[發明專利]構造體形成方法和由構造體形成方法形成的設備

有效

• 申請號: 202010077060.9
• 申請日: 2020-01-23
• 公開（公告）號: CN111508832B
• 公開（公告）日: 2023-08-04
• 發明（設計）人: 稻葉正吾
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;G01P15/125
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 沈丹陽

1.一種構造體形成方法，其特征在于，通過干式蝕刻在基板形成第一孔和寬度比所述第一孔小的第二孔，從而形成構造體，所述構造體形成方法具備：

在所述基板形成蝕刻掩模的工序；

蝕刻所述蝕刻掩模的與形成所述第一孔的第一孔形成區域重疊的部分的工序；

蝕刻所述蝕刻掩模的與形成所述第二孔的第二孔形成區域重疊的部分的工序；以及

將所述蝕刻掩模作為掩模對所述基板進行所述干式蝕刻的工序，

在蝕刻所述蝕刻掩模的與所述第一孔形成區域重疊的部分的工序中，在所述蝕刻掩模形成有底的第一凹部，

在蝕刻所述蝕刻掩模的與所述第二孔形成區域重疊的部分的工序中，在所述蝕刻掩模形成有底的第二凹部，

所述蝕刻掩模的設置有所述第一凹部的部分的厚度比設置有所述第二凹部的部分的厚度厚。

2.根據權利要求1所述的構造體形成方法，其特征在于，

在蝕刻所述蝕刻掩模的與所述第一孔形成區域重疊的部分的工序中，在所述蝕刻掩模形成有底的凹部，

在蝕刻所述蝕刻掩模的與所述第二孔形成區域重疊的部分的工序中，在所述蝕刻掩模形成通孔。

3.根據權利要求1所述的構造體形成方法，其特征在于，

在蝕刻所述蝕刻掩模的與所述第一孔形成區域重疊的部分的工序中，在所述蝕刻掩模形成通孔之后，在所述通孔內填充填充物，

在蝕刻所述蝕刻掩模的與所述第二孔形成區域重疊的部分的工序中，在所述蝕刻掩模形成通孔。

4.根據權利要求3所述的構造體形成方法，其特征在于，

所述填充物的構成材料與所述蝕刻掩模的構成材料不同。

5.根據權利要求1所述的構造體形成方法，其特征在于，

在蝕刻所述蝕刻掩模的與所述第一孔形成區域重疊的部分的工序中，在所述蝕刻掩模形成通孔之后，在所述通孔內填充填充物，

在蝕刻所述蝕刻掩模的與所述第二孔形成區域重疊的部分的工序中，在所述蝕刻掩模形成有底的凹部。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的構造體形成方法，其特征在于，所述構造體具有在對所述基板進行俯視觀察時與所述第一孔重疊配置的電極。

7.一種由構造體形成方法形成的設備，其特征在于，所述由構造體形成方法形成的設備由權利要求1至6中任一項所述的構造體形成方法形成，所述由構造體形成方法形成的設備具有：

基板；以及

構造體，設置于所述基板，并具備第一寬度的第一孔及第二寬度的第二孔，所述第二寬度小于所述第一寬度，

所述第一孔及所述第二孔分別是通過干式蝕刻形成的蝕刻孔，所述第一孔的側壁的波紋的高度比所述第二孔的側壁的波紋的高度高，所述第一孔的側壁的波紋的數量比所述第二孔的側壁的波紋的數量少。