[發明專利]構造體形成方法和由構造體形成方法形成的設備

有效

• 申請號: 202010077060.9
• 申請日: 2020-01-23
• 公開（公告）號: CN111508832B
• 公開（公告）日: 2023-08-04
• 發明（設計）人: 稻葉正吾
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;G01P15/125
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 沈丹陽

一種構造體形成方法和由構造體形成方法形成的設備，其中，構造體形成方法通過干式蝕刻在基板形成第一孔和寬度比所述第一孔小的第二孔，從而形成構造體，所述構造體形成方法具備：在所述基板形成蝕刻掩模的工序、蝕刻所述蝕刻掩模的與形成所述第一孔的第一孔形成區域重疊的部分的工序、蝕刻所述蝕刻掩模的與形成所述第二孔的第二孔形成區域重疊的部分的工序、以及將所述蝕刻掩模作為掩模對所述基板進行干式蝕刻的工序。

技術領域

本發明涉及一種構造體形成方法和設備。

背景技術

例如，如專利文獻1所記載的那樣，作為硅的深槽蝕刻技術，已知有博世(Bosch)工藝。該博世工藝是通過交替切換作為蝕刻用氣體的SF₆和作為側壁保護膜形成用氣體的C₄F₈這兩個系統的氣體，交替反復進行蝕刻工序和側壁保護膜形成工序，從而在硅上形成深槽的技術。根據這樣的深槽蝕刻技術，能夠形成槽側面的垂直性優良、高縱橫比的槽。

專利文獻1：美國專利第6284148號說明書

例如，在圖案中存在疏密的情況下應用上述的博世工藝時，在圖案稀疏的部分蝕刻速度變快，在圖案密集的部分蝕刻速度變慢。這樣，如果在圖案稀疏的部分和圖案密集的部分蝕刻速度不同，則如果配合圖案密集的部分的蝕刻速度進行蝕刻，則在圖案稀疏的部分蝕刻很快結束，有可能對其周圍造成損傷。另外，如果配合圖案稀疏的部分的蝕刻速度進行蝕刻，則在圖案密集的部分有可能蝕刻不能完全結束。

發明內容

一種構造體形成方法，其特征在于，通過干式蝕刻在基板形成第一孔和寬度比所述第一孔小的第二孔，從而形成構造體，所述構造體形成方法具備：在所述基板形成蝕刻掩模的工序；蝕刻所述蝕刻掩模的與形成所述第一孔的第一孔形成區域重疊的部分的工序；蝕刻所述蝕刻掩模的與形成所述第二孔的第二孔形成區域重疊的部分的工序；以及將所述蝕刻掩模作為掩模對所述基板進行所述干式蝕刻的工序。

一種由構造體形成方法形成的設備，其特征在于，具有：基板；以及構造體，設置于所述基板，并具備第一寬度的第一孔及第二寬度的第二孔，所述第二寬度小于所述第一寬度，所述第一孔及所述第二孔分別是通過干式蝕刻形成的蝕刻孔，所述第一孔的側壁的波紋的高度(scallop?height，殘留高度)比所述第二孔的側壁的波紋的高度高。

附圖說明

圖1是示出第一實施方式所涉及的慣性傳感器的俯視圖。

圖2是圖1中的A-A線剖視圖。

圖3是說明博世工藝的剖視圖。

圖4是說明博世工藝的剖視圖。

圖5是說明博世工藝的剖視圖。

圖6是說明博世工藝的剖視圖。

圖7是說明博世工藝的剖視圖。

圖8是構造體的局部放大俯視圖。

圖9是圖8中的B-B線剖視圖。

圖10是示出慣性傳感器的制造工序的圖。

圖11是用于說明慣性傳感器的制造方法的剖視圖。

圖12是用于說明慣性傳感器的制造方法的剖視圖。

圖13是用于說明慣性傳感器的制造方法的剖視圖。

圖14是用于說明慣性傳感器的制造方法的剖視圖。

圖15是用于說明慣性傳感器的制造方法的剖視圖。

圖16是用于說明慣性傳感器的制造方法的剖視圖。

圖17是用于說明慣性傳感器的制造方法的剖視圖。