[發(fā)明專利]確認(rèn)方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010079650.5
• 申請(qǐng)日: 2020-02-04
• 公開（公告）號(hào): CN111564381A
• 公開（公告）日: 2020-08-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 芥川幸人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社迪思科
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;H01L21/301;B23K26/53
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 喬婉;于靖帥

提供確認(rèn)方法，容易確認(rèn)激光束的照射對(duì)被加工物的正面帶來的影響。在確認(rèn)用晶片的金屬箔上形成兩條線狀加工痕(M1)和(M2)，對(duì)它們中間的基準(zhǔn)位置照射激光束而形成改質(zhì)層(T)。雖然不容易視認(rèn)形成于基材的內(nèi)部的改質(zhì)層(T)，但是線狀加工痕(M1)和(M2)明確地形成于金屬箔(5)的正面上，因此能夠容易地視認(rèn)。因此，根據(jù)線狀加工痕(M1)和(M2)，能夠把握改質(zhì)層(T)的位置、即改質(zhì)層(T)形成時(shí)的激光束的照射位置。因此，用戶能夠獲取激光束的照射位置和由于到達(dá)基材(2)的正面的激光束而形成的正面損傷(LD)的位置關(guān)系，因此能夠容易確認(rèn)激光束的照射對(duì)被加工物的正面帶來的影響。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及確認(rèn)方法，確認(rèn)照射到被加工物的背面的激光束對(duì)被加工物的正面帶來的影響。

背景技術(shù)

用于形成芯片的被加工物例如在由形成于其正面的交叉的多條間隔道(分割預(yù)定線)劃分的各區(qū)域內(nèi)分別具有器件。通過沿著間隔道將被加工物斷開而形成芯片。因此，有從被加工物的背面沿著間隔道照射激光束而在被加工物的內(nèi)部形成沿著間隔道的改質(zhì)層的方法。

在該方法中，有時(shí)正面的器件會(huì)因來自背面的激光束的照射而受到影響。因此，要求確認(rèn)有無這樣的影響或這樣的影響的程度。例如在專利文獻(xiàn)1中公開了用于確認(rèn)這樣的激光束的影響的確認(rèn)用晶片。通過從背面對(duì)該確認(rèn)用晶片照射激光束而形成改質(zhì)層，能夠?qū)υ诖_認(rèn)用晶片的正面上所產(chǎn)生的損傷(以下稱為正面損傷)進(jìn)行檢測。由此，能夠確認(rèn)激光束對(duì)被加工物的正面帶來的影響、選定適當(dāng)?shù)募庸l件、以及檢測加工裝置的異常。

專利文獻(xiàn)1：日本特開2017-37912號(hào)公報(bào)

在改質(zhì)層的形成時(shí)，在間隔道內(nèi)未形成器件，因此在作為激光束的照射位置的正背面的間隔道內(nèi)產(chǎn)生正面損傷是沒有問題的。因此，知曉在偏離激光束的照射位置何種程度的位置會(huì)產(chǎn)生正面損傷很重要。

但是，在專利文獻(xiàn)1的確認(rèn)用晶片中未形成間隔道，因此難以從其外觀判別激光束的照射位置。另外，還考慮從改質(zhì)層判別激光束的照射位置。但是，改質(zhì)層形成于確認(rèn)用晶片的內(nèi)部，因此不容易從外觀進(jìn)行判別。這樣，在專利文獻(xiàn)1的確認(rèn)用晶片中存在不容易把握準(zhǔn)確的激光束的照射位置的問題。

發(fā)明內(nèi)容

由此，本發(fā)明的目的在于提供確認(rèn)方法，在從背面對(duì)不具有間隔道的確認(rèn)用晶片照射用于形成改質(zhì)層的激光束時(shí)，能夠判別激光束的照射位置，從而能夠容易地確認(rèn)激光束的照射對(duì)被加工物的正面帶來的影響。

根據(jù)本發(fā)明，提供確認(rèn)方法，對(duì)通過激光加工裝置從被加工物的背面?zhèn)日丈鋵?duì)于被加工物具有透過性的波長的激光束而在被加工物的內(nèi)部形成改質(zhì)層時(shí)的、激光束的照射對(duì)被加工物的正面帶來的影響進(jìn)行確認(rèn)，其中，該確認(rèn)方法具有如下的步驟：確認(rèn)用晶片準(zhǔn)備步驟，準(zhǔn)備在基材的正面上層疊有金屬箔的確認(rèn)用晶片；改質(zhì)層形成步驟，在將聚光點(diǎn)定位于該確認(rèn)用晶片的該基材的內(nèi)部的狀態(tài)下，從該基材的背面?zhèn)日丈鋵?duì)于該基材具有透過性的波長的激光束，并且使該聚光點(diǎn)和該確認(rèn)用晶片在加工進(jìn)給方向上相對(duì)移動(dòng)，從而在該基材的內(nèi)部形成改質(zhì)層；線狀加工痕形成步驟，在與該加工進(jìn)給方向垂直的轉(zhuǎn)位進(jìn)給方向上距離該改質(zhì)層形成步驟中的激光束的照射位置為規(guī)定距離的位置，將聚光點(diǎn)定位于該確認(rèn)用晶片的該基材與該金屬箔的界面，在該狀態(tài)下，從該基材的背面?zhèn)日丈鋵?duì)于該基材具有透過性的波長的激光束，并且使該聚光點(diǎn)和該確認(rèn)用晶片在該加工進(jìn)給方向上相對(duì)移動(dòng)，從而在該金屬箔的正面上形成線狀加工痕；以及確認(rèn)步驟，在實(shí)施了該改質(zhì)層形成步驟和該線狀加工痕形成步驟之后，根據(jù)該線狀加工痕的位置對(duì)在該改質(zhì)層形成步驟中所照射的該激光束對(duì)該金屬箔的正面帶來的影響進(jìn)行確認(rèn)。

優(yōu)選該改質(zhì)層形成步驟在實(shí)施了該線狀加工痕形成步驟之后實(shí)施。

優(yōu)選本確認(rèn)方法還具有如下的基準(zhǔn)位置設(shè)定步驟：在實(shí)施了該確認(rèn)用晶片準(zhǔn)備步驟之后，將該確認(rèn)用晶片中的要形成該改質(zhì)層的位置設(shè)定為基準(zhǔn)位置。優(yōu)選在該改質(zhì)層形成步驟中，對(duì)該基準(zhǔn)位置照射激光束，在該線狀加工痕形成步驟中，對(duì)在該轉(zhuǎn)位進(jìn)給方向上距離該基準(zhǔn)位置為該規(guī)定距離的位置照射激光束。