[發明專利]一種基因槍介導的玉米骨干自交系的遺傳轉化方法有效
| 申請號: | 202010074929.4 | 申請日: | 2020-01-22 |
| 公開(公告)號: | CN111154797B | 公開(公告)日: | 2022-03-01 |
| 發明(設計)人: | 武瑩;李宏潮;楊進孝;馮峰 | 申請(專利權)人: | 北京市農林科學院 |
| 主分類號: | C12N15/82 | 分類號: | C12N15/82;A01H5/00;A01H6/46;A01H4/00 |
| 代理公司: | 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245 | 代理人: | 關暢 |
| 地址: | 100097 北京市海淀區曙*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基因 槍介導 玉米 骨干 自交系 遺傳 轉化 方法 | ||
1.一種玉米自交系京724遺傳轉化的方法,包括如下步驟:
1)采用基因槍法將含有目的基因的載體轟擊至玉米自交系京724幼胚中,得到槍擊后幼胚;
2)將所述槍擊后幼胚接種至愈傷誘導培養基中進行培養,得到胚性愈傷組織;
3)將所述胚性愈傷組織接種至篩選培養基中進行培養,得到抗性愈傷;
4)將所述抗性愈傷接種至再生培養基中進行培養,得到幼苗;
5)將所述幼苗在生根培養基中培養,得到玉米自交系京724轉基因植株;
所述2)中,每升所述愈傷誘導培養基為1000X N6基礎鹽0.35ml、MS基礎鹽2.3g、1000XN6有機1.5ml、二水氯化鈣0.7g、蔗糖30g、脯氨酸1.4g、水解酪蛋白0.5g、肌醇0.1g、2,4-D2.5mg、麥草畏2mg、6-芐氨基嘌呤0.4mg、植物凝膠3g,PH值為5.8;
所述4)中,所述再生培養基為再生培養基Ⅱ;
每升所述再生培養基Ⅱ為20X N6大量無機鹽50ml、1000X MS微量無機鹽1ml、1000X N6有機1ml、甘氨酸2mg、蔗糖30g、甘露醇20g、水解酪蛋白0.3g、谷氨酰胺0.4g、6-芐氨基嘌呤3mg、萘乙酸0.2mg、植物凝膠3g,PH值為5.8。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于:所述1)中,所述玉米自交系京724幼胚在轟擊前還包括在高滲培養基中進行培養的步驟;
或,所述2)包括如下步驟:將槍擊后幼胚先在高滲培養基中培養,然后轉移至所述愈傷誘導培養基中培養至幼胚表面有愈傷突起時再轉移至篩選培養基中。
3.根據權利要求1或2所述的方法,其特征在于:所述3)中,每升所述篩選培養基為將所述愈傷誘導培養基與篩選劑混勻得到的;
所述篩選劑在所述篩選培養基中的濃度為5-10mg/L;
所述篩選劑為潮霉素。
4.根據權利要求1或2所述的方法,其特征在于:所述5)中,每升生根培養基包括MS基礎鹽2g、1000X MS有機0.5ml、蔗糖15g、萘乙酸0.25mg、植物凝膠3g,PH值為5.8。
5.根據權利要求1或2所述的方法,其特征在于:所述1)中,所述幼胚為從幼穗上剝離獲得的幼胚;所述幼穗為待玉米籽粒最大直徑為4-4.5mm時采摘的幼穗;
或,所述1)中,所述轟擊參數為1150psi氦氣壓力,27InHg真空度,9cm射擊距離;
或,所述2)中,所述培養條件如下:26-28℃暗培養9-12天;
或,所述3)中,所述培養條件如下:26-28℃暗培養14-20天;
或,所述4)中,所述培養條件如下:25-26℃,光照周期為白光16h/黑暗8h條件下培養25-30天;
或,所述5)中,所述培養條件如下:25-26℃,光照周期為白光16h/黑暗8h條件下培養10-15天。
6.一種玉米自交系京724的組織培養方法,包括如下步驟:
m1)將玉米自交系京724幼胚在權利要求1中所述的愈傷誘導培養基中進行培養,得到胚性愈傷組織;
m2)將所述胚性愈傷組織接種至權利要求1中所述的再生培養基中進行培養,得到幼苗;
m3)將所述幼苗轉移至權利要求4中所述的生根培養基中進行培養,得到玉米自交系京724植株。
7.根據權利要求6所述的方法,其特征在于:所述m1)包括如下步驟:將玉米自交系京724幼胚在權利要求1中所述的愈傷誘導培養基中進行第一次培養,待幼胚表面有愈傷突起時轉移至新的所述愈傷誘導培養基中進行第二次培養,得到結構疏松、有光澤感、淡黃色胚性愈傷組織;
或,所述第一次培養條件如下:26-28℃暗培養10-14天;
或,所述第二次培養條件如下:26-28℃暗培養14-20天;
或,所述m2)中,所述培養條件如下:25-26℃,光照周期為白光16h/黑暗8h條件下培養25-30天;
或,所述m3)中,所述培養條件如下:25-26℃,光照周期為白光16h/黑暗8h條件下培養10-15天。
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