[發明專利]氣體供給噴嘴、襯底處理裝置及半導體器件的制造方法

在審

• 申請號: 202010072894.0
• 申請日: 2016-07-05
• 公開（公告）號: CN111261503A
• 公開（公告）日: 2020-06-09
• 發明（設計）人: 高木康祐;笹島亮太;小倉慎太郎;赤江尚德;山腰莉早;藤野敏樹;寺崎昌人;南政克
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;H01L21/31;H01L21/67;C23C16/455
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 楊宏軍

本發明涉及氣體供給噴嘴、襯底處理裝置及半導體器件的制造方法。本發明提供能夠提高襯底間的膜厚均勻性的技術。本發明提供一種技術，其具有：噴嘴基端部，其以沿鉛垂方向延伸的方式設置于對襯底進行處理的處理室內，并供對所述襯底進行處理的處理氣體導入；噴嘴前端部，其呈U字狀構成，并在靠所述襯底側的側面設置有將所述處理氣體供給至所述處理室內的氣體供給孔；和氣體滯留抑制孔，其設置于所述噴嘴前端部的下游端，并具有比所述氣體供給孔大的直徑。

本申請是申請日為2016年7月5日、發明名稱為“氣體供給噴嘴、襯底處理裝置及半導體器件的制造方法”的中國發明專利申請No.201610526212.2的分案申請。

技術領域

本發明涉及氣體供給噴嘴、襯底處理裝置及半導體器件的制造方法。

背景技術

作為半導體器件(裝置)的制造工序的一個工序，有時進行下述處理：通過對處理室內的呈多層配置的襯底非同時地供給原料氣體和反應氣體，從而在襯底上形成膜。

特開2009-295729號公報

發明內容

然而，近年來，這樣的半導體器件有高集成化的趨勢，圖案尺寸顯著微細化，因此，變得難以在襯底上均勻地形成膜。本發明的目的在于提供能夠提高襯底間的膜厚均勻性的技術。

通過本發明的一方案，提供一種技術，其具有：

噴嘴基端部，其以沿鉛垂方向延伸的方式設置于對襯底進行處理的處理室內，并供對所述襯底進行處理的處理氣體導入；

噴嘴前端部，其呈U字狀構成，并在靠所述襯底側的側面設置有將所述處理氣體供給至所述處理室內的氣體供給孔；和

氣體滯留抑制孔，其設置于所述噴嘴前端部的下游端，并具有比所述氣體供給孔大的直徑。

本申請涉及下述項：

項1、一種氣體供給噴嘴，其具有：

噴嘴基端部，其以沿鉛垂方向延伸的方式設置于對襯底進行處理的處理室內，并供對所述襯底進行處理的處理氣體導入；

噴嘴前端部，其呈U字狀構成，并在靠所述襯底側的側面設置有將所述處理氣體供給至所述處理室內的氣體供給孔；和

氣體滯留抑制孔，其設置于所述噴嘴前端部的下游端，并具有比所述氣體供給孔大的直徑。

項2、如項1所述的氣體供給噴嘴，其中，所述氣體滯留抑制孔設置于比配置有所述襯底的位置靠下方的位置。

項3、如項1所述的氣體供給噴嘴，其中，所述氣體滯留抑制孔的孔徑以成為所述氣體供給孔的孔徑的1.1～25倍的方式形成。

項4、如項1所述的氣體供給噴嘴，其中，所述噴嘴前端部具有：

連接于所述噴嘴基端部的上游側管線；

改變流經所述上游側管線的氣流的方向的折返部；和

連接于所述折返部并向鉛垂方向下方延伸的下游側管線，

所述氣體滯留抑制孔的孔徑以使所述上游側管線的上游端與所述下游側管線的下游端中的氣體的流速相等的方式構成。

項5、如項4所述的氣體供給噴嘴，其中，所述氣體供給孔僅設置于所述下游側管線上。

項6、如項4所述的氣體供給噴嘴，其中，所述氣體供給孔僅設置于所述上游側管線上。

項7、如項4所述的氣體供給噴嘴，其中，所述氣體供給孔以在所述上游側管線和所述下游側管線上位于不同高度的方式進行設置。

項8、一種襯底處理裝置，其具有：

對襯底進行處理的處理室；和