[發明專利]氣體供給噴嘴、襯底處理裝置及半導體器件的制造方法

在審

• 申請號: 202010072894.0
• 申請日: 2016-07-05
• 公開（公告）號: CN111261503A
• 公開（公告）日: 2020-06-09
• 發明（設計）人: 高木康祐;笹島亮太;小倉慎太郎;赤江尚德;山腰莉早;藤野敏樹;寺崎昌人;南政克
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;H01L21/31;H01L21/67;C23C16/455
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 楊宏軍

1.氣體供給噴嘴，其具有：

上游側管線，其用于導入氣體；

折返部，其連接于所述上游側管線的下游端，用于改變所述氣體的流向；

下游側管線，其連接于所述折返部；

多個氣體供給孔，其分別設置于所述下游側管線的側面，并且朝向與經所述折返部而從所述上游側管線朝向所述下游側管線的方向交叉的方向。

2.如權利要求1所述的氣體供給噴嘴，其中，

所述折返部位于比位于所述下游側管線的最上位置的位置的所述氣體供給孔更靠垂直方向上側。

3.如權利要求2所述的氣體供給噴嘴，其中，所述氣體供給孔的最上端接近所述折返部的下游端而設置。

4.如權利要求1所述的氣體供給噴嘴，其中，所述多個氣體供給孔在排列多個晶片的晶片排列區域的側方在從該晶片排列區域的一端側至另一端側的范圍內設置。

5.如權利要求4所述的氣體供給噴嘴，其中，所述多個氣體供給孔構成為在所述晶片的附近才向所述反應管內噴出所述氣體。

6.如權利要求1所述的氣體供給噴嘴，其還具備將所述上游側管線和所述下游側管線連結的連結部。

7.如權利要求6所述的氣體供給噴嘴，其中，所述連結部以將所述上游側管線的上游側和所述下游側管線的下游側連結的方式設置。

8.如權利要求1所述的氣體供給噴嘴，其還具備向所述上游側管線導入所述氣體的噴嘴基端部，

所述噴嘴基端部的導入所述氣體的部分的管線的中心構成為位于將所述上游側管線的中心與所述下游側管線的中心連結的直線的中間的位置。

9.如權利要求1所述的氣體供給噴嘴，其還具備向所述上游側管線導入所述氣體的噴嘴基端部，

所述噴嘴基端部的管線為了與所述上游側管線連接而構成以將所述噴嘴基端部的導入所述氣體的部分的管線的中心與所述上游側管線的上游端的中心連結的線為中心的管線。

10.如權利要求1所述的氣體供給噴嘴，其中，所述氣體為包括原料氣體、反應氣體的處理氣體。

11.如權利要求10所述的氣體供給噴嘴，其中，所述反應氣體為包含選自由含C氣體、含O氣體、含H氣體組成的組中的至少一者的氣體。

12.如權利要求10所述的氣體供給噴嘴，其中，所述原料氣體為包含選自由無機類硅烷原料氣體、有機類鹵硅烷原料氣體、不含鹵基的無機類硅烷原料氣體、不含鹵基的有機類硅烷原料氣體、不含鹵基的氨類(胺類)硅烷原料氣體、包含金屬元素及鹵元素的無機金屬原料氣體、包含金屬元素及碳的有機金屬原料氣體組成的組中的至少一者的氣體。

13.襯底處理裝置，其具有：

反應管，其形成有對襯底進行處理的處理室；

第一氣體供給系統；和

控制部，其以對所述多個襯底的各自的表面進行處理的方式控制所述第一氣體供給系統，

其中，所述第一氣體供給系統具有：用于導入氣體的第一上游側管線；連接于所述第一上游側管線的下游側、改變所述氣體的流向的折返部；連接于所述折返部的第一下游側管線；和多個第一氣體供給孔，其分別設置于所述第一下游側管線的側面，并且朝向與經所述折返部而從所述第一上游側管線朝向所述第一下游側管線的方向交叉的方向。

14.如權利要求13所述的襯底處理裝置，其還具有第二氣體供給系統，所述第二氣體供給系統進一步具有第二噴嘴前端部，

所述第二噴嘴前端部包含：用于導入第二氣體的第二上游側管線；連接于所述第二上游側管線的下游端的第二折返部；和連接于所述第二折返部的下游端的第二下游側管線，

配置于所述第二上游側管線及所述第二下游側管線的側面的多個第二氣體供給孔構成為朝向所述反應管的中心。