告）日: 2020-08-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 渡邊浩之;鈴木茂之;細(xì)川昌治
• 申請（專利權(quán)）人: 日亞化學(xué)工業(yè)株式會社
• 主分類號: C09K11/79
• 分類號: C09K11/79
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 張毅群

1.一種氮化物熒光體的制造方法，其包括：

準(zhǔn)備熒光體芯粒子的步驟，所述熒光體芯粒子具有包含Sr、Ca、Eu、Al、Si和N的組成，且將所述組成中的Al的摩爾比設(shè)為1時(shí)，Sr的摩爾比在0.45以上且1.1以下的范圍內(nèi)，Ca的摩爾比在超過0且小于0.55的范圍內(nèi)，Eu的摩爾比在超過0且為0.033以下的范圍內(nèi)，Sr、Ca與Eu的總摩爾比為1.1以下，Si的摩爾比在0.81以上且1.21以下的范圍內(nèi)，N的摩爾比在2.25以上且3.85以下的范圍內(nèi)；

使尿素、硅酸鹽、水與所述熒光體芯粒子發(fā)生接觸，以70℃以上且150℃以下的范圍內(nèi)的溫度進(jìn)行第一熱處理的步驟；以及

將進(jìn)行了所述第一熱處理的熒光體芯粒子以350℃以上且600℃以下的范圍內(nèi)的溫度進(jìn)行第二熱處理的步驟。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物熒光體的制造方法，其包括：在所述第一熱處理之前，使水與所述熒光體芯粒子發(fā)生接觸，以70℃以上且150℃以下的范圍內(nèi)的溫度進(jìn)行前熱處理的步驟。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氮化物熒光體的制造方法，其中，所述熒光體芯粒子具有下述式(I)所示的組成，

Sr_uCa_vEu_wSi_xAl_yN_z (I)

所述式(I)中，u、v、w、x、y和z分別為滿足0.5≤u≤1.0、0＜v＜0.5、0＜w≤0.03、u+v+w≤1.0、0.9≤x≤1.1、0.9≤y≤1.1、2.5≤z≤3.5的數(shù)值。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的氮化物熒光體的制造方法，其中，所述第一熱處理或所述前熱處理的處理時(shí)間為1小時(shí)以上且24小時(shí)以內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求2～4中任一項(xiàng)所述的氮化物熒光體的制造方法，其中，所述第一熱處理中，所述硅酸鹽相對于進(jìn)行了所述前熱處理的所述熒光體芯粒子的質(zhì)量比在2％以上且5％以下的范圍內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的氮化物熒光體的制造方法，其中，所述第二熱處理的處理時(shí)間為3小時(shí)以上且24小時(shí)以內(nèi)。

7.一種氮化物熒光體，其包含熒光體芯粒子且在熒光體芯粒子的表面自熒光體芯粒子一側(cè)起依次包含第一膜和第二膜，

所述熒光體芯粒子具有包含Sr、Ca、Eu、Si、Al和N的組成，將所述組成中的Al的摩爾比設(shè)為1時(shí)，Sr的摩爾比在0.45以上且1.1以下的范圍內(nèi)，Ca的摩爾比在超過0且小于0.55的范圍內(nèi)，Eu的摩爾比在超過0且為0.033以下的范圍內(nèi)，Sr、Ca與Eu的總摩爾比為1.1以下，Si的摩爾比在0.81以上且1.21以下的范圍內(nèi)，N的摩爾比在2.25以上且3.85以下的范圍內(nèi)，

所述第一膜包含選自Sr、Ca、Eu、Si和Al中的至少1種元素和氧，

所述第二膜至少包含Si。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的氮化物熒光體，其中，所述熒光體芯粒子具有下述式(I)所示的組成，

Sr_uCa_vEu_wSi_xAl_yN_z (I)

所述式(I)中，u、v、w、x、y和z分別為滿足0.5≤u≤1.0、0＜v＜0.5、0＜w≤0.03、u+v+w≤1.0、0.9≤x≤1.1、0.9≤y≤1.1、2.5≤z≤3.5的數(shù)值。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的氮化物熒光體，其中，所述熒光體芯粒子的體積平均粒徑在1μm以上且40μm以下的范圍內(nèi)，所述第一膜的厚度在10nm以上且100nm以下的范圍內(nèi)。

10.根據(jù)權(quán)利要求7～9中任一項(xiàng)所述的氮化物熒光體，其中，所述熒光體芯粒子的體積平均粒徑在1μm以上且40μm以下的范圍內(nèi)，所述第二膜的厚度為10nm以上且200nm以下。

11.根據(jù)權(quán)利要求7～10中任一項(xiàng)所述的氮化物熒光體，其中，所述第二膜所含的Si和氧的摩爾比多于所述第一膜所含的Si和氧的摩爾比。