[發明專利]一種混合集成電路的雙層封裝結構及其制作方法

有效

• 申請號: 202010074415.9
• 申請日: 2020-01-22
• 公開（公告）號: CN111180436B
• 公開（公告）日: 2022-09-06
• 發明（設計）人: 許艷軍;李秀靈
• 申請（專利權）人: 北京新雷能科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L23/045;H01L21/50
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王小清

本申請提供了一種混合集成電路的雙層封裝結構及其制作方法，本申請封裝結構包括基板、雙層一體化外殼、外殼蓋板，所述基板包括底層基板和上層基板，所述基板上表面裝配有電子元器件；所述雙層一體化外殼包括外殼底座、雙腔殼體；所述底層基板焊接于所述外殼底座上，所述上層基板焊接于所述雙腔殼體的上腔中；所述底層基板和所述上層基板之間通過管腳、連接導線焊接連接。本申請技術方案采用雙層裝配結構和雙層一體化外殼，既可大幅提升產品的封裝密度，便于電子元器件的小型化設計，又可保障產品的結構強度，滿足高等級產品的可靠性需求。

技術領域

本申請涉及混合集成電路封裝技術領域，尤其涉及一種混合集成電路的雙層封裝結構及其制作方法。

背景技術

混合集成電路屬氣密性封裝器件，內部密封高純氮氣，用于保證產品內裸芯片、鍵合絲等脆弱部件與外部不利的環境完全隔離，其產品具有工作溫度范圍寬、環境適應性好，可靠性高等特點，廣泛應用于有高可靠性要求的領域。

現有技術厚膜混合集成電路的封裝結構，如圖1所示，該封裝結構采用全金屬氣密性封裝外殼11；厚膜成膜基板12組裝在封裝外殼11的底座上；厚膜成膜基板12表面有布線層13，其上組裝有芯片14、片式元件15、磁性電感或變壓器16等，通過鍵合絲17、焊接引線18連接后構成特定功能的電路封裝結構。

由圖1所示，可知現有技術混合集成電路為典型的單層裝配結構，封裝結構中元器件組裝密度低，且由于需要較大面積的厚膜成膜基板，不利于電子元器件的小型化設計。

發明內容

為了解決上述問題，本申請提供了一種混合集成電路的雙層封裝結構及其制作方法，既可大幅提升混合集成電路產品的組裝密度，利于電子元器件的小型化設計，又能保障電子元器件的結構強度，滿足高等級電子元器件的可靠性需求。

為了實現上述目的，本申請提供如下技術方案：

一種混合集成電路的雙層封裝結構，所述雙層封裝結構包括：基板和雙層一體化外殼、外殼蓋板；

所述基板包括底層基板和上層基板，所述底層基板和上層基板的上表面裝配有電子元器件；

所述雙層一體化外殼包括外殼底座和雙腔殼體；

所述雙腔殼體包括上腔和下腔，所述上腔和下腔之間通過隔板隔開；

所述底層基板焊接在所述外殼底座上，所述上層基板焊接在所述雙腔殼體的上腔一側所述隔板上；

所述底層基板和所述上層基板之間通過管腳、連接導線焊接連接。

優選的，所述外殼底座與所述雙腔殼體通過儲能焊接進行焊接，形成一體化結構。

優選的，所述底層基板、所述雙腔殼體和所述上層基板分別包括用于所述管腳或連接導線穿過的隔板通孔或基板通孔；

所述管腳由下往上，穿過所述下層基板的基板通孔、所述雙腔殼體的隔板通孔以及所述上層基板的基板通孔后，焊接連接上下層基板之間的表面焊盤；

所述連接導線底部焊接于所述下層基板表面，由下往上，穿過隔板通孔和所述上層基板的基板通孔后，焊接連接上下層基板的表面焊盤。

優選的，所述雙層一體化外殼為金屬材質，所述雙層一體化外殼的內鍍層為鎳，外鍍層為金。

優選的，所述基板的基材材質為陶瓷。

優選的，所述外殼底座的厚度設置在0.5mm～2mm之間。

優選的，所述雙腔殼體的殼壁、所述隔板的厚度設置在0.5mm～1.5mm之間。

優選的，所述外殼底座邊緣分布有第一儲能焊接區，所述雙腔殼體底部邊緣分布有第二儲能焊接區。