[發(fā)明專利]確認(rèn)方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010079650.5 | 申請(qǐng)日: | 2020-02-04 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111564381A | 公開(公告)日: | 2020-08-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 芥川幸人 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社迪思科 |
| 主分類號(hào): | H01L21/66 | 分類號(hào): | H01L21/66;H01L21/301;B23K26/53 |
| 代理公司: | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 喬婉;于靖帥 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 確認(rèn) 方法 | ||
1.一種確認(rèn)方法,對(duì)通過激光加工裝置從被加工物的背面?zhèn)日丈鋵?duì)于被加工物具有透過性的波長的激光束而在被加工物的內(nèi)部形成改質(zhì)層時(shí)的激光束的照射對(duì)被加工物的正面帶來的影響進(jìn)行確認(rèn),其中,
該確認(rèn)方法具有如下的步驟:
確認(rèn)用晶片準(zhǔn)備步驟,準(zhǔn)備在基材的正面上層疊有金屬箔的確認(rèn)用晶片;
改質(zhì)層形成步驟,在將聚光點(diǎn)定位于該確認(rèn)用晶片的該基材的內(nèi)部的狀態(tài)下,從該基材的背面?zhèn)日丈鋵?duì)于該基材具有透過性的波長的激光束,并且使該聚光點(diǎn)和該確認(rèn)用晶片在加工進(jìn)給方向上相對(duì)移動(dòng),從而在該基材的內(nèi)部形成改質(zhì)層;
線狀加工痕形成步驟,在與該加工進(jìn)給方向垂直的轉(zhuǎn)位進(jìn)給方向上,在距離該改質(zhì)層形成步驟中的激光束的照射位置為規(guī)定距離的位置,將聚光點(diǎn)定位于該確認(rèn)用晶片的該基材與該金屬箔的界面,在該狀態(tài)下,從該基材的背面?zhèn)日丈鋵?duì)于該基材具有透過性的波長的激光束,并且使該聚光點(diǎn)和該確認(rèn)用晶片在該加工進(jìn)給方向上相對(duì)移動(dòng),從而在該金屬箔的正面上形成線狀加工痕;以及
確認(rèn)步驟,在實(shí)施了該改質(zhì)層形成步驟和該線狀加工痕形成步驟之后,根據(jù)該線狀加工痕的位置對(duì)該改質(zhì)層形成步驟中所照射的該激光束對(duì)該金屬箔的正面帶來的影響進(jìn)行確認(rèn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的確認(rèn)方法,其中,
該改質(zhì)層形成步驟在實(shí)施了該線狀加工痕形成步驟之后實(shí)施。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的確認(rèn)方法,其中,
該確認(rèn)方法還具有如下的基準(zhǔn)位置設(shè)定步驟:在實(shí)施了該確認(rèn)用晶片準(zhǔn)備步驟之后,將該確認(rèn)用晶片中的要形成該改質(zhì)層的位置設(shè)定為基準(zhǔn)位置,
在該改質(zhì)層形成步驟中,對(duì)該基準(zhǔn)位置照射激光束,
在該線狀加工痕形成步驟中,對(duì)在該轉(zhuǎn)位進(jìn)給方向上距離該基準(zhǔn)位置為該規(guī)定距離的位置照射激光束。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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