[發明專利]排氣裝置、處理系統和處理方法

在審

• 申請號: 202010074928.X
• 申請日: 2020-01-22
• 公開（公告）號: CN111519167A
• 公開（公告）日: 2020-08-11
• 發明（設計）人: 本山豐;兼村瑠威
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/52;C23C16/54;C23C16/02;C23C16/56;H01L21/67
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

本發明提供排氣裝置、處理系統和處理方法。本發明的一方式的排氣裝置包括：設置于與處理容器連接的排氣配管的第1壓力調節部；設置于上述第1壓力調節部的下游側的第2壓力調節部；設置于上述第1壓力調節部的上游側的第1真空計；和設置于上述第1壓力調節部與上述第2壓力調節部之間的第2真空計。本發明能夠減小處理裝置間的機器誤差。

技術領域

本發明涉及排氣裝置、處理系統和處理方法。

背景技術

在半導體裝置的制造工藝中，使用在與氣體供給系統和真空排氣系統連接的處理容器內收納半導體晶片來對其進行規定的處理的處理裝置(例如，參照專利文獻1)。然而，在使用多個相同規格的處理裝置進行處理的情況下，如果多個處理裝置間的排氣性能存在差異，則有可能在各個處理裝置中產生不同的處理結果。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2003-218098號公報

發明內容

發明要解決的技術問題

本發明提供一種能夠減小處理裝置間的機器誤差的技術。

用于解決技術問題的技術方案

本發明的一個方式的排氣裝置包括：設置于與處理容器連接的排氣配管的第1壓力調節部；設置于上述第1壓力調節部的下游側的第2壓力調節部；設置于上述第1壓力調節部的上游側的第1真空計；和設置于上述第1壓力調節部與上述第2壓力調節部之間的第2真空計。

發明效果

依照本發明，能夠減小處理裝置間的機器誤差。

附圖說明

圖1是表示一個實施方式的處理系統的結構例的圖。

圖2是表示一個實施方式的處理裝置的結構例的圖。

圖3是表示排氣箱的一例的圖。

圖4是表示流導調節處理的流程的一例的圖。

圖5是表示零點校正處理的流程的一例的圖。

圖6是表示高壓處理的流程的一例的圖。

具體實施方式

附圖標記說明

1 處理裝置

11 處理容器

71 排氣配管

90 控制部

VL1 上游側真空閥

VL2 下游側真空閥

VG1 一次側真空計

VG3 二次側真空計。

具體實施方式

以下，參照附圖，對本發明非限定的例示的實施方式進行說明。在所有附圖中，對于相同或對應的部件或零件，標注相同或對應的附圖標記并省略重復的說明。

(處理系統)

參照圖1，對一個實施方式的處理系統進行說明。圖1是表示一個實施方式的處理系統的結構例的圖。