[發明專利]一種探測電路、其制作方法及探測面板

在審

• 申請號: 202010077749.1
• 申請日: 2020-01-31
• 公開（公告）號: CN111262531A
• 公開（公告）日: 2020-06-09
• 發明（設計）人: 劉清召;王國強;董水浪
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H03F1/26
• 分類號: H03F1/26;G01N23/04;H01L31/18;H01L31/115
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 金俊姬

本發明公開了一種探測電路、其制作方法及探測面板，該探測電路包括：包括薄膜晶體管、三極管和光電轉換器，薄膜晶體管的柵極與控制信號端電連接，薄膜晶體管的源極與三極管的集電極電連接，薄膜晶體管的漏極與探測信號端電連接；三極管的基極與光電轉換器的第一端電連接，三極管的發射極與電源端電連接，光電轉換器的第二端與偏置電極電連接。通過在薄膜晶體管和光電轉換器之間設置三極管，這樣光電轉換器轉換后的電信號作為三極管的基極信號，因此該電信號可以通過三極管進行放大后輸出至薄膜晶體管的源極，進而將放大的電信號通過薄膜晶體管輸出至探測端；因此本發明實施例提供的探測電路可以提高平板探測器的信噪比。

技術領域

本發明涉及探測電路技術領域，特別涉及一種探測電路、其制作方法及探測面板。

背景技術

基于薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)技術制作的平板X射線探測器(Flat X-ray Panel Detector，FPXD)是數字影像技術中至關重要的元件，由于其具有成像速度快，良好的空間及密度分辨率、高信噪比、直接數字輸出等優點，廣泛應用于醫學影像(如X光胸透)、工業檢測(如金屬探傷)、安保檢測、航空運輸等領域。

但是，目前現有的平板探測器的信噪比較低。

發明內容

本發明實施例提供一種探測電路、其制作方法及探測面板，用以解決現有的平板探測器的信噪比較低的問題。

本發明實施例提供了一種探測電路，包括位于襯底基板上的薄膜晶體管、三極管和光電轉換器，所述薄膜晶體管的柵極與控制信號端電連接，所述薄膜晶體管的源極與所述三極管的集電極電連接，所述薄膜晶體管的漏極與探測信號端電連接；所述三極管的基極與所述光電轉換器的第一端電連接，所述三極管的發射極與電源端電連接，所述光電轉換器的第二端與偏置電極電連接。

可選地，在具體實施時，在本發明實施例提供的上述探測電路中，所述源極通過與所述柵極同層設置的走線和所述集電極電連接，且所述走線在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述三極管和所述光電轉換器在所述襯底基板上的正投影。

可選地，在具體實施時，在本發明實施例提供的上述探測電路中，所述集電極與所述薄膜晶體管的有源層同層設置，且所述集電極在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述三極管和所述光電轉換器在所述襯底基板上的正投影。

可選地，在具體實施時，在本發明實施例提供的上述探測電路中，所述光電轉換器包括位于所述襯底基板上依次疊層設置的第一半導體層、本征半導體層和第二半導體層；

所述第一半導體層與所述基極電連接，或所述第一半導體層與所述基極為一體結構。

可選地，在具體實施時，在本發明實施例提供的上述探測電路中，所述三極管為NPN型三極管，所述第一半導體層為P型半導體層，所述第二半導體層為N型半導體層。

可選地，在具體實施時，在本發明實施例提供的上述探測電路中，所述三極管為PNP型三極管，所述第一半導體層為N型半導體層，所述第二半導體層為P型半導體層。

相應地，本發明實施例還提供了一種探測面板，包括多個探測單元，每一所述探測單元均包括如本發明實施例提供的上述任一項所述的探測電路。

相應地，本發明實施例還提供了一種如本發明實施例提供的上述探測電路的制作方法，包括：

在襯底基板上分別形成薄膜晶體管、三極管、光電轉換器和偏置電極；其中，

形成薄膜晶體管，具體包括：在所述襯底基板上依次形成柵極、柵絕緣層、有源層、源極、漏極、和鈍化層；

形成三極管，具體包括：在所述襯底基板上依次形成集電極、基極和發射極；

形成光電轉換器，具體包括：在所述襯底基板上依次形成第一半導體層、本征半導體層和第二半導體層。