[發(fā)明專利]一種探測電路、其制作方法及探測面板

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• 申請日: 2020-01-31
• 公開（公告）號: CN111262531A
• 公開（公告）日: 2020-06-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉清召;王國強(qiáng);董水浪
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H03F1/26
• 分類號: H03F1/26;G01N23/04;H01L31/18;H01L31/115
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 金俊姬

1.一種探測電路，其特征在于，包括位于襯底基板上的薄膜晶體管、三極管和光電轉(zhuǎn)換器，所述薄膜晶體管的柵極與控制信號端電連接，所述薄膜晶體管的源極與所述三極管的集電極電連接，所述薄膜晶體管的漏極與探測信號端電連接；所述三極管的基極與所述光電轉(zhuǎn)換器的第一端電連接，所述三極管的發(fā)射極與電源端電連接，所述光電轉(zhuǎn)換器的第二端與偏置電極電連接。

2.如權(quán)利要求1所述的探測電路，其特征在于，所述源極通過與所述柵極同層設(shè)置的走線和所述集電極電連接，且所述走線在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述三極管和所述光電轉(zhuǎn)換器在所述襯底基板上的正投影。

3.如權(quán)利要求1所述的探測電路，其特征在于，所述集電極與所述薄膜晶體管的有源層同層設(shè)置，且所述集電極在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述三極管和所述光電轉(zhuǎn)換器在所述襯底基板上的正投影。

4.如權(quán)利要求3所述的探測電路，其特征在于，所述光電轉(zhuǎn)換器包括位于所述襯底基板上依次疊層設(shè)置的第一半導(dǎo)體層、本征半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層；

所述第一半導(dǎo)體層與所述基極電連接，或所述第一半導(dǎo)體層與所述基極為一體結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求4所述的探測電路，其特征在于，所述三極管為NPN型三極管，所述第一半導(dǎo)體層為P型半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層為N型半導(dǎo)體層。

6.如權(quán)利要求4所述的探測電路，其特征在于，所述三極管為PNP型三極管，所述第一半導(dǎo)體層為N型半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層為P型半導(dǎo)體層。

7.一種探測面板，包括多個(gè)探測單元，其特征在于，每一所述探測單元均包括如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的探測電路。

8.一種如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的探測電路的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上分別形成薄膜晶體管、三極管、光電轉(zhuǎn)換器和偏置電極；其中，

形成薄膜晶體管，具體包括：在所述襯底基板上依次形成柵極、柵絕緣層、有源層、源極、漏極、和鈍化層；

形成三極管，具體包括：在所述襯底基板上依次形成集電極、基極和發(fā)射極；

形成光電轉(zhuǎn)換器，具體包括：在所述襯底基板上依次形成第一半導(dǎo)體層、本征半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層。

9.如權(quán)利要求8所述的制作方法，其特征在于，通過一次構(gòu)圖工藝形成所述柵極和所述走線。

10.如權(quán)利要求8所述的制作方法，其特征在于，通過一次構(gòu)圖工藝形成所述有源層和所述集電極。

11.如權(quán)利要求8所述的制作方法，其特征在于，形成所述基極、所述發(fā)射極、所述第一半導(dǎo)體層、所述本征半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層，具體包括：

在所述集電極上依次沉積第一半導(dǎo)體材料膜層、本征半導(dǎo)體材料膜層、第二半導(dǎo)體材料膜層和導(dǎo)電材料膜層；

對所述導(dǎo)電材料膜層進(jìn)行刻蝕，形成偏置電極；

以所述偏置電極為掩膜，去除未被所述偏置電極覆蓋的第二半導(dǎo)體材料膜層，所述偏置電極覆蓋的第二半導(dǎo)體材料膜層構(gòu)成所述第二半導(dǎo)體層；

以所述偏置電極為掩膜，去除未被所述偏置電極覆蓋的預(yù)設(shè)厚度的本征半導(dǎo)體材料膜層，所述偏置電極覆蓋的本征半導(dǎo)體材料膜層構(gòu)成所述本征半導(dǎo)體層；

對未被所述偏置電極覆蓋的本征半導(dǎo)體材料膜層進(jìn)行離子摻雜，形成所述發(fā)射極；其中，被所述發(fā)射極覆蓋的第一半導(dǎo)體材料膜層構(gòu)成所述基極，被所述本征半導(dǎo)體層覆蓋的第一半導(dǎo)體材料膜層構(gòu)成所述第一半導(dǎo)體層。

12.如權(quán)利要求8所述的制作方法，其特征在于，形成所述基極、所述發(fā)射極、所述第一半導(dǎo)體層、所述本征半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層，具體包括：

在所述集電極上依次形成層疊設(shè)置的第一半導(dǎo)體層、本征半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層，以形成所述光電轉(zhuǎn)換器；

在所述第二半導(dǎo)體層上形成偏置電極；

在所述薄膜晶體管和所述光電轉(zhuǎn)換器之間的集電極上形成與所述第一半導(dǎo)體層電連接的基極；

在所述基極上形成發(fā)射極。