[發(fā)明專利]半導(dǎo)體激光元件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010072729.5
• 申請日: 2020-01-21
• 公開（公告）號: CN111525391B
• 公開（公告）日: 2023-03-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 高倉輝芳;谷本佳美;谷善彥;津田有三
• 申請（專利權(quán)）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01S5/02
• 分類號: H01S5/02;H01S5/028;H01S5/042;H01S5/22;H01S5/30
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44334
• 代理人: 郝家歡

本發(fā)明提供可得到獲得良好的FFP且可靠性高的FFP的半導(dǎo)體激光元件。半導(dǎo)體激光元件(1)在半導(dǎo)體層(20)中具有：一對第2凹部(130)，其相對于在脊部(110)的兩側(cè)形成的第1槽部(120)而在光出射面(170)側(cè)，夾著脊部(110)對置；和一對第3槽部(140)，其從光出射面(170)與第1槽部(120)平行并且夾著脊部(110)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體激光元件。

背景技術(shù)

近年來，半導(dǎo)體激光元件小型且輕型，且可靠性高，而且以較高的輸出生成激光，從而在各種領(lǐng)域中利用。這樣的半導(dǎo)體激光元件公知有以下半導(dǎo)體激光元件，即，在半導(dǎo)體層中，具備一對槽部，在上述一對槽部中，規(guī)定光導(dǎo)波路的部分夾著脊部對置配置，并且具有橫穿活性層的深度(例如參照專利文獻(xiàn)1)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2002-324947號公報

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題

然而，在技術(shù)文獻(xiàn)1所述的半導(dǎo)體激光元件中，存在導(dǎo)致遠(yuǎn)場圖像(FFP：Far FieldPattern)的形狀成為橢圓形這樣的問題。這是由于FFP的垂直橫模與平行橫模的輻射角度之比(縱橫比)大。

本發(fā)明是鑒于上述課題而完成的，目的在于提供可得到更接近正圓的形狀的FFP的半導(dǎo)體激光元件。

解決問題的方案

(1)本發(fā)明的一實(shí)施方式是由半導(dǎo)體層、電介質(zhì)膜以及電極層依次重疊而構(gòu)成的半導(dǎo)體激光元件。該半導(dǎo)體層由n型包覆層以及p型包覆層依次重疊而構(gòu)成，且具有：脊部，其形成于p型包覆層，并從俯視時橫穿半導(dǎo)體層的方向的一端延伸至另一端；兩個第1凹部，其沿著橫穿的方向而形成于脊部的兩側(cè)；兩個槽狀的第2凹部，其具有從p型包覆層達(dá)到至n型包覆層的深度，并從俯視時縱穿半導(dǎo)體層的方向的各個端部在相同直線上延伸至夾著脊部的位置；以及兩個槽狀的第3凹部，其具有從p型包覆層達(dá)到至n型包覆層的深度，并從俯視時橫穿半導(dǎo)體層的方向的一端沿橫穿的方向朝向第2凹部延伸，在上述縱穿的方向上夾著脊部的位置配置。上述電介質(zhì)膜至少覆蓋除脊部以外的半導(dǎo)體層的表面。上述電極層與脊部重疊，并且在俯視時橫穿的方向上的比第2凹部靠另一端側(cè)處與電介質(zhì)膜重疊。

(2)另外，在上述(1)的結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，本發(fā)明的某個實(shí)施方式是半導(dǎo)體激光元件，其中，第1凹部是沿著橫穿的方向而形成于脊部的兩側(cè)的槽狀的凹部。

(3)另外，在上述(1)的結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，本發(fā)明的某個實(shí)施方式是半導(dǎo)體激光元件，其中，橫穿的方向的一端面是光出射面，另一端面是反射面。

(4)另外，在上述(1)的結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，本發(fā)明的某個實(shí)施方式是半導(dǎo)體激光元件，其中，電極層包括：與脊部重疊的第1電極層和在俯視時橫穿的方向上的比第2凹部靠另一端側(cè)處與電介質(zhì)膜以及第1電極層重疊的第2電極層。

(5)另外，在上述(1)的結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，本發(fā)明的某個實(shí)施方式是半導(dǎo)體激光元件，其中，第2凹部在縱穿的方向上相對于脊部對稱的位置配置。

(6)另外，在上述(1)的結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，本發(fā)明的某個實(shí)施方式是半導(dǎo)體激光元件，其中，第3凹部在橫穿的方向上的另一端處與第2槽連結(jié)。

(7)另外，在上述(1)的結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，本發(fā)明的某個實(shí)施方式是半導(dǎo)體激光元件，其中，電介質(zhì)膜至少還覆蓋第2凹部的縱穿的方向上的側(cè)面部。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，能夠提供可得到比以往的半導(dǎo)體激光元件更接近正圓的形狀的FFP的半導(dǎo)體激光元件。

附圖說明

圖1是示意性地示出本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的半導(dǎo)體激光元件的結(jié)構(gòu)的俯視圖。