[發(fā)明專利]半導(dǎo)體激光元件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010072729.5
• 申請(qǐng)日: 2020-01-21
• 公開（公告）號(hào): CN111525391B
• 公開（公告）日: 2023-03-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高倉輝芳;谷本佳美;谷善彥;津田有三
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 夏普株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01S5/02
• 分類號(hào): H01S5/02;H01S5/028;H01S5/042;H01S5/22;H01S5/30
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44334
• 代理人: 郝家歡

1.一種半導(dǎo)體激光元件，其由半導(dǎo)體層、電介質(zhì)膜以及電極層依次重疊而構(gòu)成，所述半導(dǎo)體激光元件的特征在于，

所述半導(dǎo)體層由n型包覆層以及p型包覆層依次重疊而構(gòu)成，

且所述半導(dǎo)體層具有：

脊部，其形成于所述p型包覆層，并從俯視時(shí)橫穿所述半導(dǎo)體層的方向的一端延伸至另一端；

兩個(gè)第1凹部，其沿著所述橫穿的方向而形成于所述脊部的兩側(cè)；

兩個(gè)槽狀的第2凹部，其具有從所述p型包覆層達(dá)到至所述n型包覆層的深度，并從俯視時(shí)縱穿所述半導(dǎo)體層的方向的各個(gè)端部延伸至夾著所述脊部的位置；以及

兩個(gè)槽狀的第3凹部，其具有從所述p型包覆層達(dá)到至所述n型包覆層的深度，并從俯視時(shí)橫穿所述半導(dǎo)體層的方向的一端沿所述橫穿的方向朝向所述第2凹部延伸，在所述縱穿的方向上夾著所述脊部的位置配置，

所述電介質(zhì)膜至少覆蓋除所述脊部以外的所述半導(dǎo)體層的表面，

所述電極層與所述脊部重疊，并且在俯視時(shí)所述橫穿的方向上的比所述第2凹部靠另一端側(cè)處與所述電介質(zhì)膜重疊，

縱穿所述半導(dǎo)體層的方向上，從所述第3凹部到所述脊部的中心的長(zhǎng)度比從所述第2凹部到所述脊部的中心的長(zhǎng)度長(zhǎng)，

所述半導(dǎo)體激光元件的所述橫穿的方向的一端面是光出射面，另一端面是反射面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光元件，其特征在于，

所述第1凹部是沿著所述橫穿的方向而形成于所述脊部的兩側(cè)的槽狀的凹部。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光元件，其特征在于，

所述電極層包括：與所述脊部重疊的第1電極層和在俯視時(shí)所述橫穿的方向上的比所述第2凹部靠另一端側(cè)處與所述電介質(zhì)膜以及所述第1電極層重疊的第2電極層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光元件，其特征在于，

所述第2凹部在所述縱穿的方向上相對(duì)于所述脊部對(duì)稱的位置配置。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光元件，其特征在于，

所述第3凹部在所述橫穿的方向上的另一端處與所述第2凹部連結(jié)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光元件，其特征在于，

所述電介質(zhì)膜至少還覆蓋所述第2凹部的所述縱穿的方向上的側(cè)面部。